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1. 发明专利

TW201643968A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201643968A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105112017
申请日：2016-04-18
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：佐藤拓 , SATO, TAKU , 瓜生和也 , URYU, KAZUYA , 庄司一之 , SHOUJI, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/095 , H01L27/098 , H01L29/0843 , H01L29/1029 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
摘要：本發明的半導體裝置包含：半導體層；源極電極，設於前述半導體層；汲極電極，設於前述半導體層，並與前述源極電極分離配置；第1閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間；及第2閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間，且至少一部分比前述第1閘極電極更靠近前述汲極電極。前述半導體層具有：第1對向部分，是面對前述第1閘極電極的部分；及第2對向部分，是面對前述第2閘極電極的部分。當前述源極電極與前述第1閘極電極間的電位差，也就是第1閘極電壓為0V以下時，前述第1對向部分不導通。當前述第1對向部分及前述第2對向部分之間的部分與前述第2閘極電極間的電位差，也就是第2閘極電壓為0V以下時，前述第2對向部分不導通。前述第1對向部分剛開始導通時的前述第1閘極電壓比前述第2對向部分剛開始導通時的前述第2閘極電壓大。
简体摘要：本发明的半导体设备包含：半导体层；源极电极，设于前述半导体层；汲极电极，设于前述半导体层，并与前述源极电极分离配置；第1闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间；及第2闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间，且至少一部分比前述第1闸极电极更靠近前述汲极电极。前述半导体层具有：第1对向部分，是面对前述第1闸极电极的部分；及第2对向部分，是面对前述第2闸极电极的部分。当前述源极电极与前述第1闸极电极间的电位差，也就是第1闸极电压为0V以下时，前述第1对向部分不导通。当前述第1对向部分及前述第2对向部分之间的部分与前述第2闸极电极间的电位差，也就是第2闸极电压为0V以下时，前述第2对向部分不导通。前述第1对向部分刚开始导通时的前述第1闸极电压比前述第2对向部分刚开始导通时的前述第2闸极电压大。

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