专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI417885B 非揮發記憶體中以頁及區塊為基礎之置亂方法有权
简体标题：非挥发内存中以页及区块为基础之置乱方法
公开(公告)号：TWI417885B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW098122079
申请日：2009-06-30
申请人：山迪士IL有限公司 , SANDISK IL LTD.
发明人：雪倫艾朗 , SHARON, ERAN , 阿爾羅德伊丹 , ALROD, IDAN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/38
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427

2. 发明专利

TWI489483B 用於一快閃記憶體內資料之高速、低功率讀取的方法、記憶體、記憶體裝置、記憶體系統及電腦可讀儲存媒體有权
简体标题：用于一闪存内数据之高速、低功率读取的方法、内存、内存设备、内存系统及电脑可读存储媒体
公开(公告)号：TWI489483B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW098116730
申请日：2009-05-20
申请人：山迪士IL有限公司 , SANDISK IL LTD.
发明人：阿爾羅德伊丹 , ALROD, IDAN , 雷瑟曼納翰 , LASSER, MENAHEM
IPC分类号： G11C7/18 , G06F12/00
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/28 , G11C2216/14

3. 发明专利

TW201007737A 非揮發記憶體中以頁及區塊為基礎之置亂方法 METHOD FOR PAGE AND BLOCK BASED SCRAMBLING IN NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：非挥发内存中以页及区块为基础之置乱方法 METHOD FOR PAGE AND BLOCK BASED SCRAMBLING IN NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW201007737A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098122079
申请日：2009-06-30
申请人：山迪士IL有限公司
发明人：雪倫艾朗 , 阿爾羅德伊丹
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
摘要：本發明揭示一種用於在一記憶體裝置中程式化及讀取資料而具有減少之錯誤之方法及系統。於一個方法中，使用一第一偽隨機數來對欲寫入至該記憶體裝置之資料進行置亂以提供使用一第二偽隨機數進行置亂之第一經置亂資料，該第一偽隨機數係基於該記憶體裝置中該資料欲寫入至的一頁而產生，該第二偽隨機數係基於該記憶體裝置中該資料欲寫入至的一區塊而產生。此避免可導致讀取錯誤之位元線至位元線及區塊至區塊冗餘。亦可使用相依於一頁內之一區段之一第三偽隨機數來對該資料進行置亂。置亂亦可係基於曾被寫入之一個或多個先前頁。
简体摘要：本发明揭示一种用于在一内存设备中进程化及读取数据而具有减少之错误之方法及系统。于一个方法中，使用一第一伪随机数来对欲写入至该内存设备之数据进行置乱以提供使用一第二伪随机数进行置乱之第一经置乱数据，该第一伪随机数系基于该内存设备中该数据欲写入至的一页而产生，该第二伪随机数系基于该内存设备中该数据欲写入至的一区块而产生。此避免可导致读取错误之比特线至比特线及区块至区块冗余。亦可使用相依于一页内之一区段之一第三伪随机数来对该数据进行置乱。置乱亦可系基于曾被写入之一个或多个先前页。

4. 发明专利

TW201220315A 使用記憶體單元狀態之劃分的資料編碼 DATA CODING USING DIVISIONS OF MEMORY CELL STATES 审中-公开
简体标题：使用内存单元状态之划分的数据编码 DATA CODING USING DIVISIONS OF MEMORY CELL STATES
公开(公告)号：TW201220315A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100128977
申请日：2011-08-12
申请人：山迪士IL有限公司
发明人：雪倫艾朗 , 阿爾羅德伊丹
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1006 , G06F12/0246 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/26
摘要：本發明揭示用以使用記憶體單元狀態之劃分來編碼及解碼資料之資料儲存裝置及方法。一種方法包含將資料位元劃分成不相交的多個資料位元群組並將該等資料位元儲存至複數個記憶體單元中。藉由將該複數個記憶體單元中之每一者設定至選自至少三個有序狀態之一對應狀態來完成該儲存。針對該多個資料位元群組中之每一者,當接收用於讀取該等資料位元之一特定群組之一請求時,藉由選擇該等記憶體單元之該至少三個有序狀態至一第一組狀態與一第二組狀態之一不相交劃分來服務該請求。根據該等狀態之次序,該第一組狀態中之該等狀態中之每一者具有比該第二組狀態中之該等狀態中之任一者高之一位置。針對該複數個記憶體單元中之每一單元,作出該單元處於該第一組狀態下還是該第二組狀態下之判定。基於該判定,在不使用取決於該等記憶體單元中之一者之一狀態之額外資料之情況下回應於用於讀取該等資料位元之該特定群組之該請求來產生該等資料位元之該特定群組。
简体摘要：本发明揭示用以使用内存单元状态之划分来编码及译码数据之数据存储设备及方法。一种方法包含将数据比特划分成不相交的多个数据比特群组并将该等数据比特存储至复数个内存单元中。借由将该复数个内存单元中之每一者设置至选自至少三个有序状态之一对应状态来完成该存储。针对该多个数据比特群组中之每一者,当接收用于读取该等数据比特之一特定群组之一请求时,借由选择该等内存单元之该至少三个有序状态至一第一组状态与一第二组状态之一不相交划分来服务该请求。根据该等状态之次序,该第一组状态中之该等状态中之每一者具有比该第二组状态中之该等状态中之任一者高之一位置。针对该复数个内存单元中之每一单元,作出该单元处于该第一组状态下还是该第二组状态下之判定。基于该判定,在不使用取决于该等内存单元中之一者之一状态之额外数据之情况下回应于用于读取该等数据比特之该特定群组之该请求来产生该等数据比特之该特定群组。

5. 发明专利

TW201003666A 快閃記憶體內資料之高速、低動率讀取 FAST, LOW-POWER READING OF DATA IN A FLASH MEMORY 审中-公开
简体标题：闪存内数据之高速、低动率读取 FAST, LOW-POWER READING OF DATA IN A FLASH MEMORY
公开(公告)号：TW201003666A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098116730
申请日：2009-05-20
申请人：山迪士IL有限公司
发明人：阿爾羅德伊丹 , 雷瑟曼納翰
IPC分类号： G11C , G06F
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/28 , G11C2216/14
摘要：一種記憶體包含位於字線與位元線之交點處之記憶胞、字線及位元線選擇機構以及一程式化機構。每一位元線上之該等記憶胞係串聯連接。同時程式化一字線之記憶胞。對於低功率讀取而言，僅選擇該等位元線中之在該等經程式化記憶胞處與該字線相交之某些位元線且僅感測位於彼等交點處之該等記憶胞。另一類型之記憶體包含一記憶胞實體頁、一感測機構及一選擇機構。自該實體頁之所有該等記憶胞感測硬位元。僅選擇彼等記憶胞中之某些記憶胞用於感測軟位元。另一記憶體包含複數個記憶胞、一感測機構、一匯出機構及一選擇機構。自該複數個記憶胞中之所有該等記憶胞感測硬位元及軟位元。僅選擇該等軟位元中之某些軟位元用於匯出。
简体摘要：一种内存包含位于字线与比特线之交点处之记忆胞、字线及比特线选择机构以及一进程化机构。每一比特在线之该等记忆胞系串联连接。同时进程化一字线之记忆胞。对于低功率读取而言，仅选择该等比特线中之在该等经进程化记忆胞处与该字线相交之某些比特线且仅传感位于彼等交点处之该等记忆胞。另一类型之内存包含一记忆胞实体页、一传感机构及一选择机构。自该实体页之所有该等记忆胞传感硬比特。仅选择彼等记忆胞中之某些记忆胞用于传感软比特。另一内存包含复数个记忆胞、一传感机构、一导出机构及一选择机构。自该复数个记忆胞中之所有该等记忆胞传感硬比特及软比特。仅选择该等软比特中之某些软比特用于导出。

6. 发明专利

TW201001426A 根據固態記憶體的抹除次數用於校正錯誤之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR ERROR CORRECTION ACCORDING TO ERASE COUNTS OF A SOLID-STATE MEMORY 审中-公开
简体标题：根据固态内存的抹除次数用于校正错误之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR ERROR CORRECTION ACCORDING TO ERASE COUNTS OF A SOLID-STATE MEMORY
公开(公告)号：TW201001426A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098116755
申请日：2009-05-20
申请人：山迪士IL有限公司
发明人：阿爾羅德伊丹 , 沙朗伊蘭 , 雷瑟曼納翰
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1068
摘要：本發明之實施例係關於其中針對固態記憶體之至少一個區塊保持一抹除計數之方法及器件。根據記憶體區塊之相關聯抹除計數在自固態記憶體讀取之資料中校正錯誤。在某些實施例中，根據自其讀取資料之一記憶體區塊之相關聯抹除計數，可實現一個或多個以下錯誤校正作業：(i)選擇一解碼器及/或解碼器模式；(ii)作出一嘗試使用一較輕加權解碼器(模式)及/或較重加權解碼器(模式)及/或較快解碼器(模式)及/或較慢解碼器(模式)校正錯誤之決策；(iii)確定一模式轉變及/或錯誤校正嘗試資源預算；(iv)確定軟位元之一數量；及(v)選擇一解碼匯流排寬度大小。
简体摘要：本发明之实施例系关于其中针对固态内存之至少一个区块保持一抹除计数之方法及器件。根据内存区块之相关联抹除计数在自固态内存读取之数据中校正错误。在某些实施例中，根据自其读取数据之一内存区块之相关联抹除计数，可实现一个或多个以下错误校正作业：(i)选择一译码器及/或译码器模式；(ii)作出一尝试使用一较轻加权译码器(模式)及/或较重加权译码器(模式)及/或较快译码器(模式)及/或较慢译码器(模式)校正错误之决策；(iii)确定一模式转变及/或错误校正尝试资源预算；(iv)确定软比特之一数量；及(v)选择一译码总线宽度大小。

7. 发明专利

TW201250462A 在一非揮發性記憶體中資料儲存之方法 METHOD OF DATA STORAGE IN NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：在一非挥发性内存中数据存储之方法 METHOD OF DATA STORAGE IN NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW201250462A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101106339
申请日：2012-02-24
申请人：山迪士IL有限公司
发明人：阿爾羅德伊丹 , 雪倫艾朗
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F11/1048
摘要：一種儲存與多個資料字中之每一者相關聯之後設資料位元之一集合的方法包括組合後設資料位元之該集合與該多個資料字中之每一者以產生多個經擴展資料字。該方法包括編碼該多個經擴展資料字中之每一者以產生多個碼字,及穿孔該多個碼字中之每一者以產生多個經穿孔碼字,其中在該等經穿孔碼字中之每一者中後設資料位元之該集合經移除。該方法包括:儲存該多個經穿孔碼字;變換後設資料位元之該集合以產生經變換之後設資料位元之一集合;及儲存經變換之後設資料位元之該集合。
简体摘要：一种存储与多个数据字中之每一者相关联之元数据比特之一集合的方法包括组合元数据比特之该集合与该多个数据字中之每一者以产生多个经扩展数据字。该方法包括编码该多个经扩展数据字中之每一者以产生多个码字,及穿孔该多个码字中之每一者以产生多个经穿孔码字,其中在该等经穿孔码字中之每一者中元数据比特之该集合经移除。该方法包括:存储该多个经穿孔码字;变换元数据比特之该集合以产生经变换之元数据比特之一集合;及存储经变换之元数据比特之该集合。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式