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1. 发明公开

CN103429010A 陶瓷散热基板导电插孔的形成方法无效
公开(公告)号：CN103429010A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210167832.3
申请日：2012-05-25
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：曹茂松 , 陈文生 , 叶小彰 , 黄成财 , 杨士贤
IPC分类号： H05K3/42 , H05K3/24
摘要：一种陶瓷散热基板导电插孔的形成方法，其形成步骤包括：基板制备步骤；钻孔步骤；印刷银胶填孔步骤；溅镀步骤；电镀铜步骤；光阻层形成步骤；曝光步骤；显影步骤；蚀刻步骤；光阻层去除步骤；线路成型步骤；镀镍/溅镀步骤；镀银步骤；经过前述形成步骤，可制得具有理想导热效率、低成本及物理性稳定的导电插孔。

2. 发明公开

CN1812004A 具凸出端电极多电路元件晶片的制造方法失效
公开(公告)号：CN1812004A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510002893.4
申请日：2005-01-28
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：曹茂松 , 江财宝
IPC分类号： H01C7/00 , H01L21/00 , H05K13/00
摘要：本发明是一种具凸出端电极多电路元件晶片的制造方法，先形成一覆盖基板上表面、下表面与穿孔内壁面的绝缘层，基板具有多个呈矩阵排列且分别于其上表面间隔并列数条导电区块的基体，两相邻导电区块间的左、右两端设置贯穿基体上、下表面的穿孔，而后纵向分割基板成多个条状体，并于条状体的左、右侧壁面中溅镀形成侧面电极，其后再分割条状体成独立基体，最后电镀基体以于各侧面电极上形成一端电极。本发明可达到可维持两相邻电极间距离的功效，进而可避免串音与短路情况发生，以提升产品的良率。同时，可使得产品更可缩小，以符合产品微小化的趋势。

3. 发明授权

CN100505114C 具凸出端电极多电路元件晶片的制造方法失效
公开(公告)号：CN100505114C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510002893.4
申请日：2005-01-28
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：曹茂松 , 江财宝
IPC分类号： H01C7/00 , H01L21/00 , H05K13/00
摘要：本发明是一种具凸出端电极多电路元件晶片的制造方法，先形成一覆盖基板上表面、下表面与穿孔内壁面的绝缘层，基板具有多个呈矩阵排列且分别于其上表面间隔并列数条导电区块的基体，两相邻导电区块间的左、右两端设置贯穿基体上、下表面的穿孔，而后纵向分割基板成多个条状体，并于条状体的左、右侧壁面中溅镀形成侧面电极，其后再分割条状体成独立基体，最后电镀基体以于各侧面电极上形成一端电极。本发明可达到可维持两相邻电极间距离的功效，进而可避免串音与短路情况发生，以提升产品的良率。同时，可使得产品更可缩小，以符合产品微小化的趋势。

4. 发明公开

CN103429003A 陶瓷金属化散热板的制造方法无效
公开(公告)号：CN103429003A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210168215.5
申请日：2012-05-25
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：江财宝 , 曹茂松
IPC分类号： H05K3/06 , H05K3/24
摘要：一种陶瓷金属化散热板的制造方法，在陶瓷基板表面形成线路之前，经雷射钻孔步骤，在陶瓷基板上形成孔洞；再以垂直连续式溅镀法，在确保陶瓷基板洁净的情况下在其表面形成具有导电作用的导电层铜；再经光阻、曝光、显影等制程形成反向干膜线路；然后以先打底电镀再电镀的方式，镀厚铜线路及填孔；接着，经过水平式去膜线或浸泡式去膜槽去膜，加压水洗、超音波震荡等方式去除光阻；最后，利用磨刷整平、印刷防护及在铜线路镀上金属层的表面改质等步骤，完成陶瓷基板的金属化制程。

5. 实用新型

CN202695550U 发光二极管的陶瓷散热基板结构失效
公开(公告)号：CN202695550U
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201220242778.X
申请日：2012-05-25
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：江财宝 , 曹茂松
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62
摘要：一种发光二极管的陶瓷散热基板结构，是在陶瓷基板上形成多个可用于导电的导电孔洞，沿着导电孔洞的孔壁及基板的上下表面形成一导电基层及一电铸铜层，电铸铜层可填满或不填满导电孔洞；形成于基板上、下表面的电铸铜可作为线路，电铸铜于完成线路成型后，其表面再被覆表面改质层，表面改质层的上方可提供LED晶粒载置，LED晶粒的外围可根据需要设置挡墙，挡墙以点胶、电铸、防焊与贴环等工艺成型，以便达到多功陶瓷散热基板的目的。

6. 实用新型

CN202205728U 电子组件之抗硫化构造失效
公开(公告)号：CN202205728U
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201120231173.6
申请日：2011-06-30
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：江财宝 , 曹茂松
IPC分类号： H01L23/12
摘要：一种电子组件之抗硫化构造，系于一基板的底面两端分别设有背面电极，基板的上方两端分别被覆一导电层，于两导电层之间设有一功能组件，该功能组件的上方被覆第一保护层；复于两导电层的局部表面上方各设置一抗硫层，以及，设有可将功能组件和局部抗硫层覆盖之第二保护层；藉此构成强化电子组件之抗硫作用。

7. 发明专利

TW200626037A 具凸出端電極多電路元件晶片之製造方法失效
简体标题：具凸出端电极多电路组件芯片之制造方法
公开(公告)号：TW200626037A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094100739
申请日：2005-01-11
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：曹茂松 , 江財寶
IPC分类号： H05K
摘要：一種具凸出端電極多電路元件晶片之製造方法，先形成一覆蓋基板之上表面、下表面與穿孔內壁面之絕緣層，此基板具有多數個呈矩陣排列且分別於其上表面間隔並列數條導電區塊之基體，兩相鄰導電區塊間的左、右兩端設置貫穿基體上、下表面之穿孔，而後縱向分割基板成數個條狀體，並於條狀體之左、右側壁面中濺鍍形成側面電極，其後再分割條狀體成獨立基體，最後電鍍基體以於各側面電極上形成一端電極。
简体摘要：一种具凸出端电极多电路组件芯片之制造方法，先形成一覆盖基板之上表面、下表面与穿孔内壁面之绝缘层，此基板具有多数个呈矩阵排列且分别于其上表面间隔并列数条导电区块之基体，两相邻导电区块间的左、右两端设置贯穿基体上、下表面之穿孔，而后纵向分割基板成数个条状体，并于条状体之左、右侧壁面中溅镀形成侧面电极，其后再分割条状体成独立基体，最后电镀基体以于各侧面电极上形成一端电极。

8. 发明专利

TWI354532B 陶瓷金屬化散熱板之製造方法有权
简体标题：陶瓷金属化散热板之制造方法
公开(公告)号：TWI354532B
公开(公告)日：2011-12-11
申请号：TW099137720
申请日：2010-11-03
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：江財寶 , 曹茂松
IPC分类号： H05K
摘要：一種陶瓷金屬化散熱板之製造方法，係在陶瓷基板表面形成線路之前，經由雷射鑽孔步驟，於陶瓷基板上形成孔洞；再以垂直連續式濺鍍法，在確保陶瓷基板潔淨下於其表面形成具導電作用之導電層銅；再經光阻、曝光、顯影等製程形成反向乾膜線路；然後以先打底電鍍再電鍍的方式，鍍厚銅線路及填孔；接著，藉由水平式去膜線或浸泡式去膜槽去膜，加壓水洗、超音波震盪等方式去除光阻；最後，利用磨刷整平、印刷防護及於銅線路鍍上金屬層的表面改質等步驟，完成陶瓷基板之金屬化製程者。
简体摘要：一种陶瓷金属化散热板之制造方法，系在陶瓷基板表面形成线路之前，经由激光钻孔步骤，于陶瓷基板上形成孔洞；再以垂直连续式溅镀法，在确保陶瓷基板洁净下于其表面形成具导电作用之导电层铜；再经光阻、曝光、显影等制程形成反向干膜线路；然后以先打底电镀再电镀的方式，镀厚铜线路及填孔；接着，借由水平式去膜线或浸泡式去膜槽去膜，加压水洗、超音波震荡等方式去除光阻；最后，利用磨刷整平、印刷防护及于铜线路镀上金属层的表面改质等步骤，完成陶瓷基板之金属化制程者。

9. 实用新型

TWM414802U 電子元件之緩衝保護構造有权
简体标题：电子组件之缓冲保护构造
公开(公告)号：TWM414802U
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：TW100210336
申请日：2011-06-08
申请人：大毅科技股份有限公司
发明人：江財寶 , 曹茂松
IPC分类号： H05K
摘要：一種電子元件之緩衝保護構造，係於一基板的底面兩端分別設有背電極，基板上方兩端分別被覆一導電層，於兩導電層間的基板上方表面被覆一高度略低的第一緩衝層，第一緩衝層的上方形成一電子功能元件，該電子功能元件並連接至兩側導電層的局部上方，電子功能元件的上方表面再被覆一第二緩衝層，以及，設有一包覆電子功能元件的外部且和第二緩衝層之間保留有預定緩衝空間之保護罩，藉此強化電子元件之保護作用者。
简体摘要：一种电子组件之缓冲保护构造，系于一基板的底面两端分别设有背电极，基板上方两端分别被覆一导电层，于两导电层间的基板上方表面被覆一高度略低的第一缓冲层，第一缓冲层的上方形成一电子功能组件，该电子功能组件并连接至两侧导电层的局部上方，电子功能组件的上方表面再被覆一第二缓冲层，以及，设有一包复电子功能组件的外部且和第二缓冲层之间保留有预定缓冲空间之保护罩，借此强化电子组件之保护作用者。

10. 发明专利

TWI447746B 電流感測元件之製造方法有权
简体标题：电流传感组件之制造方法
公开(公告)号：TWI447746B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW101116993
申请日：2012-05-11
申请人：大毅科技股份有限公司 , TA-I TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：李俊諺 , LI, CHUN YEN , 曹茂松 , TSAO, MAO SUNG , 楊庭蓁 , YANG, TING CHEN
IPC分类号： H01C17/24

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