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1. 发明专利

TWI486998B 場發射陰極及其場發射照明燈具有权
简体标题：场发射阴极及其场发射照明灯具
公开(公告)号：TWI486998B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102125202
申请日：2013-07-15
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：劉益銘 , LIU, YIH MING , 游孟潔 , YOUH, MENG JEY , 蒲念文 , PU, NEN WEN , 葛明德 , GER, MING DER , 鄭凱文 , CHENG, KEVIN , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 江智程 , JIANG, JHIH CHENG , 徐冠芳 , XU, GUAN FANG
IPC分类号： H01J63/06 , H05B33/10

2. 实用新型

TWM448782U 場發射陰極元件及其場發射燈源有权
简体标题：场发射阴极组件及其场发射灯源
公开(公告)号：TWM448782U
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW101216188
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：葛明德 , GER, MING DER , 蒲念文 , PU, NEN WEN , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 黃文科 , HUANG, WEN KO
IPC分类号： H01J1/00

3. 发明专利

TWI438919B 薄膜太陽能電池模組之製造方法有权
简体标题：薄膜太阳能电池模块之制造方法
公开(公告)号：TWI438919B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100108638
申请日：2011-03-15
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：蒲念文 , PU, NEN WEN , 徐少皇 , SYU, SHAO HUANG , 葛明德 , GER, MING DER , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 宋鈺 , SUNG, YUH
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521

4. 发明专利

TW201410072A 場發射陽極及其製造方法审中-公开
简体标题：场发射阳极及其制造方法
公开(公告)号：TW201410072A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101130553
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：蒲念文 , PU, NEN WEN , 葛明德 , GER, MING DER , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 張嘉麟 , CHANG, CHIA LIN , 黃俊文 , HUANG, JIUN WEN
IPC分类号： H05B33/26 , H05B33/10
摘要：本發明係揭露一種場發射陽極及其製造方法。場發射陽極包含一陽極基板、一螢光層及一奈米導電物質層；奈米導電物質層由奈米導電物質所構成，可為膨脹石墨、石墨烯、奈米石墨薄片等或奈米氧化鋅、奈米氧化錫等。本發明更揭露前述的場發射陽極的製造方法，於陽極基板表面先塗佈一螢光層漿料，經烘乾後成為螢光層；再塗佈一奈米導電層漿料，經烘乾後形成奈米導電物質層，以構成該場發射陽極。藉由在螢光層上塗佈奈米導電物質可增加場發射陽極之導電性，以防止電子電荷堆積於螢光層所造成的螢光層老化，並延長場發射陽極之壽命。
简体摘要：本发明系揭露一种场发射阳极及其制造方法。场发射阳极包含一阳极基板、一萤光层及一奈米导电物质层；奈米导电物质层由奈米导电物质所构成，可为膨胀石墨、石墨烯、奈米石墨薄片等或奈米氧化锌、奈米氧化锡等。本发明更揭露前述的场发射阳极的制造方法，于阳极基板表面先涂布一萤光层浆料，经烘干后成为萤光层；再涂布一奈米导电层浆料，经烘干后形成奈米导电物质层，以构成该场发射阳极。借由在萤光层上涂布奈米导电物质可增加场发射阳极之导电性，以防止电子电荷堆积于萤光层所造成的萤光层老化，并延长场发射阳极之寿命。

5. 发明专利

TW201408591A 螺旋奈米碳材製備方法、其螺旋奈米碳材層基板及其螺旋奈米碳材审中-公开
简体标题：螺旋奈米碳材制备方法、其螺旋奈米碳材层基板及其螺旋奈米碳材
公开(公告)号：TW201408591A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101130501
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：劉益銘 , LIU, YIH MING , 葛明德 , GER, MING DER , 蒲念文 , PU, NEN WEN , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 林明憲 , LIN, MING HSIEN
IPC分类号： C01B31/02 , B82Y30/00
CPC分类号： C01B31/0293 , C01B32/18 , Y10T428/25
摘要：本發明係揭露一種螺旋奈米碳材製備方法、其螺旋奈米碳材層基板及其螺旋奈米碳材。此螺旋奈米碳材製備方法包含下列步驟：首先，於一基板上附著一貴金屬觸媒晶核所形成的貴金屬觸媒晶核層，使用熱裂解氣相沈積法通入碳源氣體使其裂解後在基板成長一複合奈米碳材；其中複合奈米碳材至少包含有螺旋奈米碳管與螺旋奈米碳纖維之混合物，而螺旋奈米碳管與螺旋奈米碳纖維佔全部複合奈米碳材之計量數量分率至少30%。經刮除該基板上之複合奈米碳材，可獲得高純度的螺旋奈米碳材，可用於電子場發射或吸收電磁波的材料上。
简体摘要：本发明系揭露一种螺旋奈米碳材制备方法、其螺旋奈米碳材层基板及其螺旋奈米碳材。此螺旋奈米碳材制备方法包含下列步骤：首先，于一基板上附着一贵金属触媒晶核所形成的贵金属触媒晶核层，使用热裂解气相沉积法通入碳源气体使其裂解后在基板成长一复合奈米碳材；其中复合奈米碳材至少包含有螺旋奈米碳管与螺旋奈米碳纤维之混合物，而螺旋奈米碳管与螺旋奈米碳纤维占全部复合奈米碳材之计量数量分率至少30%。经刮除该基板上之复合奈米碳材，可获得高纯度的螺旋奈米碳材，可用于电子场发射或吸收电磁波的材料上。

6. 发明专利

TWI493595B 場發射照明燈具維持高真空度方法及其裝置有权
简体标题：场发射照明灯具维持高真空度方法及其设备
公开(公告)号：TWI493595B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW102125564
申请日：2013-07-17
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：蒲念文 , PU, NEN WEN , 游孟潔 , YOUH, MENG JEY , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 葛明德 , GER, MING DER , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 吳思辰 , WU, SZU CHEN , 洪揚恆 , HUNG, YANG HENG
IPC分类号： H01J61/24

7. 实用新型

TWM448783U 場發射陽極元件及其場發射燈源有权
简体标题：场发射阳极组件及其场发射灯源
公开(公告)号：TWM448783U
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW101216139
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：蒲念文 , PU, NEN WEN , 葛明德 , GER, MING DER , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 張嘉麟 , CHANG, CHIA LIN , 黃俊文 , HUANG, JIUN WEN
IPC分类号： H01J1/70

8. 发明专利

TWI492669B 場發射陽極及其製造方法有权
简体标题：场发射阳极及其制造方法
公开(公告)号：TWI492669B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101130553
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：蒲念文 , PU, NEN WEN , 葛明德 , GER, MING DER , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 張嘉麟 , CHANG, CHIA LIN , 黃俊文 , HUANG, JIUN WEN
IPC分类号： H05B33/26 , H05B33/10

9. 发明专利

TWI482192B 場發射陰極元件之製造方法、其場發射陰極元件及其場發射發光燈源有权
简体标题：场发射阴极组件之制造方法、其场发射阴极组件及其场发射发光灯源
公开(公告)号：TWI482192B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101130516
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：葛明德 , GER, MING DER , 蒲念文 , PU, NEN WEN , 劉益銘 , LIU, YIH MING , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU
IPC分类号： H01J1/304 , H01J63/02 , C23C16/26
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , Y10S977/939

10. 发明专利

TWI483896B 螺旋奈米碳材製備方法、其螺旋奈米碳材層基板及其螺旋奈米碳材有权
简体标题：螺旋奈米碳材制备方法、其螺旋奈米碳材层基板及其螺旋奈米碳材
公开(公告)号：TWI483896B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW101130501
申请日：2012-08-22
申请人：國防大學 , NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
发明人：劉益銘 , LIU, YIH MING , 葛明德 , GER, MING DER , 蒲念文 , PU, NEN WEN , 鍾坤儒 , CHUNG, KUN JU , 林明憲 , LIN, MING HSIEN
IPC分类号： C01B31/02 , B82Y30/00
CPC分类号： C01B31/0293 , C01B32/18 , Y10T428/25

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