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    • 1. 发明专利
    • 場發射陽極及其製造方法
    • 场发射阳极及其制造方法
    • TW201410072A
    • 2014-03-01
    • TW101130553
    • 2012-08-22
    • 國防大學NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY
    • 蒲念文PU, NEN WEN葛明德GER, MING DER劉益銘LIU, YIH MING張嘉麟CHANG, CHIA LIN黃俊文HUANG, JIUN WEN
    • H05B33/26H05B33/10
    • 本發明係揭露一種場發射陽極及其製造方法。場發射陽極包含一陽極基板、一螢光層及一奈米導電物質層;奈米導電物質層由奈米導電物質所構成,可為膨脹石墨、石墨烯、奈米石墨薄片等或奈米氧化鋅、奈米氧化錫等。本發明更揭露前述的場發射陽極的製造方法,於陽極基板表面先塗佈一螢光層漿料,經烘乾後成為螢光層;再塗佈一奈米導電層漿料,經烘乾後形成奈米導電物質層,以構成該場發射陽極。藉由在螢光層上塗佈奈米導電物質可增加場發射陽極之導電性,以防止電子電荷堆積於螢光層所造成的螢光層老化,並延長場發射陽極之壽命。
    • 本发明系揭露一种场发射阳极及其制造方法。场发射阳极包含一阳极基板、一萤光层及一奈米导电物质层;奈米导电物质层由奈米导电物质所构成,可为膨胀石墨、石墨烯、奈米石墨薄片等或奈米氧化锌、奈米氧化锡等。本发明更揭露前述的场发射阳极的制造方法,于阳极基板表面先涂布一萤光层浆料,经烘干后成为萤光层;再涂布一奈米导电层浆料,经烘干后形成奈米导电物质层,以构成该场发射阳极。借由在萤光层上涂布奈米导电物质可增加场发射阳极之导电性,以防止电子电荷堆积于萤光层所造成的萤光层老化,并延长场发射阳极之寿命。