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1. 发明专利

JP5725735B2 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ有权
标题翻译：磁阻元件和磁存储器
公开(公告)号：JP5725735B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2010129086
申请日：2010-06-04
申请人：株式会社日立製作所 , 国立大学法人東北大学
发明人：大野英男 , 池田正二 , 松倉文▲礼▼ , 遠藤将起 , 金井駿 , 山本浩之 , 三浦勝哉
IPC分类号： H01L43/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/31 , G01R33/098 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/228 , Y10T428/1114

2. 发明专利

JP5777124B2 磁気抵抗効果素子、磁性膜、及び、磁性膜の製造方法有权
标题翻译：磁阻元件，磁膜和磁性膜的制造方法
公开(公告)号：JP5777124B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2014125474
申请日：2014-06-18
申请人：国立大学法人東北大学 , 株式会社日立製作所
发明人：大野英男 , 池田正二 , 松倉文▲礼▼ , 遠藤将起 , 金井駿 , 三浦勝哉 , 山本浩之
IPC分类号： H01L43/10 , H01L43/12 , H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01F10/32 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228

3. 发明专利

JPWO2018020730A1 磁気トンネル接合素子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018020730A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017011040
申请日：2017-03-17
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：本庄弘明 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/06 , H01L43/12
摘要：よりTMR比が高く、成膜時に記録層および固定層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子およびその製造方法を提供するために、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して構成、または、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および非磁性体から成る挿入層を第1および第2の強磁性層で挟んで成る記録層を積層して構成、あるいは、前記積層順とは逆順で積層して構成する磁気トンネル接合素子を製造するに際し、磁気結合層および挿入層を、当該磁気結合層および当該挿入層に用いる元素の質量数を自らの質量数で割り算した比の値が2.2以下であるスパッタリングガスを使って成膜する。

4. 发明专利

JP6304697B2 磁気メモリ素子および磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP6304697B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2016156027
申请日：2016-08-08
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 杉林直彦 , 大野英男 , 池田正二 , 山ノ内路彦
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08

5. 发明专利

JP6288643B2 不揮発性ラッチ回路有权
公开(公告)号：JP6288643B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2014058889
申请日：2014-03-20
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 鈴木大輔 , 大野英男 , 遠藤哲郎 , 夏井雅典 , 望月明 , 木下啓蔵 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 深見俊輔
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C14/0081

6. 发明专利

JP2016197754A 磁気メモリ素子および磁気メモリ有权
标题翻译：磁记忆元件和磁记忆
公开(公告)号：JP2016197754A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016156027
申请日：2016-08-08
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 杉林直彦 , 大野英男 , 池田正二 , 山ノ内路彦
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：【課題】書き込み特性と読み出し特性の独立した設計が可能で、プロセス数の増大とプロセスマージンの低下とセル面積の増大が生じない磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】磁気メモリ素子は、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層10と、磁化自由層10と対向し、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層20と、磁化自由層10に対向して応答層20とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層30と、非磁性層30に対向して応答層20とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層40とを具備し、磁化自由層10は、磁化が互いに反平行に固定された第1磁化固定領域および第2磁化固定領域と、磁化方向が可変な磁化自由領域を具備する。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够彼此独立地设计写入特性和读取特性的磁记录元件，并且其中处理次数的增加，处理余量的减小和单元区域的增加磁存储元件包括：由具有垂直磁各向异性的铁磁物质形成的无磁化层10; 响应层20被设置为与无磁化层10相对并由具有垂直磁各向异性的铁磁物质形成; 非磁性层30，设置成与非磁性物质形成的与响应层20相反的一侧与无磁化层10相对; 以及在与响应层20相反的一侧与非磁性层30相对设置并由具有垂直磁各向异性的铁磁物质形成的参考层40。无磁化层10包括：第一磁化固定区域和第二磁化固定区域，其具有在相反方向上固定的磁化强度; 和磁化方向可变的无磁化区域。图1A

7. 发明专利

JPWO2020045655A1 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020045655A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2019034229
申请日：2019-08-30
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：西岡浩一 , 遠藤哲郎 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 本庄弘明
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/02 , H01F10/32 , H01L21/8239
摘要：四重界面を備える磁気抵抗効果素子において、抵抗面積積RAが小さく、磁気抵抗比が大きく、かつ、実効磁気異方性エネルギー密度K eff t * も大きい磁気抵抗効果素子を提供する。磁気抵抗効果素子は、第1の参照層(B1)と第1の接合層(11)と第1の分割記録層(2)と第2の接合層(12)と第2の分割記録層(3)と第3の接合層(13)とを備え、前記第1の分割記録層(2)は高い磁気抵抗比(MR比)を有する構成であり、前記第2の分割記録層(3)は高い実効磁気異方性エネルギー密度(K eff t)を有する構成である。

8. 发明专利

JPWO2019203132A1 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置並びに磁気メモリ装置の書き込み及び読み出し方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019203132A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019015858
申请日：2019-04-11
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：齋藤好昭 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 遠藤哲郎
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , G11C11/16 , G11C11/18 , H01L21/8239
摘要：接合部のアスペクト比を小さくできる磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置並びに磁気メモリ装置の書き込み及び読み出し方法を提供する。本発明の磁気抵抗効果素子1は、エピタキシャル層である重金属層2と、エピタキシャル層であり、面内方向に磁化したエピタキシャル層の強磁性層を含み、重金属層2上に設けられた記録層31と、記録層31上に設けられ、絶縁体で構成された障壁層32と、障壁層32上に設けられ、磁化が面内方向に固定された参照層33とを有する接合部3とを備え、重金属層2に書き込み電流を流すことにより、記録層31が磁化反転をする。

9. 发明专利

JPWO2019159962A1 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019159962A1
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019005091
申请日：2019-02-13
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：齋藤好昭 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 遠藤哲郎
IPC分类号： H01L43/10 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/14 , H01F10/26 , H01L29/82
摘要：外部磁場が不要な垂直磁化タイプの3端子型SOT−MRAMを提供する。第1磁性層(3)/非磁性スペーサー層(4)/記録層(A1)を順に配置し、チャネル層(C)に第1磁性層(3)及び非磁性スペーサー層(4)備えた磁気抵抗効果素子。

10. 发明专利

JP2020174141A 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2020174141A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2019075644
申请日：2019-04-11
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：本庄弘明 , 遠藤哲郎 , 佐藤英夫 , 池田正二
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要：【課題】磁性層を3段以上有する参照層を備え、参照層の磁化が反転する電流と記録層の書き込み電流Icの間のマージンを広く取れる素子構成により書き込みエラー率を低減させ、かつ、参照層からの漏れ磁界の影響をより少なくすることにより熱安定性指数Δを向上させた、磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、第1の記録層A1と、第1の非磁性層11と、第1の参照層B1を備える。第1の参照層B1は、n個の複数の磁性層21、22、・・・2nと、複数の磁性層のそれぞれの間に隣接して挟まれた(n−1)個の複数の非磁性挿入層31、32、・・・3(n−1)を含み、n≧3である。【選択図】図1

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