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1. 发明专利

JPWO2017086481A1 磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017086481A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2016084372
申请日：2016-11-18
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：佐藤英夫 , 堀川喜久 , 深見俊輔 , 池田正二 , 松倉文▲礼▼ , 大野英男 , 遠藤哲郎 , 本庄弘明
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/10 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：磁気トンネル接合素子(10)は、強磁性体から構成される参照層(14)と、Oを含む障壁層(15)と、Co又はFeを含む強磁性体から構成される記録層(16)と、Oを含む第1の保護層(17)と、Pt、Ru、Co、Fe、CoB、FeB又はCoFeBの少なくとも1つを含む第2の保護層(18)と、が積層された構成を有する。

2. 发明专利

JPWO2016159017A1 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置、製造方法、動作方法、及び集積回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016159017A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2017510061
申请日：2016-03-29
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 大野英男 , 遠藤哲郎
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01L27/105 , H01L27/226 , H01L29/82 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：磁気抵抗効果素子(100)は、反強磁性体を含み、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層(11)と、強磁性体から構成され、バイアス層(11)に隣接して設けられる記録層(12)と、絶縁体から構成され、記録層(12)の上に形成された障壁層(13)と、強磁性体から構成され、障壁層(13)上に形成された参照層(14)と、を備える。参照層(14)の磁化の方向は実質的に固定されており、記録層(12)の磁化の方向は反転可能である。

3. 发明专利

JP6090800B2 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP6090800B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2014510103
申请日：2013-03-25
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：佐藤英夫 , 深見俊輔 , 山ノ内路彦 , 池田正二 , 松倉文▲礼▼ , 大野英男
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3286 , H01L27/228 , H01L43/08 , G11C11/16 , H01F10/329

4. 发明专利

JP6778866B2 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置、製造方法、動作方法、及び集積回路有权
公开(公告)号：JP6778866B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2017510061
申请日：2016-03-29
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 大野英男 , 遠藤哲郎
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82

5. 发明专利

JP6414984B2 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6414984B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2015511198
申请日：2014-03-19
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：本庄弘明 , 深見俊輔 , 木下啓蔵 , 大野英男
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12

6. 发明专利

JP6414754B2 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ审中-公开
公开(公告)号：JP6414754B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2015546565
申请日：2014-09-30
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 山ノ内路彦 , 大野英男
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L23/528 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10

7. 发明专利

JP6168578B2 磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置有权
公开(公告)号：JP6168578B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2016540177
申请日：2015-07-29
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 張超亮 , 姉川哲朗 , 大野英男 , 遠藤哲郎
IPC分类号： H01L43/10 , H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/10

8. 发明专利

JP6029020B2 磁気メモリ素子および磁気メモリ有权
标题翻译：一种磁存储器元件和磁存储器
公开(公告)号：JP6029020B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013516265
申请日：2012-04-19
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 杉林直彦 , 大野英男 , 池田正二 , 山ノ内路彦
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/82 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08

9. 发明专利

JP2015185181A 不揮発性ラッチ回路有权
标题翻译：非挥发性电路
公开(公告)号：JP2015185181A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014058889
申请日：2014-03-20
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：羽生貴弘 , 鈴木大輔 , 大野英男 , 遠藤哲郎 , 夏井雅典 , 望月明 , 木下啓蔵 , 池田正二 , 佐藤英夫 , 深見俊輔
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L29/82 , G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C14/0081
摘要：【課題】抵抗変化型の記憶素子を使用した不揮発性ラッチ回路の専有面積を小さくする。【解決手段】不揮発性ラッチ回路100は、MTJ素子11、13にデータを記憶するメモリセル10と、複数のメモリセル10のMTJ素子11、13の一端に共通に接続された共有書き込み制御トランジスタ20と、複数のメモリセル10のMTJ素子11、13の一端に共通に接続された共有読み出し制御トランジスタ30と、を有する。共有書き込み制御トランジスタ20は、書き込み制御信号に応答してオンすることにより、MTJ素子11、13に書き込み電流を流す。共有読み出し制御トランジスタ30は、読み出し制御信号に応答してオンすることにより、MTJ素子11、13に読み出し電流を流す。共有書き込み制御トランジスタ20と共有読み出し制御トランジスタ30とは相補的にオンする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使用电阻变化存储元件减少由非易失性锁存电路占据的面积。解决方案：非易失性锁存电路100包括：存储单元10，其存储MTJ元件11,13中的数据; 共同写入控制晶体管20共同连接到多个存储单元10的MTJ元件11,13的一端; 以及共同读取控制晶体管30，其共同连接到多个存储单元10的MTJ元件11,13的一端。共享写入控制晶体管20使写入电流通过MTJ元件11,13通过导通对写入控制信号的响应。共享读取控制晶体管30响应于读取控制信号而使读取电流流过MTJ元件11,13。共享写入控制晶体管20和共享读取控制晶体管30互补地导通。

10. 发明专利

JP6948706B2 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP6948706B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2017528725
申请日：2016-07-14
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：佐藤英夫 , 池田正二 , マティアスベルスワイラー , 本庄弘明 , 渡部杏太 , 深見俊輔 , 松倉文▲礼▼ , 伊藤顕知 , 丹羽正昭 , 遠藤哲郎 , 大野英男
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/8239

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