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1. 发明专利

JP2017116744A 光多重素子、および、光多重素子製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017116744A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015252378
申请日：2015-12-24
申请人：国立大学法人東京工業大学 , Tokyo Institute Of Technology , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
发明人： AMEMIYA TOMOHIRO , ARAI SHIGEHISA , SAKAKIBARA YOICHI , YOSHIDA TOMOYA
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/125 , G02B6/126 , G02B6/134 , G02B6/136 , G02B6/30 , G02B6/42
摘要：【課題】光渦多重によって光伝送容量を増大させた光多重素子を提供する。【解決手段】波長、偏波、および光渦を利用した多重化を行う光多重素子E1であって、複数の導波路2と、波長、偏波、および位相の組み合わせが異なる光波を導波路2の端部の各々から出力し、出力される光波を用いて光渦を生成する光渦生成部1と、を備える。また、光多重素子E1は、固有の波長、固有の偏波、および固有のOAM(Orbital Angular Momentum)を有する光波の送受信を行う複数の送受信部4と、複数の送受信部4の各々から入力される光波を分岐し、分岐した光波の各々の間で位相差を作り出して、分岐した光波の各々を導波路2の各々に出力する位相差生成部3と、をさらに備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2013165152A Plasmon thin film laser 审中-公开
标题翻译： PLASMON薄膜激光
公开(公告)号：JP2013165152A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012027114
申请日：2012-02-10
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , 日本電信電話株式会社 , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , OHASHI HIROMI , ISHII HIROYUKI , MOTAI HIROYASU , SHIBATA YASUO , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA , AMEMIYA TOMOHIRO , OKUMURA TADATSUGU
IPC分类号： H01S5/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low threshold and downsized lateral current injection type thin film laser for aiming at realizing on-chip optical wiring.SOLUTION: The thin film semiconductor laser is provided with a fine metal resonator array 7 in a SiO1 and allows for confining TE mode light by surface plasmon by changing dielectric constant and permeability of a metamaterial structure 8 made of a fine metal resonator array 7, and realizes a low threshold and downsized laser by the intense light confinement.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低阈值和小尺寸的横向电流注入型薄膜激光器，以实现片上光布线。解决方案：薄膜半导体激光器在SiO1中设置有细金属谐振器阵列7，并允许通过改变由细金属谐振器阵列7制成的超材料结构8的介电常数和导磁率，通过表面等离子体激元限制TE模式光，并且通过强光限制实现低阈值和小型化的激光。

3. 发明专利

JP2012186419A Optical power monitor integrated dfb laser 有权
标题翻译：光功率监视器集成DFB激光
公开(公告)号：JP2012186419A
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011050063
申请日：2011-03-08
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 日本電信電話株式会社
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , SHIBATA YASUO , OHASHI HIROMI , ISHII HIROYUKI , MOTAI HIROYASU , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA , SHINDO TAKAHIKO
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/026
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical power monitor integrated DFB laser which has a function as an optical power monitor while keeping high reflectivity.SOLUTION: In the semiconductor laser in which a distribution Bragg reflection region is integrated, an active layer of a waveguide of the semiconductor laser has a thin line structure, and the output of the semiconductor laser is monitored by an absorption current in the distribution Bragg reflection region.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有作为光功率监视器的功能的光功率监视器集成DFB激光器，同时保持高反射率。解决方案：在其中集成分布布拉格反射区域的半导体激光器中，半导体激光器的波导的有源层具有细线结构，并且通过吸收电流来监视半导体激光器的输出分布布拉格反射区域。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012186418A Active layer discrete type phase shift dfb laser 审中-公开
标题翻译：主动层离散型相移DFB激光
公开(公告)号：JP2012186418A
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011050062
申请日：2011-03-08
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 日本電信電話株式会社
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , SHIBATA YASUO , OHASHI HIROMI , ISHII HIROYUKI , MOTAI HIROYASU , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA , LEE SEUNG-HOON
IPC分类号： H01S5/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active layer discrete type phase shift DFB laser with particularly high forward optical output and high single mode characteristic, among small DFB lasers with low power consumption.SOLUTION: The active layer discrete type phase shift DFB laser includes a non-continuously discrete active layer with a quantum well active layer etched at regular intervals. A part of a DFB resonator formed by the active layer is provided with a phase shift of λ/10 to λ/4 inclusive in shift amount.
摘要翻译：要解决的问题：在具有低功耗的小型DFB激光器中，提供具有特别高的正向光输出和高单模特性的有源层离散型相移DFB激光器。解决方案：有源层离散型相移DFB激光器包括具有以规则间隔蚀刻的量子阱活性层的非连续离散有源层。由有源层形成的DFB谐振器的一部分以移位量设置为λ/ 10〜λ/ 4的相移。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2013165095A Semiconductor thin film laser 审中-公开
标题翻译：半导体薄膜激光器
公开(公告)号：JP2013165095A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012025978
申请日：2012-02-09
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , 日本電信電話株式会社 , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , ISHII HIROYUKI , MOTAI HIROYASU , SHIBATA YASUO , OHASHI HIROMI , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA , ATSUMI YUKI
IPC分类号： H01S5/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor thin film laser having reduced wavelength and temperature dependence, which can extract an accurate wavelength signal in wavelength multiplex communication without causing shift of signal light to an adjacent channel even when a temperature changes.SOLUTION: In a semiconductor thin film laser, a BCB resin layer 30 which has negative refraction factor and temperature dependence is sandwiched in a substrate stacking direction by an Si waveguide 20 which has a higher refraction factor in comparison with the BCB resin layer 30 and has positive refraction factor and temperature dependence, and an InP semiconductor layer 40 which has a GaInAsP quantum well 43.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有降低的波长和温度依赖性的半导体薄膜激光器，其可以在波长多路通信中提取准确的波长信号，而不会导致信号光到相邻通道的移动，即使当温度改变时。解决方案：在半导体薄膜激光器，具有负折射系数和温度依赖性的BCB树脂层30通过与BCB树脂层30相比具有较高折射系数的Si波导管20夹在基板堆叠方向上并具有正折射率，温度依赖性和具有GaInAsP量子阱43的InP半导体层40。

6. 发明专利

JP2011066175A Semiconductor laser 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2011066175A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2009215168
申请日：2009-09-17
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 日本電信電話株式会社
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , OHASHI HIROMI , SUGO MITSURU , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA
IPC分类号： H01S5/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser having stable single mode performance and capable of obtaining high power. SOLUTION: The semiconductor laser has an InP substrate 2 and an SCH deformed MQW active layer 3 provided on the InP substrate 2, wherein an isolated groove 11 is formed by removing part of the SCH deformed MQW active layer 3 and a material 12 different from an MQW25 of the SCH deformed MQW active layer 3 is embedded in the isolated groove 11. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有稳定的单模性能并能够获得高功率的半导体激光器。解决方案：半导体激光器具有设置在InP衬底2上的InP衬底2和SCH变形的MQW有源层3，其中通过去除部分SCH变形的MQW有源层3和材料12形成隔离沟槽11 不同于SCH变形MQW有源层3的MQW25嵌入在隔离槽11中。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2011066174A Optical integrated element 审中-公开
标题翻译：光学综合元件
公开(公告)号：JP2011066174A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2009215167
申请日：2009-09-17
申请人： Nippon Telegr & Teleph Corp , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 日本電信電話株式会社
发明人： KAMIOKA HIROYUKI , OHASHI HIROMI , SUGO MITSURU , NISHIYAMA NOBUHIKO , ARAI SHIGEHISA , LEE SEUNG-HOON
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical integrated element such as an integrated DFB laser in which a DFB laser element and an optical element are integrated, having a structure capable of reducing internal reflection generated between elements without using a new manufacturing step of an inclined waveguide or the like.
SOLUTION: For example, the integrated DFB laser (optical integrated element) in which a DFB laser element 101 having a diffraction grating and an optical element 102 having a waveguide guiding layer 106 are integrated has a structure in which a refractive index shifting region 107 consisting of constituents 131, 132 each having an optical path length of a sub-wavelength or a wavelength equivalent to the sub-wavelength is installed between a diffraction grating 103 of the DFB laser element 101 and the waveguide guiding layer 106 of the optical element 102.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供集成DFB激光元件和光学元件的集成DFB激光器的光学集成元件，具有能够减少元件之间产生的内部反射的结构，而不使用新的制造步骤的倾斜波导等。解决方案：例如，其中具有衍射光栅的DFB激光元件101和具有波导引导层106的光学元件102集成的集成DFB激光器（光学集成元件）具有折射率偏移在DFB激光元件101的衍射光栅103和光学器件的波导引导层106之间，安装由具有亚波长或与亚波长相当的波长的光路长度的构成要素131,132构成的区域107。元素102.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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