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1. 发明专利

TWI470808B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI470808B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100149292
申请日：2011-12-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：杜振源 , TU, CHEN YUAN , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/43 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/786 , H01L29/7869

2. 发明专利

TW201327834A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201327834A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149292
申请日：2011-12-28
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：杜振源 , TU, CHEN YUAN , 高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 吳淑芬 , WU, SHU FENG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/43 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/786 , H01L29/7869
摘要：一種半導體元件及其製作方法，其中半導體元件包括一閘極、一通道層、一閘絕緣層、一源極、一汲極以及一矽鋁氧化物層。閘極配置於基板上。通道層配置於基板上，且與閘極重疊設置。閘極絕緣層位於閘極與通道層之間。源極以及汲極設置於通道層二側。矽鋁氧化物層配置於基板上並覆蓋源極、汲極以及通道層。
简体摘要：一种半导体组件及其制作方法，其中半导体组件包括一闸极、一信道层、一闸绝缘层、一源极、一汲极以及一硅铝氧化物层。闸极配置于基板上。信道层配置于基板上，且与闸极重叠设置。闸极绝缘层位于闸极与信道层之间。源极以及汲极设置于信道层二侧。硅铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、汲极以及信道层。

3. 发明专利

TWI669559B 金屬結構及其製作方法與應用之顯示面板有权
简体标题：金属结构及其制作方法与应用之显示皮肤
公开(公告)号：TWI669559B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107103680
申请日：2018-02-01
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：王碩宏 , WANG, SHUO HONG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 吳佳聰 , WU, CHIA TSUNG , 郭吉庭 , KUO, CHI TING , 李格睿 , LEE, KO JUI , 李家宏 , LI, CHIA HUNG , 張家銘 , CHANG, CHIA MING
IPC分类号： G02F1/136

4. 发明专利

TWI539582B 顯示面板及其製作方法有权
简体标题：显示皮肤及其制作方法
公开(公告)号：TWI539582B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103110319
申请日：2014-03-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：葉昭緯 , YEH, CHAO WEI , 丁天倫 , TING, TIEN LUN , 杜振源 , TU, CHEN YUAN , 張家銘 , CHANG, CHIA MING , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 徐文浩 , HSU, WEN HAO , 蘇振嘉 , SU, JENN JIA
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/133

5. 发明专利

TWI489560B 畫素結構及其製作方法有权
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI489560B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100143135
申请日：2011-11-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78603

6. 发明专利

TW201351660A 主動元件、驅動電路結構以及顯示面板审中-公开
简体标题：主动组件、驱动电路结构以及显示皮肤
公开(公告)号：TW201351660A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101130468
申请日：2012-08-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：楊朝宇 , YANG, CHAO YU , 邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 曹書瑋 , TSAO, SHU WEI , 黃士哲 , HUANG, SHIH CHE , 葉柏良 , YEH, PO LIANG , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 曾賢楷 , TSENG, HSIEN KAI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1255 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
摘要：一種主動元件、驅動電路結構以及顯示面板。主動元件包括一閘極、一閘絕緣層、一半導體層、一蝕刻中止層、一源極與一汲極。閘極在基板上構成一蜿蜒圖案。閘絕緣層覆蓋閘極。半導體層配置於閘絕緣層上，且位於該閘極上方。半導體層的面積實質上定義出主動元件所在的元件配置區。蝕刻中止層配置於閘絕緣層以及半導體層上，並具有暴露出半導體層且彼此互不連通的一第一接觸開口以及一第二接觸開口。源極配置於蝕刻中止層上並透過第一接觸開口接觸於半導體層。汲極配置於蝕刻中止層上並透過第二接觸開口接觸於半導體層，且源極與汲極彼此分離。
简体摘要：一种主动组件、驱动电路结构以及显示皮肤。主动组件包括一闸极、一闸绝缘层、一半导体层、一蚀刻中止层、一源极与一汲极。闸极在基板上构成一蜿蜒图案。闸绝缘层覆盖闸极。半导体层配置于闸绝缘层上，且位于该闸极上方。半导体层的面积实质上定义出主动组件所在的组件配置区。蚀刻中止层配置于闸绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。源极配置于蚀刻中止层上并透过第一接触开口接触于半导体层。汲极配置于蚀刻中止层上并透过第二接触开口接触于半导体层，且源极与汲极彼此分离。

7. 发明专利

TW201320338A 主動元件审中-公开
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TW201320338A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW100141252
申请日：2011-11-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林其叡 , LIN, CHI JUI , 曹書瑋 , TSAO, SHU WEI , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 葉柏良 , YEH, PO LIANG , 曾賢楷 , TSENG, HSIEN KAI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
摘要：一種主動元件，其包括一源極、一汲極、一氧化物半導體層、一閘極與一閘絕緣層。源極包括多個彼此平行的第一條狀電極以及一連接第一條狀電極之第一連接電極，汲極包括多個彼此平行的第二條狀電極以及一連接第二條狀電極之第二連接電極，其中第一條狀電極與第二條狀電極平行，彼此交替排列，並彼此電性絕緣，且之間存在一曲折溝渠，而閘極沿著曲折溝渠延伸。氧化物半導體層與源極以及汲極接觸，其中氧化物半導體層與各第一條狀電極的接觸面積等於各第一條狀電極的佈局面積，且各第二條狀電極的接觸面積等於各第二條狀電極的佈局面積。
简体摘要：一种主动组件，其包括一源极、一汲极、一氧化物半导体层、一闸极与一闸绝缘层。源极包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接第一条状电极之第一连接电极，汲极包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接第二条状电极之第二连接电极，其中第一条状电极与第二条状电极平行，彼此交替排列，并彼此电性绝缘，且之间存在一曲折沟渠，而闸极沿着曲折沟渠延伸。氧化物半导体层与源极以及汲极接触，其中氧化物半导体层与各第一条状电极的接触面积等于各第一条状电极的布局面积，且各第二条状电极的接触面积等于各第二条状电极的布局面积。

8. 发明专利

TW201626077A 顯示面板及其製造方法审中-公开
简体标题：显示皮肤及其制造方法
公开(公告)号：TW201626077A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100948
申请日：2015-01-12
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：王碩宏 , WANG, SHUO HONG , 杜振源 , TU, CHEN YUAN , 陳惠軍 , CHEN, HUI CHUN , 簡逸朋 , CHIEN, I PENG , 陳柏仁 , CHEN, PO JEN , 張家銘 , CHANG, CHIA MING , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1345
摘要：一種顯示面板及其的製造方法，此方法包括在一第一基板上形成一圖案化金屬材料層，並對圖案化金屬材料層進行一氧化程序，以形成一圖案化金屬層以及覆蓋圖案化金屬層之一金屬氧化物層，其中圖案化金屬層包括一上表面以及位於上表面兩側之側表面，金屬氧化物層覆蓋圖案化金屬層之上表面以及側表面。在第一基板上形成多個畫素結構，且畫素結構與圖案化金屬層電性連接。在第一基板的對向設置一第二基板，且於第一基板與第二基板之間形成一顯示介質。
简体摘要：一种显示皮肤及其的制造方法，此方法包括在一第一基板上形成一图案化金属材料层，并对图案化金属材料层进行一氧化进程，以形成一图案化金属层以及覆盖图案化金属层之一金属氧化物层，其中图案化金属层包括一上表面以及位于上表面两侧之侧表面，金属氧化物层覆盖图案化金属层之上表面以及侧表面。在第一基板上形成多个像素结构，且像素结构与图案化金属层电性连接。在第一基板的对向设置一第二基板，且于第一基板与第二基板之间形成一显示介质。

9. 发明专利

TWI482239B 主動元件陣列基板及其製作方法有权
简体标题：主动组件数组基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI482239B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW099126120
申请日：2010-08-05
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳柏林 , CHEN, PO LIN , 林致遠 , LIN, CHIH YUAN , 林瑜旻 , LIN, YU MIN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213
CPC分类号： C23C14/165 , C23C14/3492 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908

10. 发明专利

TW201322342A 畫素結構及其製作方法审中-公开
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201322342A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143135
申请日：2011-11-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：高逸群 , KAO, YIH CHYUN , 邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林俊男 , LIN, CHUN NAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78603
摘要：本發明提出一種畫素結構的製作方法。首先，於基板上形成第一圖案化金屬層，包括掃描線以及閘極。再於第一圖案化金屬層上依序形成第一絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋圖案以及金屬層。接著，圖案化此金屬層和半導體層以形成第二圖案化金屬層和圖案化半導體層。第二圖案化金屬層包括資料線、源極與汲極。圖案化半導體層包括完全重疊於第二圖案化金屬層的第一半導體圖案以及不重疊於第二圖案化金屬層的第二半導體圖案，其中第二半導體圖案包括位於源極與汲極之間的通道圖案以及包圍第一半導體圖案的邊緣圖案。
简体摘要：本发明提出一种像素结构的制作方法。首先，于基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及闸极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与汲极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与汲极之间的信道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。

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