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1. 发明专利

TW587254B 用以測試同步記憶體電路之測試電路失效
简体标题：用以测试同步内存电路之测试电路
公开(公告)号：TW587254B
公开(公告)日：2004-05-11
申请号：TW091106315
申请日：2002-03-29
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：伍夫甘恩斯特 WOLFGANG ERNST , 剛挪克勞斯 GUNNAR KRAUSE , 爵斯特斯甘 JUSTUS KUHN , 珍路普克 JENS LUPKE , 彼特波克慕勒 PETER POECHMULLER , 鳩成慕勒 JOCHEN MUELLER , 麥克席坦哈爾姆 MICHAEL SCHITTENHELM
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/48
摘要：一種用以測試同步記憶體電路(3)之測試電路，具有一頻率乘法電路(4)，其藉由一特殊頻率乘法因數，乘以由一外部測試單元所接收之低頻時脈信號之時脈頻率，以產生待測同步記憶晶片(3)之高頻時脈信號；一測試資料產生器(16)，其基於外部測試單元(2)所接收之資料控制信號，而產生測試資料，並將測試資料輸出至資料輸出驅動器(14)，俾將資料寫入待測同步記憶體電路(3)；一第一信號延遲電路(19)，用以在一可調整第一延遲時間，延遲由測試資料產生器(16)輸出之測試資料；一第二信號延遲電路(24)，用以在一可調整第二延遲時間，延遲由待測同步記億體電路(3)讀取且在測試電路(1)中由資料輸入驅動器(15)接收之資料；及具有一資料比較電路(27)，比較測試資料產生器(16)所產生之測試資料與記憶體電路(3)所讀取之資料，並依比較結果，輸出一指示信號至外部測試單元(2)，由外部測試單元(2)指示是否操作待測同步記憶體電路。
简体摘要：一种用以测试同步内存电路(3)之测试电路，具有一频率乘法电路(4)，其借由一特殊频率乘法因子，乘以由一外部测试单元所接收之低频时脉信号之时钟频率，以产生待测同步记忆芯片(3)之高频时脉信号；一测试数据产生器(16)，其基于外部测试单元(2)所接收之数据控制信号，而产生测试数据，并将测试数据输出至数据输出驱动器(14)，俾将数据写入待测同步内存电路(3)；一第一信号延迟电路(19)，用以在一可调整第一延迟时间，延迟由测试数据产生器(16)输出之测试数据；一第二信号延迟电路(24)，用以在一可调整第二延迟时间，延迟由待测同步记亿体电路(3)读取且在测试电路(1)中由数据输入驱动器(15)接收之数据；及具有一数据比较电路(27)，比较测试数据产生器(16)所产生之测试数据与内存电路(3)所读取之数据，并依比较结果，输出一指示信号至外部测试单元(2)，由外部测试单元(2)指示是否操作待测同步内存电路。

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