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1. 发明专利

TW200815914A 化學增强光阻材料用藉光產生酸劑,及含有藉光產生酸劑之光阻材料,以及使用其形成圖型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增强光阻材料用藉光产生酸剂,及含有藉光产生酸剂之光阻材料,以及使用其形成图型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200815914A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096120785
申请日：2007-06-08
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 關明寬 SEKI, AKIHIRO
IPC分类号： G03F , C09K , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/40 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係下述一般式(1)表示之化學增强光阻材料用之光酸產生劑。
096120785P01.bmp
(R 係相同或不同,表示氫原子、氟原子、氯原子、硝基或碳數 1-12 之直鏈狀、支鏈狀或環狀之取代或非取代之烷基或烷氧基。 n 係 0 或 1; m 係 1 或 2;r 係 0-4之整數,r'係 0-5 的整數)。使用本發明之藉由高能量線照射產生酸之光酸產生劑的化學增强型光阻材料係解像性、焦點寬容度優,即使 PED 為長時間時,線寬變化、形狀劣化也很少,顯影後之圖型輪廓形狀優異,具有適合精細加工之高解像性。特別是與具有縮醛型以外之酸不穩定基的樹脂組合時,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形狀良好,特別是在遠紫外線微影方面能發揮强大威力。
简体摘要：本发明系下述一般式(1)表示之化学增强光阻材料用之光酸产生剂。 096120785P01.bmp (R 系相同或不同,表示氢原子、氟原子、氯原子、硝基或碳数 1-12 之直链状、支链状或环状之取代或非取代之烷基或烷氧基。 n 系 0 或 1; m 系 1 或 2;r 系 0-4之整数,r'系 0-5 的整数)。使用本发明之借由高能量线照射产生酸之光酸产生剂的化学增强型光阻材料系解像性、焦点宽容度优,即使 PED 为长时间时,线宽变化、形状劣化也很少,显影后之图型轮廓形状优异,具有适合精细加工之高解像性。特别是与具有缩醛型以外之酸不稳定基的树脂组合时,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形状良好,特别是在远紫外线微影方面能发挥强大威力。

2. 发明专利

TW200403523A 化學增幅光阻材料用之光酸產生劑,以及使用其之光阻材料及形成圖案之方法审中-公开
简体标题：化学增幅光阻材料用之光酸产生剂,以及使用其之光阻材料及形成图案之方法
公开(公告)号：TW200403523A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092106569
申请日：2003-03-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 土谷純司 TSUCHIYA, JUNJI , 前田和規 MAEDA, KAZUNORI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0382 , C07C309/75 , C07D333/36 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係有關一種化學增幅光阻材料用之光酸產生劑，其特徵係以下述一般式（1）表示，092106569p01.bmp（R為H、F、C1、NO2、烷基或烷氧基，n為0或1，m為1或2，r為0～4，r’為0～5，k為0～4，G’及G”係分別為硫原子或–CH＝CH–，但是不同時為硫原子）。本發明之O–芳基磺醯化合物之光酸產生劑及使用該光酸產生劑之化學增幅光阻材料係具有優異之解像性、焦點容許度優異，即使PED經過長時間，其線寬變動、形狀劣化少，顯影後之圖案輪廓形狀優異，適用於微細加工之高解像性，特別是在遠紫外光微影上可發揮很大功能。
简体摘要：本发明系有关一种化学增幅光阻材料用之光酸产生剂，其特征系以下述一般式（1）表示，092106569p01.bmp（R为H、F、C1、NO2、烷基或烷氧基，n为0或1，m为1或2，r为0～4，r’为0～5，k为0～4，G’及G”系分别为硫原子或–CH＝CH–，但是不同时为硫原子）。本发明之O–芳基磺酰化合物之光酸产生剂及使用该光酸产生剂之化学增幅光阻材料系具有优异之解像性、焦点容许度优异，即使PED经过长时间，其线宽变动、形状劣化少，显影后之图案轮廓形状优异，适用于微细加工之高解像性，特别是在远紫外光微影上可发挥很大功能。

3. 发明专利

TW200928585A 圖型之形成方法 PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：图型之形成方法 PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200928585A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097131944
申请日：2008-08-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 吉原隆夫 YOSHIHARA, TAKAO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 河合義夫 KAWAI, YOSHIO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：一種圖型之形成方法,其為將含有高分子化合物之第1之正型光阻材料塗佈於基板上以形成第1之光阻膜,加熱處理後以高能量線對上述光阻膜進行曝光,加熱處理後使用顯影液對上述光阻膜進行顯影,以形成第1之光阻圖型,其後,以波長180nm以下之高能量線或電子線進行照射使第1之光阻圖型交聯硬化,於其上將含有高分子化合物之第2之正型光阻材料塗佈於基板上以形成第2之光阻膜,加熱處理後以高能量線對上述第2之光阻膜進行曝光,加熱處理後使用顯影液對第2之光阻膜進行顯影以形成第2之光阻圖型之圖型之形成方法。依本發明之內容,經由第1之光阻圖型的空間部份形成有第2之光阻圖型之方式,使圖型與圖型之間距減半之方式進行重複圖型化(描繪),而可以一次之乾蝕刻對基板進行加工。
简体摘要：一种图型之形成方法,其为将含有高分子化合物之第1之正型光阻材料涂布于基板上以形成第1之光阻膜,加热处理后以高能量线对上述光阻膜进行曝光,加热处理后使用显影液对上述光阻膜进行显影,以形成第1之光阻图型,其后,以波长180nm以下之高能量线或电子线进行照射使第1之光阻图型交联硬化,于其上将含有高分子化合物之第2之正型光阻材料涂布于基板上以形成第2之光阻膜,加热处理后以高能量线对上述第2之光阻膜进行曝光,加热处理后使用显影液对第2之光阻膜进行显影以形成第2之光阻图型之图型之形成方法。依本发明之内容,经由第1之光阻图型的空间部份形成有第2之光阻图型之方式,使图型与图型之间距减半之方式进行重复图型化(描绘),而可以一次之干蚀刻对基板进行加工。

4. 发明专利

TW200846827A 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200846827A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096144145
申请日：2007-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中惠生 TANAKA, SHIGEO , 關明寬 SEKI, AKIHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
摘要：一種正型光阻材料,其為含有(A)基於酸之作用而形成對鹼顯影液為可溶之樹脂成份,與(B)感應活性光線或放射線而發生酸之化合物,其中,樹脂成份(A)為具有下述通式(1)所表示之重複單位的高分子化合物,且,發生酸之化合物(B)為下述通式(2)所表示之鹽化合物之正型光阻材料。
096144145P01.bmp
(R^1為H或甲基;R^2為含氟取代基;n為1或2;a、b、c、d分別為0.01以上,未達1之數,a+b+c+d=1。)
096144145P02.bmp
(R^3、R^4、R^5為H,或可含有雜原子之1價烴基。R^6為可含有雜原子之1價烴基。)本發明之光阻材料,可提供於微細加工技術,特別是於ArF微影蝕刻技術中具有極高之解析性,且具有良好之之光罩忠實性,特別是提供具有較小線路側壁不均(LER;Line Edge Roughness)之圖型。
简体摘要：一种正型光阻材料,其为含有(A)基于酸之作用而形成对碱显影液为可溶之树脂成份,与(B)感应活性光线或放射线而发生酸之化合物,其中,树脂成份(A)为具有下述通式(1)所表示之重复单位的高分子化合物,且,发生酸之化合物(B)为下述通式(2)所表示之盐化合物之正型光阻材料。 096144145P01.bmp (R^1为H或甲基;R^2为含氟取代基;n为1或2;a、b、c、d分别为0.01以上,未达1之数,a+b+c+d=1。) 096144145P02.bmp (R^3、R^4、R^5为H,或可含有杂原子之1价烃基。R^6为可含有杂原子之1价烃基。)本发明之光阻材料,可提供于微细加工技术,特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性,且具有良好之之光罩忠实性,特别是提供具有较小线路侧壁不均(LER;Line Edge Roughness)之图型。

5. 发明专利

TW200745761A 光阻組成物及使用其之圖型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：光阻组成物及使用其之图型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200745761A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096105268
申请日：2007-02-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 濱田吉隆 HAMADA, YOSHITAKA , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI
IPC分类号： G03F , H01L , C08G
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , Y10S430/114
摘要：本發明係一種光阻組成物,其係含有:(A)含有下述一般式(1)、(2)及(3)所示之化合物中之水解性矽烷單體混合物藉由共水解‧縮合所得之聚矽氧樹脂(B)酸產生劑(C)含氮有機化合物及(D)有機溶劑所成,
(R^1、R^2、R^3為氫原子、氟原子、烷基或氟化之烷基,至少一個含有氟原子。R^4為烴基,R^5係具有作為官能基之以酸分解性保護基保護之羧基的有機基,R^6係與R^4相同定義,R^7係具有作為官能基之內酯環的有機基,R^8係與R^4相同定義。X係氫原子、氯原子、溴原子或烷氧基,p為0或1;q為0或1;r為0或1)。本發明之光阻組成物顯示與以往之接近位置之碳被氟化之醇為極性基之組成物同等以上的解像性,也無氧反應性蝕刻之蝕刻選擇比的問題,適用於ArF曝光之2層光阻法。
简体摘要：本发明系一种光阻组成物,其系含有:(A)含有下述一般式(1)、(2)及(3)所示之化合物中之水解性硅烷单体混合物借由共水解‧缩合所得之聚硅氧树脂(B)酸产生剂(C)含氮有机化合物及(D)有机溶剂所成, (R^1、R^2、R^3为氢原子、氟原子、烷基或氟化之烷基,至少一个含有氟原子。R^4为烃基,R^5系具有作为官能基之以酸分解性保护基保护之羧基的有机基,R^6系与R^4相同定义,R^7系具有作为官能基之内酯环的有机基,R^8系与R^4相同定义。X系氢原子、氯原子、溴原子或烷氧基,p为0或1;q为0或1;r为0或1)。本发明之光阻组成物显示与以往之接近位置之碳被氟化之醇为极性基之组成物同等以上的解像性,也无氧反应性蚀刻之蚀刻选择比的问题,适用于ArF曝光之2层光阻法。

6. 发明专利

TW200626676A 含矽系之光阻組成物及使用該組成物之圖案形成方法审中-公开
简体标题：含硅系之光阻组成物及使用该组成物之图案形成方法
公开(公告)号：TW200626676A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094134719
申请日：2005-10-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI
IPC分类号： C08L , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：一種光阻組成物，其為含有：(A)具有式(1)、(2)及(3)之所示結構單位之聚矽氧烷(polysiloxane)化合物、(B)式(4)之酸產生劑、(C)含氮有機化合物、(D)溶劑所得之光阻組成物，094134719-p01.bmp094134719-p02.bmp094134719-p03.bmp(式中，R^1為鍵結有羥基之碳原子所再鍵結之碳原子上鍵結合計3個以上氟原子之有機基；R^2為烴基；R^3為被酸分解性保護基所保護之具有羧基的有機基；R^4與R^2之定義相同；R^5為具有內酯環之有機基；R^6與R^2之定義相同；p為0或1；q為0或1；r為0或1)094134719-p04.bmp本發明之光阻組成物，可製得未出現T–Top形狀，且可得到高解析性能之光阻組成物，特別是適用於ArF曝光中之2層光阻組成物094134719-p01.bmp
简体摘要：一种光阻组成物，其为含有：(A)具有式(1)、(2)及(3)之所示结构单位之聚硅氧烷(polysiloxane)化合物、(B)式(4)之酸产生剂、(C)含氮有机化合物、(D)溶剂所得之光阻组成物，094134719-p01.bmp094134719-p02.bmp094134719-p03.bmp(式中，R^1为键结有羟基之碳原子所再键结之碳原子上键结合计3个以上氟原子之有机基；R^2为烃基；R^3为被酸分解性保护基所保护之具有羧基的有机基；R^4与R^2之定义相同；R^5为具有内酯环之有机基；R^6与R^2之定义相同；p为0或1；q为0或1；r为0或1)094134719-p04.bmp本发明之光阻组成物，可制得未出现T–Top形状，且可得到高解析性能之光阻组成物，特别是适用于ArF曝光中之2层光阻组成物094134719-p01.bmp

7. 发明专利

TW200612203A 光阻組成物及使用其之圖型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻组成物及使用其之图型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200612203A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094128245
申请日：2005-08-18
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 濱田吉隆 HAMADA, YOSHITAKA , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI , 藤井俊彥 FUJII, TOSHIHIKO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , Y10S430/108
摘要：一種光阻組成物，其為含有式(1)、(2)及(3)之水解性矽烷單體混合物之共水解–縮合所得之聚矽氧烷樹脂、酸產生劑、含氮有機化合物、溶劑所得之光阻組成物094128245-p01.bmp(式中，R^1為具有羥基，且該羥基所鍵結之碳原子再鍵結之碳原子上鍵結合計3個以上氟原子之有機基；R^3為被酸分解性保護基所保護之具有羧基的有機基；R^5為具有內酯環之有機基；R^2、R^4、R^6為烴基；X為水解性基；p為0或1；q為o或1；r為0或1)本發明之光阻組成物，顯示出良好之解析度，於氧反應性蝕刻中，可解決與有機材料之下層膜之間未能取得蝕刻選擇比之問題，因而適用ArF曝光中之2層光阻法。
简体摘要：一种光阻组成物，其为含有式(1)、(2)及(3)之水解性硅烷单体混合物之共水解–缩合所得之聚硅氧烷树脂、酸产生剂、含氮有机化合物、溶剂所得之光阻组成物094128245-p01.bmp(式中，R^1为具有羟基，且该羟基所键结之碳原子再键结之碳原子上键结合计3个以上氟原子之有机基；R^3为被酸分解性保护基所保护之具有羧基的有机基；R^5为具有内酯环之有机基；R^2、R^4、R^6为烃基；X为水解性基；p为0或1；q为o或1；r为0或1)本发明之光阻组成物，显示出良好之分辨率，于氧反应性蚀刻中，可解决与有机材料之下层膜之间未能取得蚀刻选择比之问题，因而适用ArF曝光中之2层光阻法。

8. 发明专利

TW200535565A 含氮之有機化合物、光阻材料及形成圖型之方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：含氮之有机化合物、光阻材料及形成图型之方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200535565A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093134717
申请日：2004-11-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0382
摘要：本發明係一種化學增幅型光阻材料，其特徵係含有一種或兩種以上之(A)具有芳香族羧酸酯結構之含氮之有機化合物。使用本發明之含氮之有機化合物所調製的光阻材料可提供高解像性及良好圖型形狀，可用於使用電子線或遠紫外線之微細加工。特別是KrF光阻、ArF光阻、F2光阻、EUV光阻、EB光阻、X射線光阻可提供較高的調配效果，適合作為製造超LSI用之微細圖型形成材料。093134717-p01.bmp
简体摘要：本发明系一种化学增幅型光阻材料，其特征系含有一种或两种以上之(A)具有芳香族羧酸酯结构之含氮之有机化合物。使用本发明之含氮之有机化合物所调制的光阻材料可提供高解像性及良好图型形状，可用于使用电子线或远紫外线之微细加工。特别是KrF光阻、ArF光阻、F2光阻、EUV光阻、EB光阻、X射线光阻可提供较高的调配效果，适合作为制造超LSI用之微细图型形成材料。093134717-p01.bmp

9. 发明专利

TWI310480B 含氮之有機化合物、光阻材料及形成圖型之方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：含氮之有机化合物、光阻材料及形成图型之方法 NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI310480B
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW093134717
申请日：2004-11-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0382
摘要：本發明係一種化學增幅型光阻材料,其特徵係含有一種或兩種以上之(A)具有芳香族羧酸酯結構之含氮之有機化合物。
使用本發明之含氮之有機化合物所調製的光阻材料可提供高解像性及良好圖型形狀,可用於使用電子線或遠紫外線之微細加工。特別是KrF光阻、ArF光阻、F2光阻、EUV光阻、EB光阻、X射線光阻可提供較高的調配效果,適合作為製造超LSI用之微細圖型形成材料。
简体摘要：本发明系一种化学增幅型光阻材料,其特征系含有一种或两种以上之(A)具有芳香族羧酸酯结构之含氮之有机化合物。使用本发明之含氮之有机化合物所调制的光阻材料可提供高解像性及良好图型形状,可用于使用电子线或远紫外线之微细加工。特别是KrF光阻、ArF光阻、F2光阻、EUV光阻、EB光阻、X射线光阻可提供较高的调配效果,适合作为制造超LSI用之微细图型形成材料。

10. 发明专利

TW200900861A 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200900861A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096144172
申请日：2007-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
摘要：一種正型光阻材料,其為含有(A)基於酸之作用而形成對鹼顯影液為可溶之樹脂成份,與(B)感應活性光線或放射線而發生酸之化合物,其中,樹脂成份(A)為具有下述通式(1)所表示之重複單位的高分子化合物,且,發生酸之化合物(B)為下述通式(2)所表示之鹽化合物之正型光阻材料。
096144172P01.bmp
(R^1為H、甲基,或三氟甲基。R^2為酸不穩定基。R^3為H或CO2R^4。R^4為1價烴基。X為O、S、CH2,或CH2CH2。m為1或2。n為1或2。a、b、c、d分別為0.01以上,未達1之數,a+b+c+d=1)。
096144172P02.bmp
(R^5、R^6、R^7為H,或1價烴基。R^8為1價烴基)。本發明之光阻材料,可提供於微細加工技術,特別是於ArF微影蝕刻技術中具有極高之解析性,且具有較小線路側壁不均(Line Edge Roughness)之圖型。
简体摘要：一种正型光阻材料,其为含有(A)基于酸之作用而形成对碱显影液为可溶之树脂成份,与(B)感应活性光线或放射线而发生酸之化合物,其中,树脂成份(A)为具有下述通式(1)所表示之重复单位的高分子化合物,且,发生酸之化合物(B)为下述通式(2)所表示之盐化合物之正型光阻材料。 096144172P01.bmp (R^1为H、甲基,或三氟甲基。R^2为酸不稳定基。R^3为H或CO2R^4。R^4为1价烃基。X为O、S、CH2,或CH2CH2。m为1或2。n为1或2。a、b、c、d分别为0.01以上,未达1之数,a+b+c+d=1)。 096144172P02.bmp (R^5、R^6、R^7为H,或1价烃基。R^8为1价烃基)。本发明之光阻材料,可提供于微细加工技术,特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性,且具有较小线路侧壁不均(Line Edge Roughness)之图型。

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