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1. 发明专利

TW200931176A 新穎的光酸產生劑與使用其之光阻材料、及圖型之形成方法 NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：新颖的光酸产生剂与使用其之光阻材料、及图型之形成方法 NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200931176A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097133925
申请日：2008-09-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 OHASHI, MASAKI , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI
IPC分类号： G03F , C07J , C07C , H01L
CPC分类号： C07J31/006 , C07J41/0055 , C07J43/003 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/114
摘要：一種可感應紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、準分子雷射、��線,或同步放射線之高能量線,而產生下述通式(1a)或(1c)中任一所表示之磺酸的化學增幅型光阻材料用光酸產生劑。R^1-COOCH(CF3)CF2SO3^-H^+ (1a)R^1-O-COOCH(CF3)CF2SO3^-H^+ (1c)(R^1表示具有類固醇骨架之碳數20-50之烴基)。本發明之光酸產生劑與光阻材料中之樹脂類具有優良相溶性,故可進行酸擴散控制。又,產生該些磺酸之光酸產生劑於製造裝置(device)步驟中,可無障礙地使用於塗佈、曝光前燒焙、曝光、曝光後燒焙、顯影等步驟。
简体摘要：一种可感应紫外线、远紫外线、电子线、EUV、X线、准分子激光、��线,或同步放射线之高能量线,而产生下述通式(1a)或(1c)中任一所表示之磺酸的化学增幅型光阻材料用光酸产生剂。R^1-COOCH(CF3)CF2SO3^-H^+ (1a)R^1-O-COOCH(CF3)CF2SO3^-H^+ (1c)(R^1表示具有类固醇骨架之碳数20-50之烃基)。本发明之光酸产生剂与光阻材料中之树脂类具有优良相溶性,故可进行酸扩散控制。又,产生该些磺酸之光酸产生剂于制造设备(device)步骤中,可无障碍地使用于涂布、曝光前烧焙、曝光、曝光后烧焙、显影等步骤。

2. 发明专利

TW200844122A 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法 SULFONIUM SALT HAVING POLYMERIZABLE ANION, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：具有聚合性阴离子之盐及高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法 SULFONIUM SALT HAVING POLYMERIZABLE ANION, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200844122A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096140431
申请日：2007-10-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 OHASHI, MASAKI , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 渡邊武 WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F20/38 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126 , Y10S430/143
摘要：一種可感應高能量線或熱而發生通式(1a)所表示之重複單位之磺酸的高分子化合物,
096140431P01.bmp
(R^1為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。)本發明之具有聚合性陰離子之鹽,於經由高能量線照射而發生酸之情形中,可生成非常强之磺酸,故可有效率地切斷增强化學型光阻材料中之酸不穩定基,故非常適合製造作為感放射線光阻材料之基礎樹脂的單體。又,使用本發明之高分子化合物作為感放射線光阻材料之基礎樹脂使用時,可得到優良之高解析性與粗密依存性及曝光寬容度,故使用該高分子化合物作為光阻材料時,對於精密之微細加工極為有效。
简体摘要：一种可感应高能量线或热而发生通式(1a)所表示之重复单位之磺酸的高分子化合物, 096140431P01.bmp (R^1为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。)本发明之具有聚合性阴离子之盐,于经由高能量线照射而发生酸之情形中,可生成非常强之磺酸,故可有效率地切断增强化学型光阻材料中之酸不稳定基,故非常适合制造作为感放射线光阻材料之基础树脂的单体。又,使用本发明之高分子化合物作为感放射线光阻材料之基础树脂使用时,可得到优良之高解析性与粗密依存性及曝光宽容度,故使用该高分子化合物作为光阻材料时,对于精密之微细加工极为有效。

3. 发明专利

TW200641527A 光阻材料及使用其之光阻圖型的形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：光阻材料及使用其之光阻图型的形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200641527A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095100469
申请日：2006-01-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：本發明為提供一種光阻材料，其為含有一種對高能量線，特別是ArF準分子雷射、F2準分子雷射、EUV、X射線、EB等具有高感度、高解析且線路邊緣凹凸(line edge roughness)情形較少，不會溶解於水，且具有充分之熱安定性、保存安定性之聚合物型的酸產生劑之高解析性光阻材料。本發明為一種至少含有使具聚合性不飽和鍵結之鹽、具作為密著性基之內酯或羥基的(甲基)丙烯酸酯、具酸不穩定基取代之酯的(甲基)丙烯酸酯共聚所得之高分子化合物的光阻材料。
简体摘要：本发明为提供一种光阻材料，其为含有一种对高能量线，特别是ArF准分子激光、F2准分子激光、EUV、X射线、EB等具有高感度、高解析且线路边缘凹凸(line edge roughness)情形较少，不会溶解于水，且具有充分之热安定性、保存安定性之聚合物型的酸产生剂之高解析性光阻材料。本发明为一种至少含有使具聚合性不饱和键结之盐、具作为密着性基之内酯或羟基的(甲基)丙烯酸酯、具酸不稳定基取代之酯的(甲基)丙烯酸酯共聚所得之高分子化合物的光阻材料。

4. 发明专利

TW200626676A 含矽系之光阻組成物及使用該組成物之圖案形成方法审中-公开
简体标题：含硅系之光阻组成物及使用该组成物之图案形成方法
公开(公告)号：TW200626676A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094134719
申请日：2005-10-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 野田和美 NODA, KAZUMI , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI
IPC分类号： C08L , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：一種光阻組成物，其為含有：(A)具有式(1)、(2)及(3)之所示結構單位之聚矽氧烷(polysiloxane)化合物、(B)式(4)之酸產生劑、(C)含氮有機化合物、(D)溶劑所得之光阻組成物，094134719-p01.bmp094134719-p02.bmp094134719-p03.bmp(式中，R^1為鍵結有羥基之碳原子所再鍵結之碳原子上鍵結合計3個以上氟原子之有機基；R^2為烴基；R^3為被酸分解性保護基所保護之具有羧基的有機基；R^4與R^2之定義相同；R^5為具有內酯環之有機基；R^6與R^2之定義相同；p為0或1；q為0或1；r為0或1)094134719-p04.bmp本發明之光阻組成物，可製得未出現T–Top形狀，且可得到高解析性能之光阻組成物，特別是適用於ArF曝光中之2層光阻組成物094134719-p01.bmp
简体摘要：一种光阻组成物，其为含有：(A)具有式(1)、(2)及(3)之所示结构单位之聚硅氧烷(polysiloxane)化合物、(B)式(4)之酸产生剂、(C)含氮有机化合物、(D)溶剂所得之光阻组成物，094134719-p01.bmp094134719-p02.bmp094134719-p03.bmp(式中，R^1为键结有羟基之碳原子所再键结之碳原子上键结合计3个以上氟原子之有机基；R^2为烃基；R^3为被酸分解性保护基所保护之具有羧基的有机基；R^4与R^2之定义相同；R^5为具有内酯环之有机基；R^6与R^2之定义相同；p为0或1；q为0或1；r为0或1)094134719-p04.bmp本发明之光阻组成物，可制得未出现T–Top形状，且可得到高解析性能之光阻组成物，特别是适用于ArF曝光中之2层光阻组成物094134719-p01.bmp

5. 发明专利

TWI225968B 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物,光產酸劑,及使用上述之光阻材料與圖型形成方法 Novel sulfonyliazomethane, photoacid generators, resist compositions, and patterning process 有权
简体标题：新颖之磺酰基重氮甲烷化合物,光产酸剂,及使用上述之光阻材料与图型形成方法 Novel sulfonyliazomethane, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
公开(公告)号：TWI225968B
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW091122378
申请日：2002-09-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 前田和規 MAEDA, KAZUNORI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07C317/28 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/143
摘要：本發明乃下列一般式(1)所示磺醯基重氮甲烷化合物有關，
(上式中，R示氫原子，或C1~4之直鏈狀、岐鏈狀或環狀之具有或不具有取代基之烷基或烷氧基。G示磺醯基(-SO2-)或羰基(-CO-)，R3示C1~10之直鏈狀、岐鏈狀或環狀之具有或不具有取代基之烷基，或C6~14之具有或不具有取代基之芳基。p示1或2，q示0或1，而必須滿足 p+q=2之條件。n示0或1，m示3~11之整數。k示0~4之整數。)
依據本發明可得顯影後，圖型形狀優異，適於微細加工之高度析相力之結果。
简体摘要：本发明乃下列一般式(1)所示磺酰基重氮甲烷化合物有关， (上式中，R示氢原子，或C1~4之直链状、岐链状或环状之具有或不具有取代基之烷基或烷氧基。G示磺酰基(-SO2-)或羰基(-CO-)，R3示C1~10之直链状、岐链状或环状之具有或不具有取代基之烷基，或C6~14之具有或不具有取代基之芳基。p示1或2，q示0或1，而必须满足 p+q=2之条件。n示0或1，m示3~11之整数。k示0~4之整数。) 依据本发明可得显影后，图型形状优异，适于微细加工之高度析相力之结果。

6. 发明专利

TW200842497A 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200842497A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096149743
申请日：2007-12-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 KOBAYASHI, TOMOHIRO , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 谷口良輔 TANIGUCHI, RYOSUKE
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045
摘要：本發明提供一種使用ArF準分子雷射光等高能量線作為光源之光微影蝕刻術中,可大幅改善解析性,且對於使用半色調光罩(half-tone mask)時所造成之表面凹凸或對微凹凸(side lobe)具有優良耐性之光阻材料,及使用該光阻材料之圖型之形成方法。本發明之正型光阻材料,為至少含有具有下述通式(1)所示重複單位之樹脂成份(A),與,可感應高能量線之下述通式(2)所示之可發生磺酸之光酸產生劑(B),與,陽離子為下述通式(3)所示之鹽,或下述通式(4)所示之銨鹽,且陰離子為下述通式(5)-(7)中任一者所示構造之鹽(C)為特徵之正型光阻材料。
096149743P01.bmp
096149743P02.bmp
096149743P03.bmp
096149743P04.bmp
096149743P05.bmp
096149743P06.bmp
096149743P07.bmp
简体摘要：本发明提供一种使用ArF准分子激光光等高能量线作为光源之光微影蚀刻术中,可大幅改善解析性,且对于使用半色调光罩(half-tone mask)时所造成之表面凹凸或对微凹凸(side lobe)具有优良耐性之光阻材料,及使用该光阻材料之图型之形成方法。本发明之正型光阻材料,为至少含有具有下述通式(1)所示重复单位之树脂成份(A),与,可感应高能量线之下述通式(2)所示之可发生磺酸之光酸产生剂(B),与,阳离子为下述通式(3)所示之盐,或下述通式(4)所示之铵盐,且阴离子为下述通式(5)-(7)中任一者所示构造之盐(C)为特征之正型光阻材料。 096149743P01.bmp 096149743P02.bmp 096149743P03.bmp 096149743P04.bmp 096149743P05.bmp 096149743P06.bmp 096149743P07.bmp

7. 发明专利

TW200821749A 化學增强光阻材料用光酸產生劑,及含有該光酸產生劑之光阻材料,以及使用其形成圖型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增强光阻材料用光酸产生剂,及含有该光酸产生剂之光阻材料,以及使用其形成图型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200821749A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096121379
申请日：2007-06-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 前田和規 MAEDA, KAZUNORI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F , C07D , C08F
CPC分类号： G03F7/0045 , C07D333/36 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要：本發明係下述一般式(1)表示之化學增强光阻材料用之光酸產生劑。
096121379P01.bmp
使用本發明之藉由高能量線照射產生酸之光酸產生劑及使用其之化學增强光阻材料係解像性、焦點寬容度優,即使PED為長時間時,線寬變化、形狀劣化也很少,顯影後之圖型輪廓形狀優異,具有適合精細加工之高解像性。特別是與具有縮醛型以外之酸不穩定基的樹脂組合時,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形狀良好,特別是在遠紫外線微影方面能發揮强大威力。
简体摘要：本发明系下述一般式(1)表示之化学增强光阻材料用之光酸产生剂。 096121379P01.bmp 使用本发明之借由高能量线照射产生酸之光酸产生剂及使用其之化学增强光阻材料系解像性、焦点宽容度优,即使PED为长时间时,线宽变化、形状劣化也很少,显影后之图型轮廓形状优异,具有适合精细加工之高解像性。特别是与具有缩醛型以外之酸不稳定基的树脂组合时,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形状良好,特别是在远紫外线微影方面能发挥强大威力。

8. 发明专利

TW200815914A 化學增强光阻材料用藉光產生酸劑,及含有藉光產生酸劑之光阻材料,以及使用其形成圖型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增强光阻材料用藉光产生酸剂,及含有藉光产生酸剂之光阻材料,以及使用其形成图型之方法 PHOTOACID GENERATORS, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200815914A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096120785
申请日：2007-06-08
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 關明寬 SEKI, AKIHIRO
IPC分类号： G03F , C09K , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/40 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係下述一般式(1)表示之化學增强光阻材料用之光酸產生劑。
096120785P01.bmp
(R 係相同或不同,表示氫原子、氟原子、氯原子、硝基或碳數 1-12 之直鏈狀、支鏈狀或環狀之取代或非取代之烷基或烷氧基。 n 係 0 或 1; m 係 1 或 2;r 係 0-4之整數,r'係 0-5 的整數)。使用本發明之藉由高能量線照射產生酸之光酸產生劑的化學增强型光阻材料係解像性、焦點寬容度優,即使 PED 為長時間時,線寬變化、形狀劣化也很少,顯影後之圖型輪廓形狀優異,具有適合精細加工之高解像性。特別是與具有縮醛型以外之酸不穩定基的樹脂組合時,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形狀良好,特別是在遠紫外線微影方面能發揮强大威力。
简体摘要：本发明系下述一般式(1)表示之化学增强光阻材料用之光酸产生剂。 096120785P01.bmp (R 系相同或不同,表示氢原子、氟原子、氯原子、硝基或碳数 1-12 之直链状、支链状或环状之取代或非取代之烷基或烷氧基。 n 系 0 或 1; m 系 1 或 2;r 系 0-4之整数,r'系 0-5 的整数)。使用本发明之借由高能量线照射产生酸之光酸产生剂的化学增强型光阻材料系解像性、焦点宽容度优,即使 PED 为长时间时,线宽变化、形状劣化也很少,显影后之图型轮廓形状优异,具有适合精细加工之高解像性。特别是与具有缩醛型以外之酸不稳定基的树脂组合时,可抑制解像性及未曝光部之光阻膜上部之溶解,因此光阻形状良好,特别是在远紫外线微影方面能发挥强大威力。

9. 发明专利

TW200732840A 光阻材料及使用其之圖型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：光阻材料及使用其之图型形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200732840A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095142433
申请日：2006-11-16
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：本發明係提供一種光阻材料,使用高能量線曝光時,高感度且具有高解像性,可抑制顯像時之膨潤,因此線邊緣粗糙度小,顯像後之殘渣較少,具有優異之耐乾蝕刻性,適用於液浸微影的光阻材料及使用該光阻材料之圖型形成方法。本發明之光阻材料係至少含有:具有下述一般式(a)及(b)之重複單元的高分子化合物,
095142433-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种光阻材料,使用高能量线曝光时,高感度且具有高解像性,可抑制显像时之膨润,因此线边缘粗糙度小,显像后之残渣较少,具有优异之耐干蚀刻性,适用于液浸微影的光阻材料及使用该光阻材料之图型形成方法。本发明之光阻材料系至少含有:具有下述一般式(a)及(b)之重复单元的高分子化合物, 095142433-p01.bmp

10. 发明专利

TW200707101A 新穎磺酸鹽及其衍生物、光酸產生劑以及使用其之光阻材料及圖型形成方法 NOVEL SULFONATE SALTS AND DERIVATIVES, PHOTOACID GENERATORS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：新颖磺酸盐及其衍生物、光酸产生剂以及使用其之光阻材料及图型形成方法 NOVEL SULFONATE SALTS AND DERIVATIVES, PHOTOACID GENERATORS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200707101A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095111999
申请日：2006-04-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO
IPC分类号： G03F , C07C , H01L
CPC分类号： C07C309/12 , C07C381/12 , C07D307/64 , C07D307/68 , C07D333/46 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：本發明係一種磺酸鹽,其特徵係以下述一般式(1)表示,
CF3-CH(OCOR)-CF2SO3^-M^+ (1)
(R為取代或非取代之碳數1~20之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基或取代或非取代之碳數6~14之芳基。M^+為鋰離子、鈉離子、鉀離子、銨離子或四甲基銨離子)。本發明之磺酸係因分子內具有酯部位,因此可容易導入容積較低之乙醯基~容積較高之醯基、苯醯基、醯基、醯基等,可增加分子設計之寬容度。
095111999-p01.bmp
简体摘要：本发明系一种磺酸盐,其特征系以下述一般式(1)表示, CF3-CH(OCOR)-CF2SO3^-M^+ (1) (R为取代或非取代之碳数1~20之直链状、支链状或环状之烷基或取代或非取代之碳数6~14之芳基。M^+为锂离子、钠离子、钾离子、铵离子或四甲基铵离子)。本发明之磺酸系因分子内具有酯部位,因此可容易导入容积较低之乙酰基~容积较高之酰基、苯酰基、酰基、酰基等,可增加分子设计之宽容度。 095111999-p01.bmp

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