专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW436663B 新穎之鹽及經化學增幅之正型光致抗蝕材料失效
简体标题：新颖之盐及经化学增幅之正型光致抗蚀材料
公开(公告)号：TW436663B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW085113247
申请日：1996-10-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 日本電信電話股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 渡邊聰 , 竹村勝也 , 名倉茂廣 , 田中啓順 , 河合義夫
IPC分类号： C07C , G03F , H01L , G03C
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C381/12 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：本發明係有關一種鹽、其特徵為如以下式(l)所示、分子中之苯基上具有至少一個酸不安定基、且具有直鏈狀、支鏈狀或環狀之吸引電子基取代烷基或芳基磺酸根者、
简体摘要：本发明系有关一种盐、其特征为如以下式(l)所示、分子中之苯基上具有至少一个酸不安定基、且具有直链状、支链状或环状之吸引电子基取代烷基或芳基磺酸根者、

2. 发明专利

TW477913B 新穎之及化學增幅正型光致抗蝕材料失效
简体标题：新颖之及化学增幅正型光致抗蚀材料
公开(公告)号：TW477913B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW085113253
申请日：1996-10-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , 日本電信電話股份有限公司
发明人：大澤洋一 , 渡邊聰 , 竹村勝也 , 名倉茂廣 , 田中啓順 , 河合義夫
IPC分类号： C07C , G03F , G03C
CPC分类号： G03F7/0045
摘要：本發明係有關一種鹽，其特徵為如以下式(1)所示，分子中之苯基上具有至少一個酸不安定基，且具有直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基磺酸根者，
(1)(惟式中R1表示烷基，烷氧基或二烷胺基，可分別為相同或不同，OR2係酸不安定基，Y-係C2~C20直鏈狀，支鏈狀或環狀之烷基磺酸陰離子，其構造中可含有C= O羥雙鍵，C-O-C醚鍵或醇性羥基。n係0~2之整數，m係1~3之整數，且n+m係3，γ係1~5之整數，p係0~5之整數，q係0~4之整數且q+r係1~5之整數)。
简体摘要：本发明系有关一种盐，其特征为如以下式(1)所示，分子中之苯基上具有至少一个酸不安定基，且具有直链状、支链状或环状之烷基磺酸根者， (1)(惟式中R1表示烷基，烷氧基或二烷胺基，可分别为相同或不同，OR2系酸不安定基，Y-系C2~C20直链状，支链状或环状之烷基磺酸阴离子，其构造中可含有C= O羟双键，C-O-C醚键或醇性羟基。n系0~2之整数，m系1~3之整数，且n+m系3，γ系1~5之整数，p系0~5之整数，q系0~4之整数且q+r系1~5之整数)。

3. 发明专利

TWI292852B 高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI292852B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW091120921
申请日：2002-09-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI , 名倉茂廣
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F220/18 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供一種含有以下述一般式(1)所示之重覆單位及以下述一般式(2)所示之重覆單位為特徵之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3為氫原子或甲基，R2、R4為碳數1～15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，R5、R6、R7、R8為氫原子或以R5與R7、R6與R8形成三甲撐或1,3-亞環戊烯基之原子團)。以本發明之高分子化合物為基質樹脂之光阻材料係感應高能量線，且感度、解像度、耐蝕刻性優異，因此，可用於以電子射線或遠紫外線之微細加工。特別是ArF準分子雷射、KrF準分子雷射光之曝光波長之吸收較少，因此，容易形成微細且與基板垂直之圖型。
简体摘要：本发明系提供一种含有以下述一般式(1)所示之重复单位及以下述一般式(2)所示之重复单位为特征之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3为氢原子或甲基，R2、R4为碳数1～15之直链状、支链状或环状之烷基，R5、R6、R7、R8为氢原子或以R5与R7、R6与R8形成三甲撑或1,3-亚环戊烯基之原子团)。以本发明之高分子化合物为基质树脂之光阻材料系感应高能量线，且感度、解像度、耐蚀刻性优异，因此，可用于以电子射线或远紫外线之微细加工。特别是ArF准分子激光、KrF准分子激光光之曝光波长之吸收较少，因此，容易形成微细且与基板垂直之图型。

4. 发明专利

TW546543B 抗蝕材料及圖型之形成方法有权
简体标题：抗蚀材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW546543B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW087116629
申请日：1998-10-07
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊聰 , 渡邊修 , 降智欣 , 竹田好文 , 名倉茂廣 , 石原俊信 , 山岡亞夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/039 , C08F8/00 , C08F2810/20 , C08F2810/30 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , C08F112/14
摘要：一種抗蝕材料，其係含有(A)有機溶劑，(B)2種以上之重量平均分子量為1,000~500,000之高分子化合物，其係具有1種或2種酸不穩定基，且於分子內及/或分子間以C-O-C基之交聯基形成交聯之化合物(C)酸產生劑。
本發明之抗蝕材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像度及乾蝕刻耐性，且具有優良之抗蝕圖型之耐熱性及重現性。又，圖型不易形成過溶狀態，而具有極佳之尺寸控制性。其他，可再添加炔醇衍生物以提高保存之安定性。所以本發明之抗蝕材料在具有上述之特性下，特別是因為可以製得對KrF激光激光之曝光波長吸收較小之抗蝕材料，所以容易形成微細且對基版為垂直之圖型，因此極適合作為製造超LSI時使用之微細圖型形成材料。
简体摘要：一种抗蚀材料，其系含有(A)有机溶剂，(B)2种以上之重量平均分子量为1,000~500,000之高分子化合物，其系具有1种或2种酸不稳定基，且于分子内及/或分子间以C-O-C基之交联基形成交联之化合物(C)酸产生剂。本发明之抗蚀材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像度及干蚀刻耐性，且具有优良之抗蚀图型之耐热性及重现性。又，图型不易形成过溶状态，而具有极佳之尺寸控制性。其他，可再添加炔醇衍生物以提高保存之安定性。所以本发明之抗蚀材料在具有上述之特性下，特别是因为可以制得对KrF激光激光之曝光波长吸收较小之抗蚀材料，所以容易形成微细且对基版为垂直之图型，因此极适合作为制造超LSI时使用之微细图型形成材料。

5. 发明专利

TW530192B 部份氫化之高分子化合物及增强化學性之正型光阻材料失效
简体标题：部份氢化之高分子化合物及增强化学性之正型光阻材料
公开(公告)号：TW530192B
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：TW087100662
申请日：1998-01-19
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：島田順次 , 渡邊修 , 渡邊聰 , 名倉茂廣 , 石原俊信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/039 , C08F8/04 , G03F7/0045 , C08F12/24
摘要：一種重量平均分子量為1000~500000之部份氫化之高分子化合物，其係含有式(1)所示之重覆單位，其中該部份氫化之高分子化合物中苯酚性羥基及／或醇性羥基之部份氫原子係受1種或2種以上酸不穩定基部份取代，且剩餘之苯酚性羥基及／或醇性羥基之一部份與烯醚化合物或鹵化烷醚化合物反應使其於分子內及／或分子間係以C－O－C基架橋基方式架橋，上記酸不穩定基與架橋基之總量受式(1)中苯酚性羥基及醇性羥基之氫原子全體平均之0莫耳%~80莫耳%之比例所取代。
(式中，R1為氫原子或甲基，R2為碳數1~8之直鏈，支鏈或環狀烷基。x為0或正整數、y為正整數，且滿足x+y≦5。p為正數，q為正數，且滿足0

使用本發明高分子化合物作為基礎樹脂之增強化學性之正型光阻材料，可感應高能量線，具優良之感度、解像性、耐等離子蝕刻性等性質，此外光阻圖案之耐熱性亦極優良。又，圖案不易產生凸起而具優良尺寸控制性。
简体摘要：一种重量平均分子量为1000~500000之部份氢化之高分子化合物，其系含有式(1)所示之重复单位，其中该部份氢化之高分子化合物中苯酚性羟基及／或醇性羟基之部份氢原子系受1种或2种以上酸不稳定基部份取代，且剩余之苯酚性羟基及／或醇性羟基之一部份与烯醚化合物或卤化烷醚化合物反应使其于分子内及／或分子间系以C－O－C基架桥基方式架桥，上记酸不稳定基与架桥基之总量受式(1)中苯酚性羟基及醇性羟基之氢原子全体平均之0莫耳%~80莫耳%之比例所取代。 (式中，R1为氢原子或甲基，R2为碳数1~8之直链，支链或环状烷基。x为0或正整数、y为正整数，且满足x+y≦5。p为正数，q为正数，且满足0 使用本发明高分子化合物作为基础树脂之增强化学性之正型光阻材料，可感应高能量线，具优良之感度、解像性、耐等离子蚀刻性等性质，此外光阻图案之耐热性亦极优良。又，图案不易产生凸起而具优良尺寸控制性。

6. 发明专利

TW574627B 增强化學性之正型抗蝕材料失效
简体标题：增强化学性之正型抗蚀材料
公开(公告)号：TW574627B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW085116032
申请日：1996-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土谷純司 TSUCHIYA, JUNJI , 石原俊信 , 名倉茂廣 , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 山岡亞夫 YAMAOKA TSUGUO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757
摘要：本發明係有關一種對遠紫外線、電子線、X線等高能量射線具有高靈敏度之，能以鹼性水溶液顯像而形成圖樣之適用於微細加工技術的增強化學性之正型抗蝕材料。
其係含有，(A)有機溶劑、(B)作為基材樹脂之具有以下列一般式(1)重覆單位所示，重量平均分子量為2,000~50,000之高分子化合物，(C)產酸劑，(D)作為溶解控制劑的重量平均分子量1,000以上3,000以下之分子內具有苯酚性羥基之化合物，且對此苯酚性羥基之氫原子而言平均0%~60%受酸不安定基所取代，之增強化學性之正型抗蝕材料。〔其中，R為下列一般式(2)所亦之基，(式中的R1、R2為各別獨立之氫原子或碳數1~6的直鏈或支鏈之烷基，R3為碳數1~10的直鏈狀、支鏈或環狀之烷基，又，R2及R3可結合成環狀)，Q為酸不安定基，x、y、z為0.05≦x/(x+y+z)≦0.8、0≦y/(x+y+z≦0.5、0.2≦z/(x+y+z)≦0.95之數，n為1~3之整數。〕
简体摘要：本发明系有关一种对远紫外线、电子线、X线等高能量射线具有高灵敏度之，能以碱性水溶液显像而形成图样之适用于微细加工技术的增强化学性之正型抗蚀材料。其系含有，(A)有机溶剂、(B)作为基材树脂之具有以下列一般式(1)重复单位所示，重量平均分子量为2,000~50,000之高分子化合物，(C)产酸剂，(D)作为溶解控制剂的重量平均分子量1,000以上3,000以下之分子内具有苯酚性羟基之化合物，且对此苯酚性羟基之氢原子而言平均0%~60%受酸不安定基所取代，之增强化学性之正型抗蚀材料。〔其中，R为下列一般式(2)所亦之基，(式中的R1、R2为各别独立之氢原子或碳数1~6的直链或支链之烷基，R3为碳数1~10的直链状、支链或环状之烷基，又，R2及R3可结合成环状)，Q为酸不安定基，x、y、z为0.05≦x/(x+y+z)≦0.8、0≦y/(x+y+z≦0.5、0.2≦z/(x+y+z)≦0.95之数，n为1~3之整数。〕

7. 发明专利

TW548516B 光阻材料與圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料与图型之形成方法
公开(公告)号：TW548516B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW090108800
申请日：2001-04-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：西恒寬 , 金生剛 , 名倉茂廣 , 小林知洋 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , C08G61/06 , C08G61/08 , G03F7/0397
摘要：一種光阻材料，其特徵係為以下式所示開環歧化( metathesis)聚合物之氫化物作為基礎樹脂所得者。
本發明所使用之開環歧化聚合物之氫化物，其係適用於具有優良耐熱性、耐熱分解性、光透過性之紫外線或遠紫外線等所使用的半導體微細加工用光阻之聚合物，故具有產業上之價值。使用上述聚合物作為基礎樹脂使用之本發明的光阻材料，可感應高能量線，且具有優良的感度、解像性與蝕刻耐性。
简体摘要：一种光阻材料，其特征系为以下式所示开环歧化( metathesis)聚合物之氢化物作为基础树脂所得者。本发明所使用之开环歧化聚合物之氢化物，其系适用于具有优良耐热性、耐热分解性、光透过性之紫外线或远紫外线等所使用的半导体微细加工用光阻之聚合物，故具有产业上之价值。使用上述聚合物作为基础树脂使用之本发明的光阻材料，可感应高能量线，且具有优良的感度、解像性与蚀刻耐性。

8. 发明专利

TW385315B 具有交連基之高分子化合物的製造方法失效
简体标题：具有交连基之高分子化合物的制造方法
公开(公告)号：TW385315B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW086105267
申请日：1997-04-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊總 , 渡邊修 , 降智欣 , 竹田好文 , 名倉茂廣 , 石原俊信 , 山岡亞夫
IPC分类号： C08F , G03F
摘要：本發明係有關，使重量平均分子量為１，０００～５００，０００之式(１)的高分子化合物與，式(２)之鏈烯醚化合物及式(４ａ)的化合物反應以得式(５ａ)之化合物。
简体摘要：本发明系有关，使重量平均分子量为１，０００～５００，０００之式(１)的高分子化合物与，式(２)之链烯醚化合物及式(４ａ)的化合物反应以得式(５ａ)之化合物。

9. 发明专利

TW561314B 光阻材料及形成圖型之方法有权
简体标题：光阻材料及形成图型之方法
公开(公告)号：TW561314B
公开(公告)日：2003-11-11
申请号：TW088116314
申请日：1999-09-22
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊聰 , 櫻田豐久 , 柳義敬 , 名倉茂廣 , 石原俊信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0048
摘要：〔課題〕
提供光阻材料，其特徵為含有令基板上塗佈之光阻材料表面與水或鹼性顯像液界面之接觸面，隨著添加量增加而降低的氟系界面活性劑。〔解決手段〕
本發明之光阻材料為膜厚均勻性良好，且無塗佈缺陷、與鹼性顯像液之塗覆性優，更且不會增加溶液中的顆粒，保存安定性良好，且對高能量射線感應，並且感度、解像性、再現性均優。因此，本發明之光阻材料因為此些特性，故特別適合作為特別KrF、ArF激元激光之曝光波長下的超LSI製造用之形成微細圖型之材料。〔選擇圖〕無
简体摘要：〔课题〕提供光阻材料，其特征为含有令基板上涂布之光阻材料表面与水或碱性显像液界面之接触面，随着添加量增加而降低的氟系界面活性剂。〔解决手段〕本发明之光阻材料为膜厚均匀性良好，且无涂布缺陷、与碱性显像液之涂覆性优，更且不会增加溶液中的颗粒，保存安定性良好，且对高能量射线感应，并且感度、解像性、再现性均优。因此，本发明之光阻材料因为此些特性，故特别适合作为特别KrF、ArF激元激光之曝光波长下的超LSI制造用之形成微细图型之材料。〔选择图〕无

10. 发明专利

TW548518B 光阻材料,及圖型形成方法有权
简体标题：光阻材料,及图型形成方法
公开(公告)号：TW548518B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW091113198
申请日：2002-06-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：小林知洋 , 西恆寬 , 渡邊聰 , 金生剛 , 名倉茂廣 , 石原俊信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392 , C08G61/06 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要：一種光阻材料，其特徵係含有開環歧化(metathesis)聚合物之氫化物與聚(甲基)丙烯酸衍生物作為基礎樹脂所得者。
使用本發明高分子化合物作為基礎樹脂所得之光阻材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像性、蝕刻耐性等，故極適合用於電子線或遠紫外線之微細加工。特別是於ArF等離子雷射、KrF等離子雷射之曝光波長下之吸收較小，故具有容易形成微細且對基板為垂直之圖別的特徵。
简体摘要：一种光阻材料，其特征系含有开环歧化(metathesis)聚合物之氢化物与聚(甲基)丙烯酸衍生物作为基础树脂所得者。使用本发明高分子化合物作为基础树脂所得之光阻材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像性、蚀刻耐性等，故极适合用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是于ArF等离子激光、KrF等离子激光之曝光波长下之吸收较小，故具有容易形成微细且对基板为垂直之图别的特征。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式