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1. 发明专利

TW201304221A 磁阻效應元件之製造方法审中-公开
简体标题：磁阻效应组件之制造方法
公开(公告)号：TW201304221A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101135284
申请日：2005-09-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION , 獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：大衛賈耶帕威拉 , DJAYAPRAWIRA, DAVID D , 恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 長井基將 , NAGAI, MOTONOBU , 前原大樹 , MAEHARA, HIROKI , 山形伸二 , YAMAGATA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI , 湯淺新治 , YUASA, SHINJI
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/081 , C23C14/34 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F41/18 , H01F41/307 , H01L43/08
摘要：此磁阻效應元件，包含由一對強磁性層和位於那些的中間的阻擋層所構成的層積構造；至少一方的上述強磁性層，至少接於阻擋層的部分具有非晶形物質狀態，上述阻擋層為具有單結晶構造的MgO層。
简体摘要：此磁阻效应组件，包含由一对强磁性层和位于那些的中间的阻挡层所构成的层积构造；至少一方的上述强磁性层，至少接于阻挡层的部分具有非晶形物质状态，上述阻挡层为具有单结晶构造的MgO层。

2. 发明专利

TW201014921A 濺鍍裝置及記錄有其之控制用程式的記錄媒體审中-公开
简体标题：溅镀设备及记录有其之控制用进程的记录媒体
公开(公告)号：TW201014921A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098121194
申请日：2009-06-24
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：山口述夫 , 恆川孝二 , 渡邊直樹 , 小須田求
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3492 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/54
摘要：本發明提供一種對基板7偏移配置有靶材2的濺鍍裝置，即使基板支持保持具6以數轉～數十轉的低轉數、而且1nm膜厚以下之極為少量的沈積，亦可確保沈積量均一性的濺鍍裝置。設有控制部11，其係當將濺鍍粒子對於前述基板7之被成膜面的沈積時間T（秒）中的前述基板支持保持具6的總轉數設為X時，藉由輸入成為X=N+α（其中，N為正整數的總整數轉數、α為正的純小數的餘數小數轉數）的總整數轉數N與餘數小數轉數α的值、與前述沈積時間T的值，以將前述基板支持保持具6的轉速V（rps）滿足V‧T=N+α的方式進行控制。
简体摘要：本发明提供一种对基板7偏移配置有靶材2的溅镀设备，即使基板支持保持具6以数转～数十转的低转数、而且1nm膜厚以下之极为少量的沉积，亦可确保沉积量均一性的溅镀设备。设有控制部11，其系当将溅镀粒子对于前述基板7之被成膜面的沉积时间T（秒）中的前述基板支持保持具6的总转数设为X时，借由输入成为X=N+α（其中，N为正整数的总整数转数、α为正的纯小数的余数小数转数）的总整数转数N与余数小数转数α的值、与前述沉积时间T的值，以将前述基板支持保持具6的转速V（rps）满足V‧T=N+α的方式进行控制。

3. 发明专利

TWI456607B 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法有权
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法
公开(公告)号：TWI456607B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW102131280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12

4. 发明专利

TW201407648A 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法审中-公开
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法
公开(公告)号：TW201407648A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102131280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12
摘要：將在旋轉閥型之通道磁阻元件或是巨大磁阻元件中的磁性層之磁性向異性提升。將磁性層之成膜，藉由將濺鍍粒子對於基板而從一定之入射方向來以一定之入射角度而傾斜入射，而進行之。
简体摘要：将在旋转阀型之信道磁阻组件或是巨大磁阻组件中的磁性层之磁性向异性提升。将磁性层之成膜，借由将溅镀粒子对于基板而从一定之入射方向来以一定之入射角度而倾斜入射，而进行之。

6. 发明专利

TW201515293A 磁阻效應元件审中-公开
简体标题：磁阻效应组件
公开(公告)号：TW201515293A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW104101069
申请日：2005-09-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION , 獨立行政法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：大衛賈耶帕威拉 , DJAYAPRAWIRA, DAVID D , 恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 長井基將 , NAGAI, MOTONOBU , 前原大樹 , MAEHARA, HIROKI , 山形伸二 , YAMAGATA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI , 湯淺新治 , YUASA, SHINJI
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/081 , C23C14/34 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F41/18 , H01F41/307 , H01L43/08
摘要：此磁阻效應元件，包含由一對強磁性層和位於那些的中間的阻擋層所構成的層積構造；至少一方的上述強磁性層，至少接於阻擋層的部分具有非晶形物質狀態，上述阻擋層為具有單結晶構造的MgO層。
简体摘要：此磁阻效应组件，包含由一对强磁性层和位于那些的中间的阻挡层所构成的层积构造；至少一方的上述强磁性层，至少接于阻挡层的部分具有非晶形物质状态，上述阻挡层为具有单结晶构造的MgO层。

7. 发明专利

TWI438840B 氧化處理方法及TMR多層膜的製造方法有权
简体标题：氧化处理方法及TMR多层膜的制造方法
公开(公告)号：TWI438840B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW097104640
申请日：2008-02-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08

8. 发明专利

TWI428462B 濺鍍裝置有权
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TWI428462B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW098121194
申请日：2009-06-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：山口述夫 , YAMAGUCHI, NOBUO , 恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI , 小須田求 , KOSUDA, MOTOMU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/3492 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/54

9. 发明专利

TWI413992B 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法、程式、記憶媒體有权
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法、进程、记忆媒体
公开(公告)号：TWI413992B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098105280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12

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