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1. 发明专利

TWI613846B 磁阻元件的製造方法有权
简体标题：磁阻组件的制造方法
公开(公告)号：TWI613846B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105129145
申请日：2016-09-08
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 猿谷武史 , SARUYA, TAKESHI
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , G01R33/098 , G11B5/3909 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10

2. 发明专利

TW201725766A 磁阻元件的製造方法审中-公开
简体标题：磁阻组件的制造方法
公开(公告)号：TW201725766A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105129145
申请日：2016-09-08
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 猿谷武史 , SARUYA, TAKESHI
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , G01R33/098 , G11B5/3909 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本發明，係提供改善產量並獲得高的MR比之磁阻效應元件的製造方法。本發明的一實施形態相關的磁阻元件的製造方法，係包含：形成第1強磁性層之程序；於第1腔室內在第1強磁性層上形成穿隧能障層之程序；以及在穿隧能障層上形成第2強磁性層之程序；其中，形成穿隧能障層之程序，係具有：在第1強磁性層上將金屬層成膜之程序；將金屬層氧化之程序；以及在比形成第2強磁性層之程序之前，使第1腔室內在保持既定溫度下減壓至金屬層會氣化之既定壓力之程序。
简体摘要：本发明，系提供改善产量并获得高的MR比之磁阻效应组件的制造方法。本发明的一实施形态相关的磁阻组件的制造方法，系包含：形成第1强磁性层之进程；于第1腔室内在第1强磁性层上形成穿隧能障层之进程；以及在穿隧能障层上形成第2强磁性层之进程；其中，形成穿隧能障层之进程，系具有：在第1强磁性层上将金属层成膜之进程；将金属层氧化之进程；以及在比形成第2强磁性层之进程之前，使第1腔室内在保持既定温度下减压至金属层会气化之既定压力之进程。

3. 发明专利

TWI438840B 氧化處理方法及TMR多層膜的製造方法有权
简体标题：氧化处理方法及TMR多层膜的制造方法
公开(公告)号：TWI438840B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW097104640
申请日：2008-02-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08

4. 发明专利

TWI644461B 磁阻效應元件的製造方法有权
简体标题：磁阻效应组件的制造方法
公开(公告)号：TWI644461B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106101897
申请日：2017-01-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI
IPC分类号： H01L43/12

5. 发明专利

TWI500792B 濺射裝置、濺射裝置的控制裝置及成膜方法有权
简体标题：溅射设备、溅射设备的控制设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI500792B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101148987
申请日：2012-12-21
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 常松弘志 , TSUNEMATSU, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/505 , C23C14/54

6. 发明专利

TWI492269B 真空加熱冷卻裝置及磁性電阻元件之製造方法有权
简体标题：真空加热冷却设备及磁性电阻组件之制造方法
公开(公告)号：TWI492269B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099116676
申请日：2010-05-25
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI
IPC分类号： H01L21/00 , H01L43/12
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L43/12

7. 发明专利

TWI413992B 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法、程式、記憶媒體有权
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法、进程、记忆媒体
公开(公告)号：TWI413992B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098105280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12

8. 发明专利

TW201343946A 濺射裝置、濺射裝置的控制裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：溅射设备、溅射设备的控制设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201343946A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101148987
申请日：2012-12-21
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 常松弘志 , TSUNEMATSU, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/505 , C23C14/54
摘要：針對利用濺射的成膜，提供一種可得到良好的膜厚分佈的濺射裝置、濺射裝置的控制裝置及成膜方法。在本發明之一實施形態中，在生成電漿的狀態下，一邊以一定的旋轉速度使基板夾具(7)旋轉、一邊進行以下動作。亦即，形成使基板夾具(7)的基板保持面(7a)露出標靶夾具(6)的第1狀態，並開始分割的成膜之第一次成膜，且自第一次分割的成膜開始經過T/X秒後，形成由標靶夾具(6)來遮蔽基板保持面(7a)的第2狀態。而且一旦設定在基板夾具(7)上的基準點自開始對象的成膜之地點來到(n-1)×360/X度(n為2~X的整數)進行旋轉的位置，即形成第1狀態開始分割的成膜之第n次成膜，且由第n次分割的成膜開始經過T/X秒的話，即形成第2狀態。
简体摘要：针对利用溅射的成膜，提供一种可得到良好的膜厚分布的溅射设备、溅射设备的控制设备及成膜方法。在本发明之一实施形态中，在生成等离子的状态下，一边以一定的旋转速度使基板夹具(7)旋转、一边进行以下动作。亦即，形成使基板夹具(7)的基板保持面(7a)露出标靶夹具(6)的第1状态，并开始分割的成膜之第一次成膜，且自第一次分割的成膜开始经过T/X秒后，形成由标靶夹具(6)来屏蔽基板保持面(7a)的第2状态。而且一旦设置在基板夹具(7)上的基准点自开始对象的成膜之地点来到(n-1)×360/X度(n为2~X的整数)进行旋转的位置，即形成第1状态开始分割的成膜之第n次成膜，且由第n次分割的成膜开始经过T/X秒的话，即形成第2状态。

9. 发明专利

TW201803166A 磁阻效應元件的製造方法审中-公开
简体标题：磁阻效应组件的制造方法
公开(公告)号：TW201803166A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106101897
申请日：2017-01-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12
摘要：有關本發明的一實施形態的磁阻效應元件的製造方法，具有：在形成參考層的基板上形成Mg膜，並藉由將Mg膜氧化而在參考層之上形成MgO層的工程；將形成MgO層的基板加熱的工程；在加熱工程之後，在MgO層之上形成Mg層的工程；將形成Mg層的基板冷卻的工程；以冷卻工程來將基板冷卻的狀態，在Mg層之上形成自由層的工程；其中，形成Mg層的工程、冷卻工程、形成自由層的工程，係在相同處理室內進行。
简体摘要：有关本发明的一实施形态的磁阻效应组件的制造方法，具有：在形成参考层的基板上形成Mg膜，并借由将Mg膜氧化而在参考层之上形成MgO层的工程；将形成MgO层的基板加热的工程；在加热工程之后，在MgO层之上形成Mg层的工程；将形成Mg层的基板冷却的工程；以冷却工程来将基板冷却的状态，在Mg层之上形成自由层的工程；其中，形成Mg层的工程、冷却工程、形成自由层的工程，系在相同处理室内进行。

10. 发明专利

TWI456607B 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法有权
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法
公开(公告)号：TWI456607B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW102131280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12

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