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1. 发明申请

WO2006098237A1 成膜装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2006098237A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304726
申请日：2006-03-10
申请人：学校法人同志社 , 株式会社堀場製作所 , 千田二郎 , 大嶋元啓 , 石田耕三 , 富永浩二
发明人：千田二郎 , 大嶋元啓 , 石田耕三 , 富永浩二
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31637 , C23C16/4485 , C23C16/45557 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02271 , H01L21/31604
摘要：　酸素欠損の少ない金属酸化膜又は金属窒化膜を、高速で再現性よく成膜することを可能にし、同時に装置の小型化を実現することであり、本発明に係る成膜装置は、基板２を内部に保持する成膜室３と、液体原料を成膜室３内に直接噴射する噴射弁４と、を備え、前記液体原料が、金属化合物と低沸点有機化合物とからなる混合溶液であり、前記成膜室３内の圧力を、前記低沸点有機化合物と混合する前の前記金属化合物の蒸気圧よりも大きくし、かつ前記混合溶液の蒸気圧よりも小さくしている。
摘要翻译：以高重复性形成具有较少氧空位的金属氧化物膜或金属氮化物膜，同时尺寸减小。成膜装置设置有用于将基板（2）保持在其内的成膜室（3）和用于将液体材料直接注入成膜室（3）的注射阀（4）。液体材料是由金属化合物和低沸点有机化合物组成的混合溶液。在与低沸点有机化合物混合并且小于混合溶液的蒸气压之前，允许成膜室（3）中的压力大于金属化合物的蒸气压。

2. 发明申请

WO2009119319A1 イオンセンサ审中-公开
标题翻译：离子传感器
公开(公告)号：WO2009119319A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/054663
申请日：2009-03-11
申请人：株式会社堀場製作所 , 逢坂哲彌 , 笹野順司 , 芝田学 , 佐竹大輔 , 山内悠 , 野村聡 , 富永浩二
发明人：逢坂哲彌 , 笹野順司 , 芝田学 , 佐竹大輔 , 山内悠 , 野村聡 , 富永浩二
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4148
摘要：　測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供することを目的とし、ゲート部にイオン感応膜が設けてある第１及び第２のＩＳＦＥＴを備えていて、第２のＩＳＦＥＴは、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、第２のＩＳＦＥＴの当該測定対象イオンに対する感度が、第１のＩＳＦＥＴの当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるようにした。
摘要翻译：提供了一种离子传感器，可以确保良好的重现性和测量的稳定性，从而小型化和固化。离子传感器包括第一和第二ISFET，每个ISFET在其栅极部分处提供离子敏感膜，其中第二ISFET在其栅极部分设置有具有涂覆有自组装单层的表面的离子敏感膜由具有对测定对象离子不敏感的离子不敏感基团的材料化合物和对测定对象离子敏感的具有离子敏感性基团的材料化合物构成，并且将第二ISFET对测定对象离子的灵敏度设定为低于第一个ISFET对测量对象离子的灵敏度。

3. 发明申请

WO2006100953A1 成膜方法及び成膜装置审中-公开
标题翻译：电影形成方法和电影形成装置
公开(公告)号：WO2006100953A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/304904
申请日：2006-03-13
申请人：株式会社堀場製作所 , 株式会社堀場エステック , 学校法人同志社 , 石田耕三 , 富永浩二 , 松田耕一郎 , 清水哲夫 , 千田二郎 , 大嶋元啓 , 米田有紀子
发明人：石田耕三 , 富永浩二 , 松田耕一郎 , 清水哲夫 , 千田二郎 , 大嶋元啓 , 米田有紀子
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C14/3428 , C23C16/402 , C23C16/4485 , C23C16/45523 , H01L21/02164 , H01L21/02183 , H01L21/02214 , H01L21/02271 , H01L21/31637
摘要：　本発明は、液体原料を気化し、基板２上に堆積させて成膜する成膜装置１であって、前記基板２を内部に保持する成膜室３と、前記液体原料を前記成膜室３内に直接噴射する噴射弁４と、前記噴射弁４を周期的に開閉させることにより、前記液体原料を前記成膜室３内に直接噴射し気化して供給する供給時間と、前記液体原料を前記成膜室３内に供給しない供給停止時間とを交互に設けて制御し、前記液体原料を前記成膜室３内に間欠的に供給する制御装置１１とを備え、当該制御装置１１が、前記供給停止時間を、前記基板２上に堆積した前記液体原料の原子又は分子が泳動し、前記基板２上で反応副生成物が蒸発するための泳動・蒸発時間と同じかあるいはそれよりも長く制御していることを特徴とするものであり、緻密で不純物の少ない高品位な薄膜を生成することを目的とする。
摘要翻译：一种成膜装置（1），其中液体原料蒸发并沉积在基底（2）上。其特征在于，其包括：用于将基板（2）保持在内部的成膜室（3）用于将液体原料直接喷射到成膜室（3）中的喷射阀（4）; 以及控制器（11），其通过周期性地打开和关闭喷射阀（4）来使液体原料间歇地供给到成膜室（3），以交替地设定直接喷射液体原料的进料时间进入成膜室（3）以将原料进料到蒸发状态，以及进料停止时间，其中液体原料未被供给到成膜室（3），并且控制器（11）调节进料悬浮时间等于或长于沉积在基板（2）上的液体原料移动的原子或分子所需的移动/蒸发时间以及在基板（2）上产生的副产物至蒸发。因此，产生致密且杂质含量低的高品质薄膜。

4. 发明申请

WO2004086511A1 半導体装置およびその製造方法、ならびに金属化合物薄膜の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法及其生产金属化合物薄膜的方法
公开(公告)号：WO2004086511A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/004060
申请日：2004-03-24
申请人：ローム株式会社 , 株式会社ルネサステクノロジ , 株式会社堀場製作所 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 岩本邦彦 , 生田目俊秀 , 富永浩二 , 安田哲二
发明人：岩本邦彦 , 生田目俊秀 , 富永浩二 , 安田哲二
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：高誘電体ゲート絶縁膜（１０６）を、シリコン基板（１０２）側から、窒素高濃度層、窒素低濃度層および窒素高濃度層がこの順で積層した構造とする。
摘要翻译：高电介质栅极绝缘膜（106）被构造成包括硅衬底（102），并且依次叠加有高氮浓度的层，低氮浓度层和高氮浓度层。

5. 发明申请

WO2004086510A1 半導体装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004086510A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003631
申请日：2004-03-18
申请人：株式会社堀場製作所 , ローム株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 株式会社ルネサステクノロジ , 富永浩二 , 岩本邦彦 , 安田哲二 , 生田目俊秀
发明人：富永浩二 , 岩本邦彦 , 安田哲二 , 生田目俊秀
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/3142 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/518
摘要：本発明は、ゲート絶縁膜に起因するトランジスタ特性の劣化や界面層の増加を抑制した高品位の半導体装置とその製造方法を提供する。本発明では、シリコン基板の一つの面に界面層と拡散抑制層と高誘電率絶縁膜とがこの順で形成されている。
摘要翻译：公开了一种高质量的半导体器件，其中抑制了归因于栅极绝缘膜的晶体管特性的劣化和界面层的增加。还公开了一种用于制造这种半导体器件的方法。半导体器件包括在硅衬底的表面上依次形成的界面层，扩散抑制层和高介电常数绝缘膜。

6. 发明申请

WO2005067015A1 成膜装置と成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2005067015A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/JP2004/019239
申请日：2004-12-22
申请人：株式会社堀場製作所 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 株式会社ルネサステクノロジ , ローム株式会社 , 富永浩二 , 安田哲二 , 生田目俊秀 , 岩本邦彦
发明人：富永浩二 , 安田哲二 , 生田目俊秀 , 岩本邦彦
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/45544
摘要：成膜工程におけるスループットを改善すると同時に良質な薄膜を低コストで生産する。そのために、成膜室８と、前記成膜室８へ原料ガスを供給する原料ガス供給配管２と、前記成膜室８へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給配管１と、前記原料ガス及び前記反応性ガスをパージするパージガスを供給するパージガス供給配管３とを備え、前記原料ガスの供給又は反応性ガスの供給とパージとを交互に行うことにより、前記成膜室８内で基板８２上に薄膜を成膜する成膜装置であって、前記原料ガス供給配管２の一部又は全部に設定され、前記原料ガスの非供給時に前記原料ガスを封入し得る、一定容積を有した中間配管２２、及び／又は前記反応性ガス供給配管１の一部又は全部に設定され、前記反応性ガスの非供給時に前記反応性ガスを封入し得る、一定容積を有した中間配管１２を備えていることを特徴とする成膜装置とした。
摘要翻译：改善了成膜过程中的成本，同时以低成本生产出优质的薄膜。成膜装置具有成膜室（8），用于向成膜室（8）供给原料气体的原料气体供给配管（2），向反应气体供给管道（1）供给反应气体成膜室（8）和净化气体供给管道（3），用于提供吹扫原料气体和反应气体的净化气体。成膜装置通过交替地进行原料气体的供给或反应气体的供给和清洗而在成膜室（8）的基板（82）上形成薄膜。成膜装置具有一定体积的中间管道（22）和/或中间管道（12）。中间管道（22）设置在原料气体供给管道（2）的一部分或全部，当不供给原料气体时，中间管道能够将原料气体密封。中间管道（12）设置在反应气体供给管道（1）的一部分或全部，并且当不供应反应气体时，中间管道可以将反应气体密封。

7. 发明申请

WO2004086485A1 半導体装置における絶縁膜の形成方法审中-公开
标题翻译：在半导体器件中形成绝缘膜的方法
公开(公告)号：WO2004086485A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003638
申请日：2004-03-18
申请人：株式会社堀場製作所 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 株式会社ルネサステクノロジ , ローム株式会社 , 富永浩二 , 安田哲二 , 生田目俊秀 , 岩本邦彦
发明人：富永浩二 , 安田哲二 , 生田目俊秀 , 岩本邦彦
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/28185 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L29/517
摘要：本発明は、ゲート絶縁膜中にその膜質を劣化させる不純物を可及的に存在させないようにすることができる半導体装置の製造方法を提供する。本発明では、絶縁膜の厚みを0.3～2nmの範囲に成膜する工程と前記絶縁膜中の不純物を除去する工程を複数回繰り返すことによって、所定厚みの絶縁膜とする。
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其能够尽可能地消除栅极绝缘膜中的杂质，这些杂质劣化了栅极绝缘膜的膜特性。在该方法中，多次重复形成厚度为0.3-2nm的绝缘膜的步骤和除去绝缘膜中的杂质的步骤，从而形成具有一定厚度的绝缘膜。

8. 发明申请

WO2004086481A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：胶片形成装置
公开(公告)号：WO2004086481A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/004076
申请日：2004-03-24
申请人：ローム株式会社 , 株式会社ルネサステクノロジ , 株式会社堀場製作所 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 岩本邦彦 , 生田目俊秀 , 富永浩二 , 安田哲二
发明人：岩本邦彦 , 生田目俊秀 , 富永浩二 , 安田哲二
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3141 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/3143 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691
摘要：ＡＬＤ法により、金属原子層、酸素原子層をこの順で形成した後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）による急速熱アニールを行う。この工程を一サイクルとしてサイクルを繰り返し、高誘電率膜を形成する。
摘要翻译：通过按照ALD法在该顺序中重复形成金属原子层和氧原子层的步骤，然后进行快速热退火（RTA），由此形成高介电常数的膜。

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