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1. 发明申请

WO2006038324A1 半導体センシング用電界効果型トランジスタ、半導体センシングデバイス、半導体センサチップ及び半導体センシング装置审中-公开
标题翻译：半导体感测场效应晶体管，半导体感测器件，半导体传感器芯片和半导体感测器件
公开(公告)号：WO2006038324A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/004288
申请日：2005-03-11
申请人：学校法人早稲田大学 , 丹羽大介 , 小岩一郎 , 逢坂哲彌
发明人：丹羽大介 , 小岩一郎 , 逢坂哲彌
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/414
摘要：　ゲート絶縁層上に、有機単分子膜を形成して用いる半導体センシングデバイス用の電界効果型トランジスタであって、ゲート絶縁層が、第１のシリコン酸化物層上にシリコン窒化物層を介して第２のシリコン酸化物層が積層されてなる積層構造を具備する半導体センシング用電界効果型トランジスタ及び半導体センシングデバイス、並びにゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極がシリコン基板上に集積された電界効果型トランジスタチップと、ソース電極と接続されたソース電極端子配線と、ドレイン電極と接続されたドレイン電極端子配線とを備え、トランジスタチップ、ソース電極端子配線及びドレイン電極端子配線が、トランジスタチップのゲート絶縁層、ソース電極端子配線のソース電極と接続されていない端部及びドレイン電極端子配線のドレイン電極と接続されていない端部が露呈するように封止されている半導体センサチップ及び半導体センシング装置。
摘要翻译：半导体感测场效应晶体管使用形成在栅极绝缘层上的有机单分子膜。在半导体感测场效应晶体管和半导体感测装置中，栅极绝缘层具有堆叠结构，其中第二氧化硅层通过氮化硅层堆叠在第一氧化硅层上。半导体传感器芯片和半导体感测装置设置有场效应晶体管芯片，其中栅极绝缘层，源电极和漏电极集成在硅板上，源极端子布线与源极连接，以及漏极端子布线与漏电极连接。在半导体传感器芯片和半导体感测装置中，晶体管芯片，源极端子布线和漏极端子布线被密封，以暴露未与晶体管芯片的栅极绝缘层连接的边缘部分和源电极端子配线的源电极以及未与漏电极端子配线的漏电极连接的边缘部。

2. 发明专利

JP6277633B2 アミロイドの検出方法及びアミロイド結合性化合物固定化半導体センシングデバイス有权
公开(公告)号：JP6277633B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2013175464
申请日：2013-08-27
申请人：逢坂哲彌
发明人：逢坂哲彌 , 秀島翔 , 小池あゆみ , 朝日透 , 澤村直哉 , 黒岩繁樹
IPC分类号： G01N27/414

3. 发明申请

WO2013054813A1 電池システムおよび電池の評価方法审中-公开
标题翻译：电池系统和电池评估方法
公开(公告)号：WO2013054813A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/JP2012/076217
申请日：2012-10-10
申请人：学校法人早稲田大学 , 逢坂哲彌 , 門間聰之 , 横島時彦 , 向山大吉 , 奈良洋希
发明人：逢坂　哲彌 , 門間　聰之 , 横島　時彦 , 向山　大吉 , 奈良　洋希
IPC分类号： G01R31/36
CPC分类号： G01R31/3641 , G01R31/3627 , G01R31/3651 , G01R31/3662 , G01R31/3679 , H01M10/425 , H01M10/613
摘要：電池システム１は、正極１１と負極１５と電解質１２、１４とを有する二次電池１０と、初期抵抗値および評価周波数を含む予め測定された二次電池１０の固有情報を記憶する記憶部２３と、記憶部２３に記憶されている評価周波数の交流信号を二次電池１０に印加する電源部２０と、交流信号から二次電池１０の固体電解質界面被膜１７のインピーダンスを測定する測定部２２と、前記インピーダンスおよび固有情報から二次電池１０の劣化度または充電深度の少なくともいずれかを算出する算出部２４と、を具備する。
摘要翻译：一种具有：具有正极（11），负极（15）和电解质（12,14）的二次电池（10）的电池系统（1）。存储单元（23），用于存储关于二次电池（10）的预测特性信息，包括初始电阻值和评估频率; 动力单元，其将具有存储在所述存储单元中的评估频率的AC信号施加到所述二次电池; 测量单元（22），其根据所述AC信号测量所述二次电池（10）的固体电解质界面膜（17）的阻抗; 以及从阻抗和特性信息计算二次电池（10）的劣化程度和/或深度的计算单元（24）。

4. 发明申请

WO2012050155A1 電析物、リチウム二次電池用活物質、およびリチウム二次電池审中-公开
标题翻译：电沉积材料，用于锂二次电池的活性材料和锂二次电池
公开(公告)号：WO2012050155A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/JP2011/073505
申请日：2011-10-13
申请人：学校法人早稲田大学 , 逢坂哲彌 , 門間聰之 , 横島時彦 , 奈良洋希
发明人：逢坂　哲彌 , 門間　聰之 , 横島　時彦 , 奈良　洋希
IPC分类号： H01M4/48 , C25B1/00
CPC分类号： C25D3/66 , C25D3/54 , C25D5/48 , C25D9/08 , C25D15/02 , H01M4/0438 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/48
摘要：本発明は、シリコンを含有するリチウム二次電池用活物質に用いられる電析物及びこれを備えたリチウム二次電池に関する。リチウム－シリコンを活物質として負極に用いる電池が提案されているが、実用化のためには、エネルギー容量がより高く、より充放電サイクル特性の良いリチウム二次電池用活物質が求められていた。本発明は、リチウム二次電池用活物質に、シリコンと、酸素と、炭素とを含有するアモルファスからなる電析物を用いることにより、エネルギー容量、充放電サイクル特性の向上を図ったものである。
摘要翻译：本发明涉及：用于锂二次电池的含硅活性物质中使用的电沉积材料; 以及设置有所述电沉积材料的锂二次电池。已经提出在负极中使用锂/硅活性物质的电池，但是为了实际使用这种电池，已经寻求了具有更高能量容量和更好充电/放电循环特性的锂二次电池活性材料。本发明通过在用于锂二次电池的活性材料中使用含有硅，氧和碳的非晶电沉积材料来改善能量容量和充放电循环特性。

5. 发明申请

WO2009119391A1 光学的センサー审中-公开
标题翻译：光传感器
公开(公告)号：WO2009119391A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/055200
申请日：2009-03-17
申请人：学校法人早稲田大学 , 柳沢雅広 , 中西卓也 , 島本直伸 , 齋藤美紀子 , 逢坂哲彌
发明人：柳沢雅広 , 中西卓也 , 島本直伸 , 齋藤美紀子 , 逢坂哲彌
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/64 , G01N21/65
CPC分类号： G01N21/554 , G01N21/658
摘要：照射光の波長に依存せずに高感度で被検出物質を検出することができ、屈折率以外の被検出物質の情報を得ることのできる、表面プラズモン共鳴法を用いた新規の光学的センサーを提供する。基板上に形成された開口部を有しない金属膜２の表面に、中央に直径が０．１～２５０ｎｍの円形の凹部４を形成し、凹部４を中心として同心円状に複数の凹部３を４５０～５３０ｎｍの間隔で周期的に形成した。
摘要翻译：提供了一种使用表面等离子体共振方法的新型光学传感器，所述传感器能够：以高灵敏度检测待检测物质，而不依赖于照明光的波长; 并获得关于待检测物质的折射率以外的信息。在形成在基板上并且没有开口的金属膜（2）的表面上，在中心形成直径为0.1至250nm的圆形凹陷（4），并且多个圆形凹陷（3）同心其中凹陷（4）以450至530nm的间隔形成。

6. 发明申请

WO2009119319A1 イオンセンサ审中-公开
标题翻译：离子传感器
公开(公告)号：WO2009119319A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/054663
申请日：2009-03-11
申请人：株式会社堀場製作所 , 逢坂哲彌 , 笹野順司 , 芝田学 , 佐竹大輔 , 山内悠 , 野村聡 , 富永浩二
发明人：逢坂哲彌 , 笹野順司 , 芝田学 , 佐竹大輔 , 山内悠 , 野村聡 , 富永浩二
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4148
摘要：　測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供することを目的とし、ゲート部にイオン感応膜が設けてある第１及び第２のＩＳＦＥＴを備えていて、第２のＩＳＦＥＴは、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、第２のＩＳＦＥＴの当該測定対象イオンに対する感度が、第１のＩＳＦＥＴの当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるようにした。
摘要翻译：提供了一种离子传感器，可以确保良好的重现性和测量的稳定性，从而小型化和固化。离子传感器包括第一和第二ISFET，每个ISFET在其栅极部分处提供离子敏感膜，其中第二ISFET在其栅极部分设置有具有涂覆有自组装单层的表面的离子敏感膜由具有对测定对象离子不敏感的离子不敏感基团的材料化合物和对测定对象离子敏感的具有离子敏感性基团的材料化合物构成，并且将第二ISFET对测定对象离子的灵敏度设定为低于第一个ISFET对测量对象离子的灵敏度。

7. 发明专利

JP6019944B2 糖化合物固定化半導体センシングデバイス及び生物学的物質の検出方法有权
标题翻译：用于固定半导体糖化合物感测装置和生物物质的检测方法
公开(公告)号：JP6019944B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2012191701
申请日：2012-08-31
申请人：逢坂哲彌
发明人：逢坂哲彌 , 秀島翔 , 黒岩繁樹 , 西村紳一郎 , 比能洋
IPC分类号： G01N27/416 , G01N27/414

8. 发明申请

WO2012133214A1 リチウム二次電池用活物質、リチウム二次電池用負極、およびリチウム二次電池审中-公开
标题翻译：用于锂二次电池的活性材料，锂二次电池负极和锂二次电池
公开(公告)号：WO2012133214A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/057570
申请日：2012-03-23
申请人：学校法人早稲田大学 , 逢坂哲彌 , 門間聰之 , 横島時彦 , 奈良洋希
发明人：逢坂　哲彌 , 門間　聰之 , 横島　時彦 , 奈良　洋希
IPC分类号： H01M4/36 , C01B33/113 , C25D9/08 , C25D11/00 , H01M4/58
CPC分类号： H01M4/5825 , C01B32/225 , C25D9/08 , H01M4/0452 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/587 , H01M4/625
摘要：リチウム二次電池用活物質１２は、シリコンと、酸素と、３０ａｔ％超～８０ａｔ％以下の炭素と、を含有するアモルファスかつ準安定相である。
摘要翻译：用于锂二次电池的活性材料（12）是含有硅，氧和超过30原子％和80原子％以下碳的无定形和亚稳相。

9. 发明申请

WO2007029735A1 蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサ审中-公开
标题翻译：蒸气沉积装置，蒸气沉积方法，光学元件和手套传感器
公开(公告)号：WO2007029735A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317644
申请日：2006-09-06
申请人：学校法人早稲田大学 , 朝日透 , 逢坂哲彌 , 田中真人 , 鈴木俊哉
发明人：朝日透 , 逢坂哲彌 , 田中真人 , 鈴木俊哉
IPC分类号： C23C14/12 , C30B29/54 , G01N1/28
CPC分类号： C30B29/54 , C30B23/002
摘要：ドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のＬ-イソロイシン結晶を基板上に作製し得る蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサを提供する。真空チャンバー４内において所定の基板距離及び基板角度θで基板２を保持し、当該真空チャンバー４内の真空度と、印加手段７からの電圧とを所定値に設定することで、蒸着原料加熱部６によって加熱した蒸着原料10を気化させて、当該気化した蒸着原料10を基板２まで到達させることができ、かくしてドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のＬ-イソロイシン結晶を基板２上に作製し得る。
摘要翻译：本发明提供一种气相沉积装置，其可以通过干法在基板上制备高纯度L-异亮氨酸晶体，同时以高精度控制膜厚度，气相沉积法，光学元件和手性传感器。基板（2）被保持在预定的基板距离处，基板角度θ 在真空室（4）内，真空室（4）内的真空度和施加装置（7）的电压各自被设定为预定值。根据上述结构，通过用于气相沉积原料的加热部（6）加热蒸镀原料（10）可以被汽化，可蒸发气相沉积原料（10）基板（2）。因此，可以通过干法在基板（2）上制备高纯度L-异亮氨酸晶体，同时以高精度控制膜厚度。

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