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    • 2. 发明专利
    • ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム
    • 纳米图形化和超宽带电磁特性测量系统
    • JP2014529839A
    • 2014-11-13
    • JP2014521921
    • 2012-07-17
    • 中国科学院物理研究所北京匯徳信科技有限公司
    • 韓秀峰馬勤礼于国強劉厚方余天周向前艾金虎孫曉玉
    • H01J37/28G01R29/00G01R33/12H01J37/244H01J37/305H01L21/027
    • H01J37/26G01R31/2822G01R31/315H01J37/3174H01J2237/24564H01J2237/28H01L22/12
    • 本発明は、電源1と、制御装置2と、測定装置3とを備え、前記制御装置2は前記測定装置3に接続され、前記制御装置2と前記測定装置3は、それぞれ前記電源1に接続されており、前記測定装置3は、SEM結像又はEBLパターン化機能を有する結像装置31と、真空チャンバー32と、真空システム33と、試料ステージ34と、磁場応答特性測定装置35とを備え、前記真空システム33は前記真空チャンバー32に接続され、前記結像装置31、前記試料ステージ34及び前記磁場応答特性測定装置35は、いずれも前記真空チャンバー32内に設置され、前記結像装置31と前記磁場応答特性測定装置35は前記試料ステージ34に応じて設置されている、ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システムを提供する。本発明によれば、高速で効率よくナノ材料とデバイス、及びそのアレイ試料の測定と研究を行うことができ、幅広い応用分野を有している。
    • 本发明连接在电源1,一个控制单元2,和一个测量装置3中,控制单元2被连接到测量装置3,所述的控制装置2测量装置3中,分别对电源1的 是,测量装置3设置有成像装置具有SEM成像或EBL图案化功能,真空室32,真空系统33,试样台34和磁场响应特性的测量装置31 35 真空系统33连接到真空室32,成像装置31中,样品台34和磁场响应特性的测量装置35都位于真空室32内,成像设备31 其中,所述磁场响应特性的测量装置35是安装在根据样品台34,以提供纳米图案化和超宽带电磁特性测量系统。 根据本发明,可以进行快速和有效的纳米材料和设备,并且阵列样本研究的测定中,具有广泛的应用范围。