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1. 发明专利

JP2014529839A ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム有权
标题翻译：纳米图形化和超宽带电磁特性测量系统
公开(公告)号：JP2014529839A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014521921
申请日：2012-07-17
申请人：中国科学院物理研究所 , 北京匯徳信科技有限公司
发明人：韓秀峰 , 馬勤礼 , 于国強 , 劉厚方 , 余天 , 周向前 , 艾金虎 , 孫曉玉
IPC分类号： H01J37/28 , G01R29/00 , G01R33/12 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/26 , G01R31/2822 , G01R31/315 , H01J37/3174 , H01J2237/24564 , H01J2237/28 , H01L22/12
摘要：本発明は、電源1と、制御装置2と、測定装置3とを備え、前記制御装置2は前記測定装置3に接続され、前記制御装置2と前記測定装置3は、それぞれ前記電源1に接続されており、前記測定装置3は、SEM結像又はEBLパターン化機能を有する結像装置31と、真空チャンバー32と、真空システム33と、試料ステージ34と、磁場応答特性測定装置35とを備え、前記真空システム33は前記真空チャンバー32に接続され、前記結像装置31、前記試料ステージ34及び前記磁場応答特性測定装置35は、いずれも前記真空チャンバー32内に設置され、前記結像装置31と前記磁場応答特性測定装置35は前記試料ステージ34に応じて設置されている、ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システムを提供する。本発明によれば、高速で効率よくナノ材料とデバイス、及びそのアレイ試料の測定と研究を行うことができ、幅広い応用分野を有している。
摘要翻译：本发明连接在电源1，一个控制单元2，和一个测量装置3中，控制单元2被连接到测量装置3，所述的控制装置2测量装置3中，分别对电源1的是，测量装置3设置有成像装置具有SEM成像或EBL图案化功能，真空室32，真空系统33，试样台34和磁场响应特性的测量装置31 35 真空系统33连接到真空室32，成像装置31中，样品台34和磁场响应特性的测量装置35都位于真空室32内，成像设备31 其中，所述磁场响应特性的测量装置35是安装在根据样品台34，以提供纳米图案化和超宽带电磁特性测量系统。根据本发明，可以进行快速和有效的纳米材料和设备，并且阵列样本研究的测定中，具有广泛的应用范围。

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