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    • 5. 发明专利
    • 周波数変換器
    • 频率转换器
    • JP2015211327A
    • 2015-11-24
    • JP2014091511
    • 2014-04-25
    • 三菱電機株式会社
    • 加藤 淳萩原 達也藤原 孝信谷口 英司
    • H04B1/26H03D7/14
    • 【課題】入力されるRF信号の信号レベルが高い場合でも、入出力特性の線形性を維持することができる周波数変換器を得ることを目的とする。 【解決手段】差動のRF信号(電圧信号)を電流信号に変換するRF信号入力回路3と、差動のLO信号をそれぞれ2分周して、位相が90度ずつ異なる4つの分周信号を生成し、その分周信号とRF信号入力回路3により変換されたRF信号(電流信号)を混合することで、位相が90度ずつ異なる4つの混合信号を生成する2分周回路8と、2分周回路8の自己共振周波数を調整するバラクタ容量16,19,22,25とを備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:即使在输入的RF信号的信号电平高的情况下,也能够提供能够保持输入/输出特性的线性的变频器。解决方案:变频器包括:RF信号输入电路3,其转换 差分RF信号(电压信号)转换为电流信号; 1/2分频器电路8,其分别将差分LO信号分成两个,以分别产生相位不同于90°的四个分频信号,并将分频信号与RF信号(电流 信号)由RF信号输入电路3转换,以产生相位不同于90°的四个混合信号; 以及用于调整1/2分频器电路8的自谐振频率的变容二极管电容器16,19,22和25。
    • 6. 发明专利
    • 方向性結合器及び半導体チップ
    • JPWO2020174580A1
    • 2021-06-10
    • JP2019007309
    • 2019-02-26
    • 三菱電機株式会社
    • 藤原 孝信萩原 達也津留 正臣
    • H03H11/38
    • 第1の端子(11)と一端が接続され、第2の端子(12)と他端が接続されている抵抗素子(21)と、抵抗素子(21)の一端に印加されている第1の電圧と正比例している電流、又は、抵抗素子(21)の他端に印加されている第2の電圧と正比例している電流を出力する第1の増幅回路(34)と、第1の端子(11)から第2の端子(12)に向かって信号が流れているときは、抵抗素子(21)の一端に印加されている第1の電圧と抵抗素子(21)の他端に印加されている第2の電圧との電圧差と正比例していて、第1の増幅回路(34)から出力された電流と極性が異なる第1の電流を出力し、第2の端子(12)から第1の端子(11)に向かって信号が流れているときは、第1の電圧と第2の電圧との電圧差と正比例していて、第1の増幅回路(34)から出力された電流と極性が等しい第2の電流を出力する第2の増幅回路(35)と、第1の増幅回路(34)から出力された電流と第1の電流との総和の電流と正比例している電圧値を有する信号、又は、第1の増幅回路(34)から出力された電流と第2の電流との総和の電流と正比例している電圧値を有する信号を第3の端子(13)に出力する第1の加算回路(36)とを備えるように、方向性結合器(1)を構成した。
    • 9. 发明专利
    • 可変利得回路
    • 可变增益电路
    • JP2016092634A
    • 2016-05-23
    • JP2014226145
    • 2014-11-06
    • 三菱電機株式会社
    • 加藤 淳藤原 孝信谷口 英司
    • H03G3/10H03G1/04
    • 【課題】低利得を実現する場合でも、信号の通過位相の変動を抑えることができるようにする。 【解決手段】一端が電源電位1と接続されている負荷抵抗2,3,4と、利得制御電圧によってインピーダンスが調整されるNMOSトランジスタ8,9,10と、変調信号がゲート端子に与えられると、電流信号Iが流れるNMOSトランジスタ12と、NMOSトランジスタ8,9,10のうち、導通状態のNMOSトランジスタに、電流信号Iの一部又は全部が流れると、導通状態のNMOSトランジスタに流れている電流信号と、そのNMOSのドレイン端子と接続されている負荷抵抗の抵抗値とに比例する利得の信号を出力する信号出力端子14とを備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:即使实现低增益条件,也抑制通过信号的相位变化。解决方案:可变增益电路包括:一端连接到电源电压1的负载电阻器2,3和4; 阻抗用增益控制电压调节的NMOS晶体管8,9和10; 如果在其栅极端子处给出调制信号,则其上流过电流信号I的NMOS晶体管12; 以及信号输出端子14,用于输出与导通状态下流过NMOS晶体管的电流信号的比例成比例的增益的信号,以及连接到NMOS的漏极端子的负载电阻器的电阻值,如果部分 或者所有电流信号I在NMOS晶体管8,9和10内的导通状态的NMOS晶体管上流动。选择的图示:图1