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1. 发明专利

JPWO2020152820A1 電圧測定装置及びガス絶縁開閉装置有权
公开(公告)号：JPWO2020152820A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019002233
申请日：2019-01-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大竹泰智 , 梅本貴弘 , 橋場康人 , 河野裕之 , 松元大悟
IPC分类号： G01R19/00 , G01R15/24
摘要：本発明は、電気光学結晶内を通じる電圧をゼロにするようバイアス電極を制御するバイアス電源制御部を用いて高電圧導体の直流電圧を測定することが可能な電圧測定装置を提供する。本発明の電圧測定装置は、光源(5)と、光源(5)から出射された光を偏光する偏光子(6)と、高電圧導体(1)と離隔するように設けられ、接地された接地導体(2a)と、浮遊電位であり、接地導体(2a)及び高電圧導体(1)とは非接触である結晶端面電極(4)と、結晶端面電極(4)と接地導体(2a)との間に設けられ、偏光子(6)から出射された光を透過するポッケルスセル(3)と、ポッケルスセル(3)で反射された光を透過する検光子(7)と、検光子(7)から出射された光を検出する光検出器(8)と、光検出器(8)により出力された電圧を結晶内電界に換算して出力する結晶内電界測定部(9)と、高電圧導体(1)と結晶端面電極(4)との間に、結晶端面電極(4)と非接触となるように設けられるバイアス電極(10)と、バイアス電極(10)に接続されるバイアス電源(11)と、結晶内電界測定部(9)と接続され、ポッケルスセル(3)の内部電界をゼロに保つようにバイアス電源(11)を制御するバイアス電源制御部(12)と、結晶内電界測定部(9)及びバイアス電源制御部(12)の出力結果に基づいて高電圧導体(1)の電圧を求める測定電圧演算部(13)と、を備えたことを特徴とする。

2. 发明专利

JP2019176396A 画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019176396A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2018064630
申请日：2018-03-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松澤卓 , 河野裕之 , 多久島秀 , 菅野美樹 , 國枝達也 , 山縣浩作 , 時田直幸
IPC分类号： H04N1/028 , G06T1/00 , G03B27/54 , H04N1/192
摘要：【課題】小型の結像レンズを多数配列した結像光学系においても、上記補助信号を得ることができる画像読取装置を提供する。【解決手段】本発明に係る画像読取装置101は、読取対象物1を照明光で照明する撮像用光源12と、レンズ18およびレンズ20をそれぞれ有し、複数の結像光学素子15と、複数の結像光学素子15により形成された画像のそれぞれを読取る複数のセンサチップ25と、複数の結像光学素子15のうち対象となる結像光学素子15である対象結像光学素子のレンズ20からレ18に向かう補助信号光を読取対象物1に照射する測距用光源40と、を備え、測距用光源40は、対象結像光学素子に隣接する隣接結像光学素子の画像を読取るセンサチップ25が補助信号光を読取るように配置されるものである。【選択図】図2

3. 发明专利

JP6469324B1 画像読み取り装置有权
公开(公告)号：JP6469324B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：JP2018541379
申请日：2018-04-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：多久島秀 , 河野裕之 , 豊田善隆 , 松澤卓
IPC分类号： G06T5/00 , H04N1/028 , H04N1/193 , H04N1/40 , H04N1/60 , H04N1/04
摘要：メモリ(13)には、撮像部(11)が有するセンサが生成し、A−D変換部(12)でA−D変換された色成分ごとの成分データが含まれる画像データが記憶される。幅検出部(15)は、画像処理部(14)で画像処理された画像データに基づき、隣接するセンサが生成する画像データが互いに重複する重複領域の主走査方向の幅を検出する。変位検出部(16)は、重複領域の主走査方向の幅から、撮像部(11)が有する光学系のそれぞれについて、読取対象物の変位を検出する。第1のぼやけ補正部(17)は、読取対象物の変位に応じた、色成分ごとのPSF(Point Spread Function:点像分布関数)を用いて、成分データのぼやけ補正を行う。調節部(18)は、読取対象物の変位に応じた転写倍率に基づき、成分データが示す色成分ごとの画像のサイズを調節する。合成部(19)は、成分データの一部を重ね合わせて合成する。

4. 发明专利

JP5925390B1 変位センサ、変位検出装置及び変位検出方法有权
标题翻译：位移传感器，所述位移检测装置和位移检测方法
公开(公告)号：JP5925390B1
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2015534718
申请日：2014-12-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：多久島秀 , 河野裕之 , 湯澤隆 , 関真規人
IPC分类号： G01B11/00 , G01C3/06
CPC分类号： G01B11/00 , G01C3/06
摘要：照射光を被検出物の被検出面に向けて投光する投光部と、照射光を被検出面に向かって収束させ、照射光が被検出面によって拡散反射された反射光を取込む対物光学系と、対物光学系によって取込まれた透過光の複数の部分を夫々通過させる複数の開口部が形成された遮光板と、画像を撮像する撮像部と、対物光学系によって取込まれた透過光の複数の部分を撮像部に夫々結像させる複数の結像光学系と、撮像部によって撮像された複数のスポットの各々の輝度重心に基づいて、被検出面との間の距離を算出する信号処理部と、を備える。
摘要翻译：待检测投射单元，用于朝着物体的检测表面投射光的照射光的光，照射光向检测表面收敛，则照射光的客观捕获漫射反射的反射光由检测到的表面的光学系统，被形成为具有多个开口的遮光板，以制备结合的多个分别由所述物镜光学系统的透射光的部分的，用于捕获图像的成像单元，通过物镜光学系统所捕获待检测的多个用于每个图像成像的光学系统中的多个所发射的光到所述摄像单元，基于多个各由摄像部拍摄到的光点的亮度重心的中的部分，计算所述表面之间的距离的包括信号处理单元，用于一个。

5. 发明专利

JP5821563B2 画像読取装置および画像読取方法、並びにMTF補正パラメータ決定方法有权
标题翻译：一种图像读取装置及图像读取方法，和MTF校正参数确定方法
公开(公告)号：JP5821563B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2011254006
申请日：2011-11-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：豊田善隆 , 的場成浩 , 河野裕之 , 美濃部正
IPC分类号： H04N1/19 , H04N1/409 , H04N1/40

6. 发明专利

JP5693502B2 光学式エンコーダ有权
公开(公告)号：JP5693502B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2012059123
申请日：2012-03-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：多久島秀 , 野口琢也 , 仲嶋一 , 河野裕之 , 武舎武史 , 立井芳直 , 平位隆史
IPC分类号： G01D5/347

7. 发明专利

JPWO2020095453A1 積層造形装置有权
公开(公告)号：JPWO2020095453A1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2018041750
申请日：2018-11-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：多久島秀 , 河野裕之 , 澤良次 , 森田大嗣
IPC分类号： B22F3/105 , B29C64/386 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B22F3/16
摘要：本発明にかかる積層造形装置は、ワーク(3)上で加工位置を移動させながら溶融した加工材料(7)を加工位置で積層することで付加加工を行うとともに、付加加工を繰り返して造形物(4)を形成する積層造形装置であって、加工材料(7)を溶融する加工光を加工位置に結像する加工光学系(20)と、ワーク(3)上の加工位置とは異なる計測位置に計測用の照明光を照射するライン照明(8)と、照明光が計測位置で反射した反射光を受光する受光部(17)を備える受光光学系(30)と、受光部(17)上における反射光の受光位置に基づいて、ワーク(3)上に形成された造形物(4)の高さを演算する演算部と、を備え、受光光学系(30)は、計測位置で反射して受光部(17)に入射する反射光の結像位置では光を透過させ、加工位置から入射される光の結像位置では光を遮光する遮光マスク(15)を備えることを特徴とする。

8. 发明专利

JPWO2020095454A1 積層造形装置有权
公开(公告)号：JPWO2020095454A1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2018041751
申请日：2018-11-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：多久島秀 , 河野裕之 , 澤良次 , 森田大嗣
IPC分类号： B22F3/105 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B29C64/393 , B29C64/141 , B29C64/268 , B23K26/34 , B23K26/03 , B23K26/21 , B22F3/16
摘要：積層造形装置(100)は、ワーク(3)上で加工位置を移動させながら溶融した加工材料(7)を加工位置で積層することで付加加工を行うとともに、付加加工を繰り返して造形物(4)を形成する積層造形装置(100)であって、ワーク(3)上に形成済みの造形物(4)の計測位置における高さを示す計測結果を出力する高さ計測部と、計測位置に新たに積層するときの加工条件を計測結果に応じて制御する制御部(10)と、を備えることを特徴とする。

9. 发明专利

JP6590124B1 電圧測定装置及びガス絶縁開閉装置有权
公开(公告)号：JP6590124B1
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2019526026
申请日：2019-01-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大竹泰智 , 梅本貴弘 , 橋場康人 , 河野裕之 , 松元大悟
IPC分类号： G01R19/00 , G01R15/24
摘要：本発明は、電気光学結晶内を通じる電圧をゼロにするようバイアス電極を制御するバイアス電源制御部を用いて高電圧導体の直流電圧を測定することが可能な電圧測定装置を提供する。本発明の電圧測定装置は、光源(5)と、光源(5)から出射された光を偏光する偏光子(6)と、高電圧導体(1)と離隔するように設けられ、接地された接地導体(2a)と、浮遊電位であり、接地導体(2a)及び高電圧導体(1)とは非接触である結晶端面電極(4)と、結晶端面電極(4)と接地導体(2a)との間に設けられ、偏光子(6)から出射された光を透過するポッケルスセル(3)と、ポッケルスセル(3)で反射された光を透過する検光子(7)と、検光子(7)から出射された光を検出する光検出器(8)と、光検出器(8)により出力された電圧を結晶内電界に換算して出力する結晶内電界測定部(9)と、高電圧導体(1)と結晶端面電極(4)との間に、結晶端面電極(4)と非接触となるように設けられるバイアス電極(10)と、バイアス電極(10)に接続されるバイアス電源(11)と、結晶内電界測定部(9)と接続され、ポッケルスセル(3)の内部電界をゼロに保つようにバイアス電源(11)を制御するバイアス電源制御部(12)と、結晶内電界測定部(9)及びバイアス電源制御部(12)の出力結果に基づいて高電圧導体(1)の電圧を求める測定電圧演算部(13)と、を備えたことを特徴とする。

10. 发明专利

JPWO2017150512A1 画像読取装置有权
公开(公告)号：JPWO2017150512A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017007723
申请日：2017-02-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：河野裕之 , 山縣浩作 , 美濃部正 , 國枝達也 , 児玉雅俊
IPC分类号： G06T1/00 , G02B3/00 , G02B5/00 , H04N1/028
CPC分类号： G02B3/00 , G02B3/06 , G06T1/00 , H04N1/028 , H04N1/19 , H04N5/225
摘要：画像読取装置(1)は、複数の正立等倍像を形成する結像光学系の焦点位置に配置された複数のマイクロ集光レンズ(34)を含むマイクロレンズアレイ33と、マイクロ集光レンズ34に対応する位置に設けられた受光画素(32x)を含む撮像部31とを備える。マイクロ集光レンズ(34)は、結像光学系から入射した光線のうち予め定められた制限角度範囲内の入射角で入射した光線を、当該制限角度範囲外の入射角で入射した光線とは異なる位置に集光させる屈折力を有する。受光画素(32x)の有効受光領域は、マイクロ集光レンズ(32)に入射した光線のうち前記制限角度範囲内の入射角で入射した光線のみを受光する。

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