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    • 7. 发明专利
    • 真空処理装置及び膜厚分布調整方法
    • 真空处理装置和调整薄膜厚度分布的方法
    • JP2015119103A
    • 2015-06-25
    • JP2013262811
    • 2013-12-19
    • 三菱重工業株式会社
    • 増田 拓郎中尾 禎子田頭 健二竹内 良昭
    • C23C16/509C23C16/52H05H1/46H01L21/205
    • 【課題】基板に製膜処理を実施する際に、高周波電力の供給条件の選定を適正化して、簡易かつ短時間で製膜される膜厚分布を均一にする、ことを目的とする。 【解決手段】高周波電力によりプラズマを形成する薄膜製造装置は、高周波電力を出力する高周波電源31、高周波電力の位相を変調する位相変調器33、対向電極、高周波電力が供給され、対向電極との間にプラズマを形成する複数の放電電極3、及び放電電極3における高周波電力の位相滞在時間分布、及び放電電極3における電圧分布を計測するRFモニタ34を備える。そして、薄膜製造装置は、位相滞在時間分布と電圧分布との積が所定の範囲内となるように、位相滞在時間分布及び電圧分布の少なくとも一方が調整される。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:通过优化对基板进行薄膜沉积处理的高频功率的供给条件的选择,可以容易且短时间地沉积薄膜的厚度分布。解决方案:用于形成等离子体的薄膜制造装置 通过高频功率包括:输出高频功率的高频电源31; 调制高频功率的相位的相位调制器33; 对电极 多个放电电极3,其供给高频电力,并且在放电电极和对电极之间形成等离子体; 以及RF监视器34,其测量放电电极3上的高频功率的相位停留时间分布和放电电极3上的电压分布。在薄膜制造装置中,相位停留时间分布和电压中的至少一个 调整分配,使得相位停留时间分布和电压分布的乘积在预定范围内。