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1. 发明专利

JP2016121064A GaN単結晶およびウエハ有权
标题翻译： GaN单晶和波长
公开(公告)号：JP2016121064A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2016004026
申请日：2016-01-13
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典 , 川端紳一郎 , 長岡裕文 , 小島厚彦
IPC分类号： C30B7/10 , C30B33/02 , C30B29/38
摘要：【課題】アモノサーマル法で結晶成長した場合であっても、低抵抗で移動度が高い窒化物単結晶およびその製造方法の提供。【解決手段】超臨界状態及び/又は亜臨界状態の窒素を含有する溶媒の存在下でのアモノサーマル法で結晶成長した窒化物単結晶を750℃以上で5.5時間以上アニール処理するアニール処理方法。アニール処理により得られ、n型キャリア濃度が1×10 16 〜1×10 20 cm-3、比抵抗(ρ)が1×10 -4 〜1×10 -1 Ωcmであって、発光スペクトル分析において、波長450〜750nmにあるイエローバンドピークの最大ピーク発光強度に対する、発光強度が330〜400nmにあるバンド端発光ピークの最大ピーク発光強度の比が1以上であり、水素(H)濃度が5×10 16 atoms/cm 3 以上である窒化物単結晶。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供即使在氨热法生长时具有低电阻和高迁移率的氮化物单晶及其制造方法。提供一种退火处理方法，其中生长在在含有超临界状态和/或亚临界状态的氮的溶剂的存在下，在750℃以上进行5.5小时以上的退火处理。在退火处理中获得的氮化物单晶的n型载流子浓度为1×10 -1×10cm -3，比电阻（ρ）为（1×10）〜（1×10）Ωcm，比例在发射光谱分析中，在330nm和400nm之间的波长中的带末端发射峰的最大峰值发射强度为在450nm和750nm之间的波长中的黄色带峰的最大峰值发射强度的1个或更多个，氢（H）浓度为5×10原子/厘米或更多。选择图：无

2. 发明专利

JP5929801B2 窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5929801B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013060287
申请日：2013-03-22
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典 , 鏡谷勇二 , 川端紳一郎
IPC分类号： C30B29/40

3. 发明专利

JP5870887B2 窒化物単結晶のアニール処理方法有权
标题翻译：氮化物单晶的退火方法
公开(公告)号：JP5870887B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2012218275
申请日：2012-09-28
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典 , 川端紳一郎 , 長岡裕文 , 小島厚彦
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/38

4. 发明专利

JP6003690B2 窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6003690B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013020033
申请日：2013-02-05
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 川端紳一郎 , 鎌田和典 , 三川豊 , 藤澤英夫
IPC分类号： C30B9/08 , C30B7/10 , C30B29/38

5. 发明专利

JP5983483B2 周期表第13族金属窒化物多結晶の製造方法及び周期表第13族金属窒化物多結晶有权
标题翻译：周期表第13族金属氮化物多晶的制备和周期表第13族金属氮化物的多晶
公开(公告)号：JP5983483B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2013058179
申请日：2013-03-21
申请人：三菱化学株式会社
发明人：齋藤雄也 , 長岡裕文 , 久保田浩平
IPC分类号： C30B29/38

6. 发明专利

JP2015083528A 第13族金属窒化物結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：第十三组金属氮化物晶体的制造方法
公开(公告)号：JP2015083528A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2013232250
申请日：2013-11-08
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 齋藤雄也 , 久保田浩平
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/34 , C23C16/448 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】原料利用効率を高め、第13族金属窒化物結晶を効率良く成長させることができる方法を提供する。【解決手段】第13族金属元素を含む液体と反応性ガスを接触させて第13族金属元素を含むガスを発生させ、発生したガスとアンモニアとを用いて第13族金属窒化物結晶を成長させる、第13族金属窒化物結晶の製造方法であって、前記液体を保持する容器の幅Wと保持された前記液体の深さHとの比W/Hが0.40以上である第13族金属窒化物結晶の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高原料利用效率并有效地生长第十三族金属氮化物晶体的方法。解决方案：在第ⅩⅢ族金属氮化物晶体的制造方法中，含有第ⅩⅢ族的液体金属元素与反应性气体接触以产生含有第ⅩⅢ族金属元素的气体，并且通过使用产生的气体和氨生长金属氮化物的晶体。保持液体的容器的宽度W与液体的深度H之比W / H为0.40以上。

7. 发明专利

JP2016222540A 窒化物結晶の製造方法有权
标题翻译：的氮化物结晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016222540A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016146212
申请日：2016-07-26
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 鏡谷勇二 , 藤澤英夫 , 鎌田和典 , 三川豊
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】アモノサーマル法によって優れた導電性を有する窒化物結晶を効率良く製造する方法の提供。【解決手段】窒化物結晶原料8を反応容器1の原料充填領域6に充填し、反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法よって、酸素でドープされ、キャリア濃度が5×10 17 〜2×10 19 atoms/cm3、好ましくは8×10 17 atoms/cm 3 、更に好ましくは1×10 18 atoms/cm 3 であり、フッ素を含有するGaN結晶であって、前記酸素の濃度がキャリア濃度の1.1〜10倍の範囲内であり、1.5×10 18 〜2.5×10 19 atoms/cm 3 であり、酸素のドーパント活性化率が20%以上であるGaN結晶を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了用于有效地生产具有氨热法优异的导电性的氮化物结晶的方法。甲填充有氮化物晶体材料8到原料填充所述反应容器1，在超临界用于在溶剂的存在下在反应容器中的晶体生长的氮化物结晶的制造方法和/或亚临界状态的区域6 因此，掺杂有氧气，5×1017〜2×1019atoms / cm3的载流子浓度，并且优选为8×10个17原子/厘米3，更优选为1×10 18原子/厘米3，含氟，该GaN晶体氧的浓度为1.1〜10倍的载流子浓度的范围为1.5×1018〜2.5×1019atoms / cm3时，氧掺杂剂激活率是提供一种GaN晶体是20％或更多。点域1

8. 发明专利

JP5929807B2 GaN多結晶およびそれを用いたGaN単結晶の製造方法有权
标题翻译：使用相同的制造多晶GaN和GaN单晶的方法
公开(公告)号：JP5929807B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013064734
申请日：2013-03-26
申请人：三菱化学株式会社
发明人：久保田浩平 , 齋藤雄也 , 長岡裕文
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/38

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