专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5870887B2 窒化物単結晶のアニール処理方法有权
标题翻译：氮化物单晶的退火方法
公开(公告)号：JP5870887B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2012218275
申请日：2012-09-28
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典 , 川端紳一郎 , 長岡裕文 , 小島厚彦
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/38

2. 发明专利

JP5748033B1 自立GaN基板、GaN結晶、GaN単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：独立式的GaN衬底，该制造方法的GaN晶体制造方法和GaN单晶的半导体装置
公开(公告)号：JP5748033B1
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2014557935
申请日：2014-08-07
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長尾哲 , 塚田悠介 , 鎌田和典 , 久保秀一 , 池田宏隆 , 藤戸健史 , 藤澤英夫 , 三川豊 , 望月多恵
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B7/105 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , C30B23/025
摘要：改善されたサイズおよび結晶品質を有する、非極性または半極性GaN基板を提供すること。自立GaN基板は、主表面の法線とm軸との間の角度が0度以上20度以下であって、該主表面をM面に垂直投影したときの、投影像のc軸方向のサイズが10mm以上であり、かつ、該主表面とA面との交線上でa軸長を測定したときに、区間長が6mm以上かつ区間内のa軸長変動が10.0×10 -5 Å以下である低歪み区間が観察される。
摘要翻译：它改善了大小和结晶品质，是提供一种非极性或半极性GaN衬底。独立式的GaN衬底是0度的角度更小的正常与主面的m轴，主面之间20度时的垂直投影上的M面，投影图像的c轴方向的尺寸是但10mm或更大，并且，在测量大于6mm和间隔更上相交的主表面和表面上的，段长度a-轴长度变化之间的线a轴长度时是10.0？10-5Å少低失真截面上观察。

3. 发明专利

JP2016222540A 窒化物結晶の製造方法有权
标题翻译：的氮化物结晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016222540A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016146212
申请日：2016-07-26
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 鏡谷勇二 , 藤澤英夫 , 鎌田和典 , 三川豊
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】アモノサーマル法によって優れた導電性を有する窒化物結晶を効率良く製造する方法の提供。【解決手段】窒化物結晶原料8を反応容器1の原料充填領域6に充填し、反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法よって、酸素でドープされ、キャリア濃度が5×10 17 〜2×10 19 atoms/cm3、好ましくは8×10 17 atoms/cm 3 、更に好ましくは1×10 18 atoms/cm 3 であり、フッ素を含有するGaN結晶であって、前記酸素の濃度がキャリア濃度の1.1〜10倍の範囲内であり、1.5×10 18 〜2.5×10 19 atoms/cm 3 であり、酸素のドーパント活性化率が20%以上であるGaN結晶を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了用于有效地生产具有氨热法优异的导电性的氮化物结晶的方法。甲填充有氮化物晶体材料8到原料填充所述反应容器1，在超临界用于在溶剂的存在下在反应容器中的晶体生长的氮化物结晶的制造方法和/或亚临界状态的区域6 因此，掺杂有氧气，5×1017〜2×1019atoms / cm3的载流子浓度，并且优选为8×10个17原子/厘米3，更优选为1×10 18原子/厘米3，含氟，该GaN晶体氧的浓度为1.1〜10倍的载流子浓度的范围为1.5×1018〜2.5×1019atoms / cm3时，氧掺杂剂激活率是提供一种GaN晶体是20％或更多。点域1

4. 发明专利

JP5888242B2 半導体結晶の製造方法、結晶製造装置および第13族窒化物半導体結晶有权
标题翻译：用于制造半导体晶体的结晶制造装置，和IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法
公开(公告)号：JP5888242B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2012550929
申请日：2011-12-26
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊
IPC分类号： C30B7/10 , C01B21/06 , C30B29/38
CPC分类号： C30B7/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/105

5. 发明专利

JP5888208B2 窒化物結晶の製造方法有权
标题翻译：的氮化物结晶的制造方法
公开(公告)号：JP5888208B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2012251369
申请日：2012-11-15
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/38

6. 发明专利

JP5751182B2 窒化物結晶の製造方法、反応容器および結晶製造装置有权
标题翻译：用于制造的氮化物结晶的方法，所述反应容器和晶体制造装置
公开(公告)号：JP5751182B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2012013527
申请日：2012-01-25
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊
IPC分类号： C30B7/10 , H01L21/205 , C30B29/38

7. 发明专利

JP5747810B2 窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置有权
标题翻译：的氮化物结晶的生产过程和晶体制造装置
公开(公告)号：JP5747810B2
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2011283116
申请日：2011-12-26
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊
IPC分类号： C30B7/10 , C01B21/06 , C30B29/38
CPC分类号： Y02P20/544

8. 发明专利

JP6024335B2 周期表第13属金属窒化物半導体基板の製造方法有权
标题翻译：用于制造周期表第13族金属氮化物半导体衬底的方法
公开(公告)号：JP6024335B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2012208977
申请日：2012-09-21
申请人：三菱化学株式会社
发明人：鏡谷勇二 , 鎌田和典 , 三川豊 , 藤澤英夫
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/38

9. 发明专利

JP6020440B2 窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6020440B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2013505971
申请日：2012-03-21
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤澤英夫 , 三川豊 , 鎌田和典
IPC分类号： C30B7/10 , C01B21/06 , C30B29/38
CPC分类号： C30B7/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B7/105 , C30B7/14

10. 发明专利

JP6003690B2 窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6003690B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013020033
申请日：2013-02-05
申请人：三菱化学株式会社
发明人：長岡裕文 , 川端紳一郎 , 鎌田和典 , 三川豊 , 藤澤英夫
IPC分类号： C30B9/08 , C30B7/10 , C30B29/38

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式