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1. 发明申请

WO2009047995A1 半導体ナノ粒子审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE
公开(公告)号：WO2009047995A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/JP2008/067647
申请日：2008-09-29
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 相宮拓司
发明人：西川久美子 , 相宮拓司
IPC分类号： C09K11/59 , C01B33/02 , C09K11/08 , C09K11/66
CPC分类号： C01B33/02 , C09K11/025 , C09K11/59 , C09K11/66
摘要：　分散性に優れ、発光強度の再現性に優れる半導体ナノ粒子は、気相法で作製した半導体ナノ粒子の表面末端が水素原子で覆われていることを特徴とする。
摘要翻译：具有优异的分散性和发光强度重复性的半导体纳米粒子的特征在于，通过气相法制造的半导体纳米粒子的表面末端被氢原子覆盖。

2. 发明申请

WO2009034778A1 ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子审中-公开
标题翻译：生产过程生产的纳米颗粒和磷纳米管的方法
公开(公告)号：WO2009034778A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/062922
申请日：2008-07-17
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 相宮拓司 , 西川久美子
发明人：相宮拓司 , 西川久美子
IPC分类号： C09K11/08 , C01B33/02 , C01G17/00 , C09K11/59 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/59 , C09K11/66
摘要：　元素の周期表における１４族元素を含有し、かつ発光極大波長が３００～６００ｎｍであるナノ粒子をマイクロ流路を利用して高生産性で製造する製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子を提供する。特に、毒性が低く、環境負荷の小さい材料とされるシリコン又はゲルマニウムを構成成分とする蛍光体ナノ粒子の高生産性の製造方法を提供する。本発明のナノ粒子の製造方法は、元素の周期表における１４族元素を含有し、かつ発光極大波長が３００～６００ｎｍであるナノ粒子の製造方法であって、界面活性剤を含む有機溶媒と当該ナノ粒子の原料を含む溶液とを混合してなる逆ミセル溶液（Ｉ）と、還元剤を含む溶液（II）とをマイクロ流路を利用して混合し、還元反応をさせる工程を有することを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供了一种生产纳米粒子的方法，该纳米粒子含有元素周期表中第14族元素，并且具有300-600nm的发射最大波长，利用高生产率的微流通道和通过该方法生产的荧光体纳米粒子。特别地，提供了一种生产荧光体纳米颗粒的方法，其包括被认为是低毒和环境友好的材料的硅或锗。生产纳米颗粒的方法是一种生产含有元素周期表第14族元素并具有300-600nm发射最大波长的纳米颗粒的方法，其特征在于包括将反胶束溶液（I），通过将含表面活性剂的有机溶剂与含有纳米颗粒的原料的溶液混合，使用含有还原剂的溶液（II）利用微流通道进行还原反应。

3. 发明申请

WO2009011195A1 半導体ナノ粒子蛍光体、その製造方法、及びそれを用いた半導体ナノ粒子標識体审中-公开
标题翻译：半导体纳米材料磷光体，其制造方法和使用其的半导体纳米材料标签
公开(公告)号：WO2009011195A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/060970
申请日：2008-06-16
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 午菴一賀
发明人：西川久美子 , 午菴一賀
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/66 , G01N33/533
CPC分类号： G01N33/588 , B82Y15/00 , C09K11/59 , C09K11/66
摘要：　粒径分布が狭く単分散性及び結晶性に優れ、発光強度が高い半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法を提供する。また、当該製造方法によって製造された半導体ナノ粒子蛍光体を用い、生体分子に対する検出性を高めた半導体ナノ粒子標識体を提供する。本発明の半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法は、平均粒径１～１０ｎｍの半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法において、複数の工程でエネルギー付与を行うことを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种具有窄粒度分布，优异的单分散性和结晶度以及高发光强度的半导体纳米粒子荧光体的制造方法。还公开了可以提高生物分子的可检测性的半导体纳米颗粒标记物，其包含通过该方法制备的半导体纳米颗粒磷光体。具体公开了一种平均粒径为1〜10nm的半导体纳米粒子荧光体的制造方法，其特征在于进行两次以上的能量沉积。

4. 发明申请

WO2008139811A1 無機ナノ粒子蛍光体の製造方法及び蛍光体標識化合物审中-公开
标题翻译：无机荧光物质纳米颗粒的生产方法及其与荧光物质标记的化合物
公开(公告)号：WO2008139811A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2008/057267
申请日：2008-04-14
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 塚田和也 , 西川久美子
发明人：塚田和也 , 西川久美子
IPC分类号： C09K11/08 , G01N21/64 , G01N21/78
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/59
摘要：　表面にキャッピング剤を結合させた無機ナノ粒子蛍光体であって、発光強度が高い無機ナノ粒子蛍光体の製造方法を提供する。また、当該無機ナノ粒子蛍光体を用い、生体分子に対する検出性を高めた蛍光体標識化合物を提供する。本発明の無機ナノ粒子蛍光体の製造方法は、半導体ナノ結晶を形成し、その表面にキャッピング剤を結合させた無機ナノ粒子蛍光体の製造方法において、キャッピング剤結合後にプラズマ、熱、放射線、又は超音波による処理のいずれかの後処理を行う工程を含むことを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种具有与其表面结合并且还具有高发光强度的封端剂的无机荧光物质纳米粒子的制造方法。还公开了通过使用无机荧光物质纳米颗粒制备并且对生物分子具有改进的检测性能的荧光物质标记的化合物。无机荧光体纳米粒子的制造方法包括以下工序：形成半导体纳米晶体; 并将封端剂结合到半导体纳米晶体的表面。该方法的特征在于涉及在封端剂结合后，进行从血浆治疗，热处理，放射线治疗和超声波治疗等任一种后处理的步骤。

5. 发明申请

WO2008126714A1 半導体ナノ粒子の製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体纳米粒子的方法
公开(公告)号：WO2008126714A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/056317
申请日：2008-03-31
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 塚田和也 , 古澤直子
发明人：西川久美子 , 塚田和也 , 古澤直子
IPC分类号： C01B33/021 , B82B3/00
CPC分类号： C01B33/021
摘要：　粒径の制御された半導体ナノ粒子を収率良く得る製造方法は、超音波で微小反応場を形成した分散用の液相に半導体ナノ粒子の原料を添加した後、還元剤を添加して半導体ナノ粒子を形成させることを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法によって達成される。
摘要翻译：本发明提供以良好的产率制备具有受控粒径的半导体纳米颗粒的方法。该制造方法的特征在于，将通过超声波形成的非常小的反应场的半导体纳米粒子的原料添加到用于分散体的液相中，然后添加还原剂以形成半导体纳米颗粒。

6. 发明申请

WO2009066548A1 半導体ナノ粒子、それを用いた蛍光標識物質及び分子・細胞イメージング法审中-公开
标题翻译：半导体纳米材料和使用半导体纳米粒子的荧光标记物质和分子/细胞成像方法
公开(公告)号：WO2009066548A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/JP2008/069525
申请日：2008-10-28
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 塚田和也 , 西川久美子
发明人：塚田和也 , 西川久美子
IPC分类号： C09K11/59 , B82B1/00 , C09K11/66 , G01N21/64 , G01N33/533
CPC分类号： G01N33/54346 , A61K49/0067 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , G01N21/6428
摘要：　高い発光効率を有し発光強度に優れ、かつロット間及び粒子間の発光特性のばらつき巾が小さく、安定性・再現性に優れた半導体ナノ粒子を提供する。更に、それを用いた蛍光標識物質及び分子・細胞イメージング法を提供する。本発明の半導体ナノ粒子は、平均粒径が１～２０ｎｍである半導体ナノ粒子であって、それを構成する主要成分原子と等価の価電子配置をもつ異種原子もしくは当該異種原子の原子対をドーパントとして含有し、かつ当該ドーパントが半導体ナノ粒子表面又はその近傍に分布していることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供了具有高发光效率和优异的发光强度的半导体纳米颗粒，在批次和颗粒之间的发光特性的变化宽度小，并且可以实现优异的稳定性和再现性。还提供了使用该半导体纳米粒子的荧光标记物质和分子/细胞成像方法。半导体纳米粒子的特征在于它们具有1至20nm的平均粒径，并且包含具有与构成半导体纳米颗粒的主要成分原子等价的价电子构型的不同原子或不相似原子的不相似原子或原子对的掺杂剂，并且掺杂剂分布在半导体纳米颗粒的表面上或附近。

7. 发明申请

WO2009113374A1 標識方法审中-公开
标题翻译：标记方法
公开(公告)号：WO2009113374A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/053000
申请日：2009-02-20
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 堀田繁郎
发明人：西川久美子 , 堀田繁郎
IPC分类号： G01N21/64 , C09K11/59 , C09K11/66 , G01N21/78 , G01N33/533
CPC分类号： G01N21/6428 , B82Y15/00 , G01N33/588
摘要：　半導体ナノ粒子で標識された複数の分子に励起光を照射し、発光を検出することによりその同定を行うことは、半導体ナノ粒子で標識された分子に励起光を照射し、発光を検出することにより該分子の同定を行う標識方法において、該半導体ナノ粒子の発光スペクトルが波長範囲３００ｎｍ以内に少なくとも３種類の発光ピークを持ち、且つ各スペクトルは重ならないことを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种标记方法，其将激发光施加到由半导体纳米颗粒标记的多个分子，并通过检测发光来识别分子。半导体纳米颗粒在300nm的波长范围内的发光光谱中具有至少三种类型的发光峰，并且光谱彼此不重叠。

8. 发明申请

WO2009041168A1 ロッド状半導体ナノ粒子の製造方法、ロッド状半導体ナノ粒子及び生体物質標識剤审中-公开
标题翻译：生产类似半导体纳米颗粒的方法，类似半导体纳米材料和生物物质标签代理
公开(公告)号：WO2009041168A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/064209
申请日：2008-08-07
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 塚田和也
发明人：西川久美子 , 塚田和也
IPC分类号： B82B3/00 , C09K11/59 , C09K11/66 , G01N21/64
CPC分类号： G01N33/588 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , G01N2021/6439
摘要：　発光強度の高いロッド状半導体ナノ粒子の製造方法を提供することであり、更には該ロッド状半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供することが目的であり、該ロッド状半導体ナノ粒子は、界面活性剤を非極性溶媒１ｍｏｌに対して０．０１～０．１ｍｏｌ用いることを特徴とする逆ミセルを利用したロッド状半導体ナノ粒子の製造方法によって得られる。
摘要翻译：公开了一种具有高发光强度的棒状半导体纳米粒子的制造方法。还公开了使用这种棒状半导体纳米颗粒的生物物质标记试剂。杆状半导体纳米颗粒通过利用反胶束生产棒状半导体纳米颗粒的方法获得，其特征在于每1mol非极性溶剂使用0.01-0.1mol表面活性剂。

9. 发明申请

WO2008114532A1 コア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法とそれを用いて製造された半導体ナノ粒子集合体审中-公开
标题翻译：生产核/壳半导体纳米颗粒和半导体纳米颗粒聚合物的方法
公开(公告)号：WO2008114532A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/051174
申请日：2008-01-28
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 塚田和也
发明人：西川久美子 , 塚田和也
IPC分类号： B82B3/00 , B01J13/04 , B01J19/00 , B82B1/00 , C09K11/08 , C09K11/59
CPC分类号： B01J13/02
摘要：　発光強度の高いコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。また、当該製造方法を用いて製造されたコア／シェル型半導体ナノ粒子集合体を提供する。当該コア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法は、逆ミセルを利用してマイクロエマルジョン法にてコア粒子形成をし、連続してシェルを形成するコア／シェル型半導体ナノ粒子製造方法において、コア形成時の形成場の分配係数対数値（ＬｏｇＰ C ）とシェル形成時の形成場の分配係数対数値（ＬｏｇＰ S ）の比ＬｏｇＰ C ／ＬｏｇＰ S が下記一般式１で表される範囲にあることを特徴とする。一般式１：０．５≦ＬｏｇＰ C ／ＬｏｇＰ S ≦０．９
摘要翻译：一种生产高发光强度的核/壳半导体纳米粒子的方法; 和通过该方法生产的核/壳半导体纳米颗粒聚集体。核/壳半导体纳米粒子的制造方法是使用微乳液技术形成芯粒子并连续形成壳体的方法，其特征在于，核心形成时的形成区域的分布系数对数（LogP < 对于壳形成（LogP）的成形场的分布系数对数，LogP / LogP ~~S 满足关系具有以下公式：0.5 = logP / logP = 0.9（1）。~~

10. 发明申请

WO2010004774A1 シリコンナノ粒子懸濁液、及び生体物質標識剤审中-公开
标题翻译：硅烷纳米颗粒悬浮液和生物物质标签代理
公开(公告)号：WO2010004774A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/JP2009/052764
申请日：2009-02-18
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 高橋優 , 西川久美子
发明人：高橋優 , 西川久美子
IPC分类号： C01B33/02 , G01N33/58
CPC分类号： G01N33/587 , B82Y15/00 , C01B33/02
摘要：　フッ素化物を除去することによって生体内でも適用可能で、発光輝度に優れるシリコンナノ粒子懸濁液を提供することであり、更には該シリコンナノ粒子懸濁液を用いて、生体に安全な生体物質標識剤を提供することであり、該シリコンナノ粒子懸濁液は、基板上にシリコン原子含有酸化ケイ素膜を作製し、該シリコン原子含有酸化ケイ素膜に熱処理（アニール）を施し、フッ酸処理を施し、更にフッ酸からのフッ素イオンを除去すると共に基板を分離する工程で製造されるシリコンナノ粒子懸濁液において、フッ素イオンに基づく該シリコンナノ粒子懸濁液中のフッ素化物の総含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种硅纳米颗粒悬浮液，其由于除去其中的任何氟化化合物而具有优异的亮度，因此可应用于体内。还公开了用于生物体的标记试剂，其对于活体是安全的并且可以通过使用硅纳米颗粒悬浮液来制备。通过以下步骤制造硅纳米颗粒悬浮液：在基板上制造含有硅原子的氧化硅膜; 对氧化硅膜进行热处理（退火）; 对所得氧化硅膜进行氢氟酸处理; 从氢氟酸除去氟离子并分离底板，其中硅纳米颗粒悬浮液中的氟化化合物的总含量以氟离子含量计为100ppm以下。

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