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1. 发明申请

WO2009113374A1 標識方法审中-公开
标题翻译：标记方法
公开(公告)号：WO2009113374A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/053000
申请日：2009-02-20
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 堀田繁郎
发明人：西川久美子 , 堀田繁郎
IPC分类号： G01N21/64 , C09K11/59 , C09K11/66 , G01N21/78 , G01N33/533
CPC分类号： G01N21/6428 , B82Y15/00 , G01N33/588
摘要：　半導体ナノ粒子で標識された複数の分子に励起光を照射し、発光を検出することによりその同定を行うことは、半導体ナノ粒子で標識された分子に励起光を照射し、発光を検出することにより該分子の同定を行う標識方法において、該半導体ナノ粒子の発光スペクトルが波長範囲３００ｎｍ以内に少なくとも３種類の発光ピークを持ち、且つ各スペクトルは重ならないことを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种标记方法，其将激发光施加到由半导体纳米颗粒标记的多个分子，并通过检测发光来识别分子。半导体纳米颗粒在300nm的波长范围内的发光光谱中具有至少三种类型的发光峰，并且光谱彼此不重叠。

2. 发明申请

WO2008114533A1 微粒子作製方法及びそれを用いて作製された半導体微粒子审中-公开
标题翻译：生产精细颗粒的方法和使用该方法生产的半导体精细颗粒
公开(公告)号：WO2008114533A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/051175
申请日：2008-01-28
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 堀田繁郎 , 岡田尚大
发明人：堀田繁郎 , 岡田尚大
IPC分类号： B01J2/04 , B01J19/00 , C01B33/021
CPC分类号： C01B33/021
摘要：　反応場中における微粒子の凝集を抑制でき、かつ、粒径制御を可能にすることにより、粒径分布幅が狭い微粒子を作製することができる微粒子作製方法を提供する。更に、粒径分布幅が狭く、平均粒径がシングルナノオーダーの微粒子を作製することができる微粒子作製方法を提供する。また、当該微粒子作製方法により作製された半導体微粒子を提供する。当該微粒子作製方法は、原料前駆体粒子を噴霧焼成して微粒子を作製する微粒子作製方法において、噴霧原液に原料前駆体成分以外の無機塩を添加し、かつ原料粒子を単位時間当たりの噴霧濃度：１×１０ -3 ～１×１０ -10 ｍｏｌ／ｍｉｎで噴霧することを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种微粒制造方法，其能够防止微粒在反应场中的聚集，并且通过粒径调节，可以制造出具有窄粒径分布宽度的微粒。还提供了一种制造细颗粒的方法，其可以生产具有窄的粒径分布宽度并且具有在单一纳米级上的平均粒径的细颗粒。还提供了通过该方法制备的半导体细颗粒。作为原料的制造方法，以喷射前体粒子为原料，制作微粒，其特征在于，将原料成分以外的无机盐作为原料添加到原料喷雾液中，喷雾原料粒子喷雾浓度为1×10 -3至1×10 -10 mol / min。

3. 发明申请

WO2009069416A1 半導体ナノ粒子とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体纳米材料及其制造方法
公开(公告)号：WO2009069416A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/JP2008/069526
申请日：2008-10-28
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 堀田繁郎 , 高橋優
发明人：堀田繁郎 , 高橋優
IPC分类号： C09K11/08 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B33/02 , C09K11/59 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/02 , C09K11/592
摘要：　スパッタリング法による製膜工程を含む半導体ナノ粒子製造方法を改善することにより、高輝度で近赤外光ないし赤外光を発光する半導体ナノ粒子を提供する。本発明の半導体ナノ粒子は、スパッタリング法による製膜工程を含む製造方法によって製造された半導体ナノ粒子であって、所定要件（１）～（４）を満たし、かつ励起光により励起されたときに近赤外光ないし赤外光を発光することを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种用于制造半导体纳米颗粒的改进方法，其包括通过溅射形成膜的步骤。该方法能够获得以高亮度发出近红外光或红外光的半导体纳米颗粒。具体公开的是通过包括通过溅射形成膜的步骤的方法制造的半导体纳米颗粒。该半导体纳米颗粒的特征在于满足规定的条件（1） - （4），并且当被激发光激发时发射近红外光或红外光。

4. 发明申请

WO2009113375A1 シリコンナノ粒子蛍光体含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子蛍光体及び単一分子観察方法审中-公开
标题翻译：硅氧烷膜，含硅纳米磷光体，硅纳米磷光体和单分子观测方法
公开(公告)号：WO2009113375A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/053003
申请日：2009-02-20
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 午菴一賀 , 堀田繁郎
发明人：午菴一賀 , 堀田繁郎
IPC分类号： C09K11/00 , C01B33/02 , C09K11/02 , C09K11/59 , G01N33/533
CPC分类号： C09K11/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01P2004/64 , C09K11/59 , C09K11/592 , G01N33/588
摘要：　発光波長、発光強度にバラツキが少ないシリコンナノ粒子蛍光体、及び該シリコンナノ粒子蛍光体を用いることによって生体標識認識率を向上させることにおいて、該シリコンナノ粒子蛍光体は、半導体基板上に成膜されたシリコンナノ粒子蛍光体含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子蛍光体含有酸化ケイ素膜の膜厚（μｍ）ｄと屈折率ｎの積ｎｄが３以上１０以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子蛍光体含有酸化ケイ素膜をフッ酸処理して得られる。
摘要翻译：公开了含有发光波长和发光强度不显着变化的硅纳米粒子荧光体的氧化硅膜。使用硅纳米颗粒磷光体可以提高生物标签识别率。通过用氢氟酸处理含有硅纳米颗粒磷光体的氧化硅膜获得硅纳米颗粒磷光体。含有硅纳米颗粒荧光体的氧化硅膜设置在半导体衬底上，其特征在于，含有硅的氧化硅膜的膜厚（d）（μm）和折射率（n）的乘积（nd）纳米粒子荧光体不小于3并且不大于10。

5. 发明申请

WO2009034777A1 蛍光体ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子审中-公开
标题翻译：生产磷酸盐纳米微粒的工艺和工艺生产的磷纳米管
公开(公告)号：WO2009034777A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/062921
申请日：2008-07-17
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 相宮拓司 , 堀田繁郎
发明人：相宮拓司 , 堀田繁郎
IPC分类号： C09K11/08 , B01J19/00 , C01B33/02 , C01G17/00 , C09K11/59 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/59 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C09K11/66 , C22B41/00 , B22F2203/11 , B22F2202/11 , B22F2202/03
摘要：　発光半値幅の狭い蛍光体ナノ粒子製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子を提供することである。特に、毒性が低く、環境負荷の小さい材料とされるシリコン又はゲルマニウムを構成成分とする蛍光体ナノ粒子であって、発光半値幅が狭い蛍光体ナノ粒子の製造方法を提供する。本発明の蛍光体ナノ粒子の製造方法は、外部の加熱手段から加熱されるマイクロ流路内で反応液を加熱することにより蛍光体粒子を生成する蛍光体ナノ粒子の製造方法であって、前記マイクロ流路壁の壁厚さが０．０５～０．２０ｍｍであり、かつ前記マイクロ流路の流路内を流れる反応液の昇温速度が１５０°C／秒以上であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种制造荧光半值宽的窄荧光体纳米颗粒的方法，以及通过该方法生产的荧光体纳米粒子。特别地，提供了一种制造荧光体纳米颗粒的方法，其包括被认为是低毒和环境友好的材料并且具有窄的荧光半值宽度的硅或锗。生产工艺包括加热由外部加热装置加热的微流通道内的反应液体，以产生荧光体颗粒，其特征在于微流道壁的厚度为0.05至0.20mm，流过的反应液体的升温速率微流道中的流路不小于150℃/秒。

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