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1. 发明申请

WO2004001510A1 現像欠陥防止プロセスおよびそれに用いる組成物审中-公开
标题翻译：防止发展缺陷和组合物在其中使用的方法
公开(公告)号：WO2004001510A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007354
申请日：2003-06-10
申请人：クラリアントインターナショナルリミテッド , 秋山靖 , 高野祐輔 , 高橋清久 , 洪聖恩 , 岡安哲雄
发明人：秋山靖 , 高野祐輔 , 高橋清久 , 洪聖恩 , 岡安哲雄
IPC分类号： G03F7/38
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/168
摘要：　８インチ以上の大口径基板上に形成されたポジ型化学増幅型フォトレジスト膜上に、酸と塩基の当量比が１：１～１：３として形成された（１）Ｃ４～Ｃ１５のパーフルオロアルキルカルボン酸、Ｃ４～Ｃ１0 のパーフルオロアルキルスルホン酸あるいはパーフルオロアジピン酸のアンモニウム塩、テトラアルキルアンモニウム塩またはＣ１～Ｃ４のアルカノールアミン塩、または（２）無機酸のフッ素化アルキル４級アンモニウム塩を含む現像欠陥防止用組成物を塗布し、前記現像欠陥防止用組成物を塗布する前および／または塗布後に化学増幅型フォトレジスト膜をベークした後、露光、露光後ベークを行い、現像する。これにより、現像欠陥防止用組成物を塗布しない場合に比べ現像処理後のフォトレジストの膜厚の減少量が、更に１００Å～６００Å大きくされ、８インチ以上の大口径基板における現像欠陥が低減されるとともに、Ｔ−トップ形状などのない良好な断面形状のレジストパターンが形成される。
摘要翻译：一种防止发育缺陷的组合物，其含有（1）C4-15全氟烷基羧酸的盐，C4-10全氟烷基磺酸或全氟己二酸与铵，四烷基铵或C1-4烷醇胺的盐，或（2）无机酸与季铵烷基铵盐，其酸/碱当量比为1/1至1/3。将该组合物应用于形成在直径大至8英寸以上的基板上的正性化学放大型光致抗蚀剂膜。在施用用于防止显影缺陷的组合物之前和/或之后，烘烤化学放大型光致抗蚀剂膜。对该光致抗蚀剂膜进行曝光和曝光后烘烤，然后显影。因此，通过显影的光致抗蚀剂膜厚度的降低可以比不应用用于防止显影缺陷的组合物的情况下更大100至600埃。形成直径大至8英寸以上的基板上的显影缺陷，形成了没有T顶等的令人满意的截面形状的抗蚀剂图案。

2. 发明申请

WO2004074941A1 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法审中-公开
标题翻译：水溶性树脂组合物，图案形成方法及其检测方法
公开(公告)号：WO2004074941A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001612
申请日：2004-02-16
申请人：クラリアントインターナショナルリミテッド , 高野祐輔 , 洪聖恩
发明人：高野祐輔 , 洪聖恩
IPC分类号： G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , Y10S430/115 , Y10S430/165
摘要：　本発明の水溶性樹脂組成物は、少なくとも、水溶性樹脂、加熱により酸を発生することのできる酸発生剤および水を含有する溶媒からなる。この水溶性樹脂組成物は、ＡｒＦ対応感放射線性樹脂組成物などにより形成された高撥水性のレジストパターン３上に塗布され、被覆層４が形成される。次いで、加熱処理することにより、レジストパターン３の表面に現像液不溶性の変性層５が形成される。被覆層４を、現像することにより、変性層５により太らされたレジストパターンが形成される。変性層は充分な膜厚を有すると共に、ＡｒＦ対応感放射線性樹脂組成物のレジストパターンに対し良好な寸法制御性をもって形成することができる。これにより、レジストパターンの分離サイズまたはホール開口サイズが実効的に限界解像以下に微細化される。また、この変性層５は、電子線照射時レジストパターンの保護膜としての機能をも有するため、測長ＳＥＭの電子線照射時に、レジストパターンの測長変化を防止することができる。
摘要翻译：一种水溶性树脂组合物，其至少包含水溶性树脂，加热时能产生酸的酸产生剂和含有水的溶剂。将这种水溶性树脂组合物施加到高斥水抗蚀剂图案（3）上，抗蚀剂图案（3）由例如ArF响应性辐射敏感性树脂组合物形成，由此提供涂层（4）。此后，通过加热，在抗蚀剂图案（3）的表面上形成显影剂不溶性改性层（5）。通过显影涂层（4），导致由改性层（5）增厚的抗蚀剂图案。该改性层不仅可以形成令人满意的厚度，而且可以形成相对于来自ArF响应性辐射敏感性树脂组合物的抗蚀剂图案的良好的尺寸控制能力。结果，抗蚀剂图案间隔尺寸和开孔尺寸可以有效地降低到限制分辨率或更低。此外，该改性层（5）在用电子束照射时也作为抗蚀剂图案的保护膜，从而可以防止长度测量SEM的电子束的照射，抗蚀剂图案的测量长度变化。

3. 发明申请

WO2005098545A1 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法审中-公开
标题翻译：水溶性树脂组合物及其形成方法
公开(公告)号：WO2005098545A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/006961
申请日：2005-04-08
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 西部剛史 , 洪聖恩 , 高野祐輔 , 岡安哲雄
发明人：西部剛史 , 洪聖恩 , 高野祐輔 , 岡安哲雄
IPC分类号： G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115 , Y10S430/162 , Y10S430/165
摘要：　ＡｒＦ対応感放射線性樹脂組成物により形成されたレジストパターンに被覆層をほどこし、レジストパターンの幅を広げてトレンチパターンやホールパターンを実効的に微細化することのできるパターン形成方法で用いられる水溶性樹脂組成物において、レジストパターン層の寸法縮小量を従来技術よりも更に増大させ、さらに粗密レジストパターンによる寸法縮小量依存性を低減させる水溶性樹脂組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。　ＡｒＦエキシマレーザー照射に適用可能の上記パターン形成方法で使用される水溶性樹脂組成物が、水溶性樹脂、加熱により酸を発生する発生剤、界面活性剤、架橋剤、および水を含有する溶媒を含んでなる水溶性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。
摘要翻译：一种用于图案形成方法的水溶性树脂组合物，包括将涂层施加到由ArF响应性辐射敏感性树脂组合物形成的抗蚀剂图案上，并且扩大抗蚀剂图案的宽度，以便有效地使沟槽图案小型化孔图案，其中抗蚀剂图案层的尺寸收缩度比现有技术的尺寸收缩程度增加，并且其中粗糙/致密抗蚀剂图案对尺寸收缩度的依赖性降低; 以及使用水溶性树脂组合物形成图案的方法。提供一种用于上述适用于ArF准分子激光照射的图案形成方法的水溶性树脂组合物，其包含水溶性树脂，加热时能产生酸的发生剂，表面活性剂，交联剂和溶剂含水。此外，提供了使用水溶性树脂组合物形成图案的方法。

4. 发明申请

WO2008136499A1 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成微波炉的水溶性树脂组合物及其形成微波炉的方法
公开(公告)号：WO2008136499A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/JP2008/058341
申请日：2008-05-01
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 , 洪聖恩 , 高野祐輔 , カンウェンビン
发明人：洪聖恩 , 高野祐輔 , カンウェンビン
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/40 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要：　下地基板１上に設けられたレジストパターン２上に、水溶性ビニル樹脂、分子内に少なくとも２個のアミノ基を有する化合物、溶剤および必要に応じ界面活性剤などの添加剤からなる水溶性樹脂組成物を塗布して水溶性樹脂膜３を形成した後、ミキシングによりレジストパターンに隣接する前記水溶性樹脂膜を変性させることによって、レジストパターン表面に水洗で除去出来ない水不溶化層４を形成し、次いで前記水溶性樹脂膜の未変性部を水洗除去することにより、レジストパターンの分離サイズまたはホール開口サイズを実効的に露光波長の限界解像以下に微細化する。水溶性ビニル樹脂としては、窒素原子を含有するビニルモノマー、例えばアリルアミン、アクリルアミド、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾールなどの単一重合体、窒素原子を含有するビニルモノマーの２種以上からなる共重合体、または窒素原子を含有するビニルモノマーの少なくとも１種と窒素原子を含有しないビニルモノマーの少なくとも１種からなる共重合体が好ましい。
摘要翻译：一种方法，其包括将包含水溶性乙烯基树脂的水溶性树脂组合物，分子中具有至少两个氨基的化合物，溶剂和必要时在抗蚀图案上添加表面活性剂等添加剂 2）形成在基板（1）上以形成水溶性树脂膜（3），通过混合将与抗蚀剂图案相邻的水溶性树脂膜的一部分进行改性以形成水不溶性层（4）通过在抗蚀剂图案的表面上进行水洗除去，并且通过水洗除去未改性的水溶性树脂膜的部分，并且能够将抗蚀剂图案的分离尺寸和开孔尺寸有效地缩小到比曝光波长的分辨率极限。作为水溶性乙烯基树脂，优选使用丙烯酰胺，丙烯酰胺，乙烯基吡咯烷酮或乙烯基咪唑等含氮乙烯基单体的均聚物，两种以上含氮乙烯基单体的共聚物或至少一种含氮乙烯基单体和至少一种无氮乙烯基单体。

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