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1. 发明申请

WO2009125745A1 ガス放電チャンバ审中-公开
标题翻译：气体放电室
公开(公告)号：WO2009125745A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/JP2009/057064
申请日：2009-04-06
申请人：ギガフォトン株式会社 , 永井伸治 , 吉田文香 , 若林理 , 柿崎弘司
发明人：永井伸治 , 吉田文香 , 若林理 , 柿崎弘司
IPC分类号： H01S3/034 , G02B5/30 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01S3/034 , G02B1/02 , G02B5/3091 , H01S3/0346 , H01S3/08054 , H01S3/0816 , H01S3/225 , H01S3/2251
摘要：　機械応力（ウインドウホルダやレーザガス圧力）及び光の吸収による熱応力等により破損する現象を低減し、出力レーザの直線偏光度を高くすると共に、強い紫外線（特にＡｒＦ）レーザ光照射による劣化を抑制するフッ化カルシウム結晶を用いたガス放電チャンバを提供する。ガス放電チャンバの第１ウィンドウ（２）及び第２ウィンドウ（３）は、入射平面及び射出平面がフッ化カルシウム結晶の（１１１）結晶面に平行であり、チャンバ（１）内部から見て、フッ化カルシウム結晶内に入射したレーザ光が、第１ウィンドウ（２）及び第２ウィンドウ（３）それぞれの＜１１１＞軸と＜００１＞軸を含む面を通過する配置に対して、第１ウィンドウ（２）及び第２ウィンドウ（３）は、＜１１１＞軸を中心として同じ角度回転した位置に設置されることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种使用氟化钙晶体的气体放电室，减少了机械应力（窗口支架或激光气体压力）的损伤和光吸收的热应力，增加了输出激光器的线性极化，并抑制了强烈的紫外线（特别是ArF）激光照射。气体放电室的第一窗口（2）和第二窗口（3）的入射面和出射面与氟化钙晶体的（111）晶面平行。对于进入氟化钙晶体内部的激光穿过包括第一窗口（2）和第二窗口（3）的<111>轴和<001>轴的平面的布置，从内部观察（1），第一窗口（2）和第二窗口（3）设置在以<111>轴为中心的相同角度旋转的位置。

2. 发明申请

WO2005015699A1 ２ステージレーザのパルスエネルギー制御装置及び２ステージレーザシステム审中-公开
标题翻译：两级激光脉冲能量控制装置和两级激光系统
公开(公告)号：WO2005015699A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/JP2004/011434
申请日：2004-08-09
申请人：ギガフォトン株式会社 , 有我達也 , 若林理 , 柿崎弘司
发明人：有我達也 , 若林理 , 柿崎弘司
IPC分类号： H01S3/134
CPC分类号： G03F7/70041 , H01S3/097 , H01S3/09702 , H01S3/10007 , H01S3/104 , H01S3/1301 , H01S3/134
摘要：　発振用レーザ１００のパルスエネルギーＰoscが増幅飽和領域の下限エネルギーＥs0以上になるように、発振用レーザ１００の発振用高電圧パルス発生器１２に設けられた主コンデンサＣ0への充電電圧Ｖoscを一定制御する。そして、増幅用レーザ３００の増幅用高電圧パルス発生器３２に設けられた主コンデンサＣ0への充電電圧Ｖampを制御し、増幅用レーザ３００のパルスエネルギーＰampを目標エネルギーＰatgtにする。こうして２ステージレーザのパルスエネルギー制御を行いパルスエネルギーを安定させる。
摘要翻译：被控制为恒定值的充电电压Vosc被提供给布置在用于振荡振荡激光器（100）的高电压脉冲发生器（12）中的主电容器C0，使得振荡激光器（100）的脉冲能量Posc不是小于放大饱和区域的下限能量Es0。此外，通过控制提供给布置在用于放大放大激光器（300）的高压脉冲发生器（32）中的主电容器C0的充电电压Vamp，将放大激光器（300）的脉冲能量Pamp设定为目标能源公司因此，通过进行两级激光脉冲能量控制，能够稳定脉冲能量。

3. 发明专利

JP6737704B2 レーザチャンバ有权
公开(公告)号：JP6737704B2
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：JP2016525749
申请日：2015-05-12
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：對馬弘朗 , 柿崎弘司 , 松永隆 , 浅山武志 , 勝海久和 , 梅田博 , 池田宏幸
IPC分类号： H01S3/041 , H01S3/036 , H01S3/032

4. 发明专利

JP6545167B2 ガスレーザ装置及びコンデンサ有权
公开(公告)号：JP6545167B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2016529601
申请日：2015-06-23
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：諏訪輝 , 柿崎弘司 , 對馬弘朗 , 大久保智幸 , 梅田博 , 勝海久和
IPC分类号： H01S3/0971 , H01G4/32 , H01G2/08 , H01S3/097

5. 发明专利

JPWO2016151827A1 レーザ装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016151827A1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017507269
申请日：2015-03-25
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：荒川正樹 , 柿崎弘司 , 若林理
IPC分类号： H01S3/10 , H01S3/23
CPC分类号： H01S3/2308 , H01S3/005 , H01S3/034 , H01S3/038 , H01S3/097 , H01S3/0971 , H01S3/225 , H01S3/2316
摘要：このレーザ装置は、第1のレーザチャンバと、第1のレーザチャンバの中に配置された第1の一対の放電電極と、光共振器と、を含み、レーザ光を出力する発振器と、発振器から出力されたレーザ光の光路に配置された第2のレーザチャンバと、第2のレーザチャンバの中に第1のギャップ間隔で配置された第2の一対の放電電極と、を含み、レーザ光を増幅して出力する第1の増幅器と、発振器と第1の増幅器との間の光路に配置され、第1の増幅器に入射するレーザ光の第2の一対の放電電極の放電方向に沿ったビーム幅が第2の一対の放電電極の第1のギャップ間隔と略同じとなるように、発振器から出力されたレーザ光を調節する第1のビーム調節光学系と、を備えてもよい。

6. 发明专利

JP5921876B2 極端紫外光生成装置有权
公开(公告)号：JP5921876B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2011282189
申请日：2011-12-22
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：薮隆之 , 柿崎弘司 , 石原孝信 , 阿部保 , 若林理
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H05G2/00
CPC分类号： H05G2/006 , G03F7/70033 , H05G2/008

7. 发明专利

JP5722061B2 極端紫外光源装置及び極端紫外光の発生方法有权
标题翻译：生成极紫外光源装置和极紫外光的方法
公开(公告)号：JP5722061B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2011015691
申请日：2011-01-27
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：堀司 , 柿崎弘司 , 柳田達哉 , 若林理
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/00 , H05G2/006 , H05G2/008

8. 发明专利

JPWO2019069397A1 レーザ加工方法及びレーザ加工システム审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019069397A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2017036130
申请日：2017-10-04
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：柿崎弘司 , 小林正和 , 諏訪輝 , 若林理
IPC分类号： B23K26/046 , B23K26/53 , C03B33/09
摘要：紫外線のパルスレーザ光を出力するレーザ装置と、パルスレーザ光を透過する転写パターンが形成された転写マスクと、パルスレーザ光が転写パターンを透過することによって形成され転写パターンに応じた形状の転写像を転写する転写光学系とを備えたレーザ加工システムを用いて、紫外線に対して透明な透明材料に対してレーザ加工を施すレーザ加工方法は、以下のステップを備える:A.パルスレーザ光の光軸方向において、転写光学系によって転写される転写像の転写位置と、透明材料との相対的な位置決めを行う位置決めステップであって、転写位置が、光軸方向において透明材料の表面から所定の深さΔZsfだけ透明材料の内部に進入した位置となるように位置決めを行う位置決めステップ;B.パルス幅が1〜100nsの範囲であって、かつ、転写位置でのビームの直径が10μm以上150μm以下のパルスレーザ光を透明材料に照射する照射ステップ。

9. 发明专利

JPWO2018100638A1 レーザ加工システム及びレーザ加工方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018100638A1
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2016085410
申请日：2016-11-29
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：柿崎弘司 , 若林理
IPC分类号： H01S3/00 , H01S3/106 , H01S3/10 , B23K26/142 , B23K26/12 , H01S3/225
摘要：レーザ加工システムは、酸素が光吸収する波長である吸収ラインと、吸収ラインより酸素による光吸収量が少ない波長である非吸収ラインのそれぞれのレーザ光を出力する波長可変レーザ装置と、被加工物にレーザ光を照射する光学システムと、波長可変レーザ装置を制御するレーザ制御部であって、酸素を含むガス中において被加工物の表面をレーザ加工する際に、波長可変レーザ装置が出力するレーザ光の波長を非吸収ラインに設定し、かつ、酸素を含むガス中において被加工物の表面をオゾン洗浄する際に、波長可変レーザ装置が出力するレーザ光の波長を吸収ラインに設定するレーザ制御部と、を備えている。

10. 发明专利

JP6364476B2 ガスレーザ装置及びその制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP6364476B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2016508374
申请日：2014-03-18
申请人：ギガフォトン株式会社
发明人：浅山武志 , 對馬弘朗 , 柿崎弘司 , 若林理
IPC分类号： H01S3/036 , H01S3/00
CPC分类号： H01S3/038 , G03F7/70025 , H01S3/0014 , H01S3/036 , H01S3/08009 , H01S3/09705 , H01S3/0971 , H01S3/1305 , H01S3/134 , H01S3/225

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