基本信息:
- 专利标题： 極端紫外光生成装置
- 专利标题（英）：Extreme ultraviolet light generating device
- 申请号：JP2011282189 申请日：2011-12-22
- 公开(公告)号：JP5921876B2 公开(公告)日：2016-05-24
- 发明人： 薮 隆之 , 柿崎 弘司 , 石原 孝信 , 阿部 保 , 若林 理
- 申请人： ギガフォトン株式会社
- 申请人地址： 栃木県小山市大字横倉新田400番地
- 专利权人： ギガフォトン株式会社
- 当前专利权人： ギガフォトン株式会社
- 当前专利权人地址： 栃木県小山市大字横倉新田400番地
- 代理人： 保坂 延寿; 宇都宮 正明; 渡部 温; 柳瀬 睦肇
- 优先权： JP2011038576 2011-02-24 JP2011063137 2011-03-22
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/20 ; H05G2/00
公开/授权文献:
- JP2012212654A Apparatus for generating extreme ultraviolet light 公开/授权日：2012-11-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |