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1. 发明专利

JP2016042609A ウェハの装着用受け取り手段有权
标题翻译：保留水分的方式
公开(公告)号：JP2016042609A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：JP2016005387
申请日：2016-01-14
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：マルクス・ウィンプリンガー , トーマス・ヴァーゲンライトナー , アレクサンダー・フィルバート
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683
摘要：【課題】より正確な位置合わせを達成できるように受け取り手段を改良する。【解決手段】本発明は、装着面(1o)と、前記装着面(1o)上へのウェハの装着のための装着手段と、前記ウェハの局所的及び/全体的なねじれの少なくとも部分的、能動的、かつ、特に局所的に制御可能な補償のための補償手段(3、4、5、6)と、の特徴を有する、前記ウェハの受け取り及び装着のための受け取り手段に関する。さらに、この発明は、上述の受け取り手段を使用する、第1のウェハの第2のウェハとの位置合わせの方法に関する。【選択図】図3b
摘要翻译：要解决的问题：为了实现更准确的定位，提供改进的容纳装置。解决方案：本发明涉及用于容纳和保持晶片的容纳装置，包括：保持面（1o）; 用于将晶片保持在保持表面（1o）上的保持装置; 和补偿装置（3,4,5和6）至少部分地且主动地，特别是局部地以可控的方式补偿晶片的局部和/或全局失真。本发明还涉及使用所述容纳装置将第一晶片与第二晶片对准的方法。选择的图示：图3b

3. 发明专利

JP6679666B2 ウエハの永久接合方法有权
公开(公告)号：JP6679666B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2018128130
申请日：2018-07-05
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：トマス・プラハ , クルト・ヒンゲル , マルクス・ウィンプリンガー , クリストフ・フルートゲン
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02

5. 发明专利

JP2018117165A ウェハの装着用受け取り手段审中-公开
公开(公告)号：JP2018117165A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2018088780
申请日：2018-05-02
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：マルクス・ウィンプリンガー , トーマス・ヴァーゲンライトナー , アレクサンダー・フィルバート
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
摘要：【課題】より正確な位置合わせを達成できるように受け取り手段を改良する。【解決手段】本発明は、装着面(1o)と、前記装着面(1o)上へのウェハの装着のための装着手段と、前記ウェハの局所的及び/全体的なねじれの少なくとも部分的、能動的、かつ、特に局所的に制御可能な補償のための補償手段(3、4、5、6)と、の特徴を有する、前記ウェハの受け取り及び装着のための受け取り手段に関する。さらに、この発明は、上述の受け取り手段を使用する、第1のウェハの第2のウェハとの位置合わせの方法に関する。【選択図】図3b

6. 发明专利

JP2016178340A ウエハの永久接合方法审中-公开
标题翻译：永久连接方法
公开(公告)号：JP2016178340A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016118866
申请日：2016-06-15
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：トマス・プラハ , クルト・ヒンゲル , マルクス・ウィンプリンガー , クリストフ・フルートゲン
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02
摘要：【課題】できる限り高い接合力を有する永久接合を慎重に提供する方法を考え出すこと。【解決手段】前記第1の接触面(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、前記貯留部(5)に第1の原料、または第1の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、仮接合連結を形成するために、前記第1の接触面(3)を前記第2の接触面(4)と接触させるステップと、前記第1の接触面(3)と前記第2の接触面(4)との間の永久接合を形成するステップであって、前記第1の原料と前記第2の基板(2)の反応層(7)中に含まれた第2の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、を含む、第1の基板(1)の第1の接触面(3)を、第2の基板(2)の第2の接触面(4)に接合する方法。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：设计一种小心地提供具有尽可能高的接合强度的永久接合的方法。解决方案：一种将第一基板（1）的第一接触表面（3）接合到第二接触件第二基板（2）的表面（4）包括以下步骤：在第一接触表面（3）上的表面层（6）内形成存储部分（5）; 至少部分地用第一原料或第一原料组填充储存部分（5）; 使第一接触表面（3）与第二接触表面（4）接触以形成临时连接点; 并且在所述第一接触表面（3）和所述第二接触表面（4）之间形成永久性接合部，通过使所述第一原料与包含在反应层（7）中的第二原料反应来至少部分地强化所述永久接合部，的第二衬底（2）。选择的图：图5

7. 发明专利

JP2014510391A Permanent bonding method of the wafer 有权
公开(公告)号：JP2014510391A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2013549719
申请日：2011-01-25
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：トマス・プラハ , クルト・ヒンゲル , マルクス・ウィンプリンガー , クリストフ・フルートゲン
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要：本発明は、第1の基板(1)の第1の接触領域(3)を、第2の基板(2)の第2の接触領域(4)に接合する方法に関し、この方法は、第1の接触領域(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、貯留部(5)に第1の反応物質または第1の反応物質群を少なくとも部分的に充填するステップと、仮接合連結を形成するために、第1の接触領域(3)と第2の接触領域(4)とを接触させるステップと、第1の接触領域(3)と第2の接触領域(4)との間で、第1の反応物質を、第2の基板の反応層(7)中に含まれた第2の反応物質と反応させることによって、少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップとを、特に上記の順序で含む。

8. 发明专利

JP6986105B2 ウエハの永久接合方法有权
公开(公告)号：JP6986105B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2020016040
申请日：2020-02-03
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：トマス・プラハ , クルト・ヒンゲル , マルクス・ウィンプリンガー , クリストフ・フルートゲン
IPC分类号： H01L21/02

9. 发明专利

JP2020074481A ウェハの装着用受け取り手段审中-公开
公开(公告)号：JP2020074481A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020018976
申请日：2020-02-06
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：マルクス・ウィンプリンガー , トーマス・ヴァーゲンライトナー , アレクサンダー・フィルバート
IPC分类号： H01L21/683
摘要：【課題】より正確な位置合わせを達成できるように受け取り手段を改良する。【解決手段】本発明は、装着面(1o)と、前記装着面(1o)上へのウェハの装着のための装着手段と、前記ウェハの局所的及び/全体的なねじれの少なくとも部分的、能動的、かつ、特に局所的に制御可能な補償のための補償手段(3、4、5、6)と、の特徴を有する、前記ウェハの受け取り及び装着のための受け取り手段に関する。さらに、この発明は、上述の受け取り手段を使用する、第1のウェハの第2のウェハとの位置合わせの方法に関する。【選択図】図3b

10. 发明专利

JP2018152619A ウエハの永久接合方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018152619A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018128130
申请日：2018-07-05
申请人：エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
发明人：トマス・プラハ , クルト・ヒンゲル , マルクス・ウィンプリンガー , クリストフ・フルートゲン
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02
摘要：【課題】できる限り高い接合力を有する永久接合を慎重に提供する方法を考え出すこと。【解決手段】前記第1の接触面(3)上の表面層(6)中に貯留部(5)を形成するステップと、前記貯留部(5)に第1の原料、または第1の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、仮接合連結を形成するために、前記第1の接触面(3)を前記第2の接触面(4)と接触させるステップと、前記第1の接触面(3)と前記第2の接触面(4)との間の永久接合を形成するステップであって、前記第1の原料と前記第2の基板(2)の反応層(7)中に含まれた第2の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、を含む、第1の基板(1)の第1の接触面(3)を、第2の基板(2)の第2の接触面(4)に接合する方法。【選択図】図5

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