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    • 5. 发明申请
    • 전력 분석 공격에 안전한 암호화 장치 및 그 동작 방법
    • 消耗功率分析装置加密装置及其操作方法
    • WO2012133966A1
    • 2012-10-04
    • PCT/KR2011/002246
    • 2011-03-31
    • 한양대학교 산학협력단김동규최병덕김태욱
    • 김동규최병덕김태욱
    • H04L9/06H04L12/22
    • H04L9/003G06F21/755G09C1/00H04L63/0428
    • 암호화 장치 및 암호화 장치의 동작 방법이 제공된다. 상기 암호화 장치는 암호화 알고리즘을 수행하는 암호화 모듈을 포함한다. 상기 암호화 알고리즘이 수행되기 전의 시간 구간에 대응하는 제1 상태에서, 상기 암호화 장치에 포함된 제1 전하 전달부는, 외부의 전원으로부터 전원을 공급 받아서 상기 암호화 장치에 포함된 전하 저장부에 저장한다. 그리고 상기 암호화 알고리즘이 수행되는 시간 구간에 대응하는 제2 상태에서, 상기 암호화 장치에 포함된 제2 전하 전달부는, 상기 전하 저장부에 저장된 전하를 상기 암호화 모듈로 전달한다. 그리고, 상기 암호화 알고리즘이 수행된 후의 시간 구간에 대응하는 제3 상태에서, 상기 전하 저장부는, 상기 전하 저장부 내부에 포함되어 전하를 저장하였던 전하 저장 소자를 방전한다. 한편, 상기 제2 상태에서, 상기 제1 전하 전달부는 상기 암호화 모듈의 그라운드 단자를 상기 외부 전원의 그라운드 단자와 연결되지 않도록 연결을 차단한다.
    • 提供了一种用于加密的装置和用于操作加密装置的方法。 加密装置包括用于执行加密算法的加密模块。 在对应于执行加密算法之前的持续时间的第一状态下,包含在加密装置中的第一计费传送单元从外部电源接收电力,并将其存储在计费存储单元中 包含在加密设备中。 在对应于执行加密算法的持续时间的第二状态下,包含在用于加密的装置中的第二计费传送单元将存储在计费存储单元中的费用传送给加密模块。 此外,在对应于执行加密算法之后的持续时间的第三状态下,电荷存储单元对包含在电荷存储单元内的电荷存储元件进行放电以存储电荷。 而在第二状态下,第一充电传送单元阻止加密模块的接地端子,以便不连接到外部电源的接地端子。
    • 7. 发明申请
    • 공정편차를 이용한 식별 키 생성 장치 및 방법
    • 用于生成使用过程变化的识别密钥的装置和方法
    • WO2012133965A1
    • 2012-10-04
    • PCT/KR2011/002244
    • 2011-03-31
    • 한양대학교 산학협력단김동규최병덕김태욱
    • 김동규최병덕김태욱
    • G06K19/073
    • H04L9/0866
    • 반도체 제조 공정의 공정 편차에 의해, 물리적으로 복제 불가능한 회로(Physically Unclonable Function; PUF)를 구현한 전자 장치가 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 전자 장치는, 동일한 공정에서 단결정 실리콘 웨이퍼를 제외한 무기 또는 유기 재료 서브스트레이트, 이를테면 TFT가 집적되는 유리 재질의 디스플레이 패널 상에 생성되는 N 개의 단위 셀을 포함한다. 이 경우, 상기 N 개의 단위 셀의 각각은 비결정 실리콘(amorphous-Si), 다결정 실리콘(poly-Si), 산화 금속, 유기물 등으로 구성된 복수 개의 소자를 포함하고, 반도체 제조 공정의 공정 편차에 의해 생기는 상기 N 개의 단위 셀 각각에 포함된 복수 개의 소자들 간의 특성 차이를 이용하여, 상기 N 개의 단위 셀 각각으로부터 적어도 1비트의 디지털 값을 생성하여, 상기 전자 장치는 적어도 N 비트의 디지털 값을 생성한다.
    • 提供了一种通过半导体制造工艺中的工艺变化实现物理不可克隆功能(PUF)的电子设备。 根据本发明的一个实施例,电子设备包括在无机或有机材料基板上以相同工艺生成的N个单元电池,不包括单晶硅晶片,例如在制造的显示面板上 从其上集成TFT的玻璃材料。 在这种情况下,N个单元电池中的每一个都包括多个元素,其中还包括非晶硅,多晶硅,金属氧化物,有机物等,其中至少具有N 通过使用由多个元件之间的半导体制造过程中的工艺变化引起的特征差异,通过从N个单元电池中的每一个生成具有最少1位的数字值来产生位数, 被包括在N个单元电池的每一个中。