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1. 发明申请

WO2010128825A3 반도체 소자용 기판 및 이를 이용한 반도체 소자 审中-公开
标题翻译：半导体装置用基板及使用其的半导体装置
公开(公告)号：WO2010128825A3
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/KR2010/002922
申请日：2010-05-07
申请人： (주)더리즈 , 여환국 , 문영부 , 최성철 , 진용성 , 조인성 , 임원택
发明人： 여환국 , 문영부 , 최성철 , 진용성 , 조인성 , 임원택
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 에피층 성장에 제한을 주지 않으면서 렌즈의 충진 밀도를 높여 외부광추출효율을 증가시키는 반도체 소자 제조용 기판, 그리고 그 기판을 이용함에 따라 외부광추출 효율이 향상된 고출력 반도체 소자를 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 용 기판은, 볼록 또는 오목 형상의 렌즈가 다수 형성되어 있는 기판으로서, 기판 상에 형성할 에피층의 측면 성장이 잘되는 방향과 직교하는 방향에 배열되어 있는 렌즈 사이의 간격이 다른 방향에 배열되어 있는 렌즈 사이의 간격에 비해 좁게 되 도록 상기 복수 개의 렌즈가 형성된다.
摘要翻译：
不含生长epi层不限于增加透镜的填充密度用于制造半导体设备，用于根据利用所述基板高功率半导体提高外部光提取效率，基板，以及一种改进的外部光提取效率它公开了一种装置。一种用于根据本发明制造半导体器件的基板，具有凸或凹透镜的衬底之间的距离是一个大数目，以形成被布置在要在基板上形成垂直于所述外延层的阱的方向上的横向生长的方向的透镜多个透镜形成为比在另一个方向上排列的透镜之间的间隔窄。

2. 发明公开

KR1020110072510A 다채널 ＬＥＤ 칩 휘도 측정장치 및 방법 失效
标题翻译： LED芯片的多通道亮度检测装置及其方法
公开(公告)号：KR1020110072510A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090129469
申请日：2009-12-23
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 최강철
IPC分类号： G01J1/28 , G01J1/58 , H01L33/48
CPC分类号： G01J1/42 , G01J2001/4252 , H01L25/0753 , H01L33/00
摘要： PURPOSE: A multi-channel brightness detecting device and method for an LED chip are provided to measure the brightness of an LED(Light Emitting Diode) chip without inter-channel correction while using multiple channels. CONSTITUTION: A multi-channel brightness detecting device for an LED chip comprises a brightness detecting unit(110), a reference brightness data determining unit(120), a correction value calculating unit(130), and a brightness value calculating unit(140). The brightness detecting unit measures the brightness of an LED chip through channels which can measure the brightness of the LED chip together and obtains measured LED chip brightness data. The reference brightness data determining unit determines reference LED chip brightness data based on the measured LED chip brightness data. The correction value calculating unit calculates an LED chip brightness correction value from the measured and reference brightness data and correction values according to channel from the LED chip brightness correction value. The brightness value calculating unit applies the correction values according to channel to the measured brightness data and outputs a corrected LED chip brightness value.
摘要翻译：目的：提供一种用于LED芯片的多通道亮度检测装置和方法，用于在使用多个通道的同时测量LED（发光二极管）芯片的亮度，无需通道间校正。构成：用于LED芯片的多通道亮度检测装置包括亮度检测单元（110），参考亮度数据确定单元（120），校正值计算单元（130）和亮度值计算单元（140）。亮度检测单元通过能够一起测量LED芯片的亮度的通道测量LED芯片的亮度，并获得测量的LED芯片亮度数据。参考亮度数据确定单元基于所测量的LED芯片亮度数据来确定参考LED芯片亮度数据。校正值计算单元根据来自LED芯片亮度校正值的测量和参考亮度数据和根据通道的校正值来计算LED芯片亮度校正值。亮度值计算单元将根据通道的校正值应用于测量的亮度数据，并输出校正的LED芯片亮度值。

3. 发明授权

KR100753677B1 발광 소자 失效
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR100753677B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050027074
申请日：2005-03-31
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 이재학
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22
摘要： 고휘도를 출력하기 위해 발광 다이오드 전면에 걸쳐 균일하게 전류를 공급할 수 있는 전극을 갖는 발광 소자가 개시된다. 제1 반도체층은 기판 위에 형성된다. 활성층은 제1 반도체층 위에 형성된다. 제2 반도체층은 활성층 위에 형성된다. 제1 반도체층은 n형 또는 p형으로 도핑되고 제2 반도체층은 제1 반도체층과 반대되는 극성으로 도핑되어 두 반도체층 사이에 pn 접합면이 형성된다. 제1 전극은 제1 반도체층 위에 전면적으로 형성된다. 제2 전극은 제2 반도체층 일부가 벗겨져 제1 반도체층이 생선 가시 형태로 노출된 영역에 형성된다. 이에 따라, 전극 구조를 변경하므로써, 발광 다이오드의 pn 접합면으로 흐르는 전류 분포를 균일하게 만들며 동시에 발광 면적을 넓게 유지하여 발광되는 광의 양을 높일 수 있다.
발광 다이오드, 질화 갈륨, 전류 분포, 전극 구조, 교호
摘要翻译：公开了一种发光装置，其具有能够在发光二极管的整个表面上均匀地提供电流以输出高亮度的电极。第一半导体层形成在衬底上。在第一半导体层上形成有源层。第二半导体层形成在有源层上。第一半导体层掺杂有n型或p型，第二半导体层掺杂有与第一半导体层相反的极性，以在两个半导体层之间形成pn结。第一电极形成在第一半导体层的整个表面上。并且，通过部分地剥离第二半导体层，第二电极形成在第一半导体层以可见的形式暴露的区域中。以这种方式，通过改变电极结构，由此增加光的由它发出的光量，使均匀的同时在pn结表面的电流分布保持LED的宽发光区域。

4. 发明公开

KR1020070049750A 발광 다이오드의 전극 구조 失效
标题翻译：发光装置的电极结构
公开(公告)号：KR1020070049750A
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050106857
申请日：2005-11-09
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 발광 다이오드의 전극구조가 개시된다. 본 발명에 따른 발광 다이오드의 전극구조는 폐 루프 형태의 n-전극에서 가지가 뻗어 나와 발광 다이오드를 소정 영역으로 균등분하는 형태를 가진다. 또한, n-전극과 n-전극 사이에는 투명 전극이 형성되며, n-전극과 n-전극 사이의 가운데 부분에 p-전극이 형성된다. 이로써, 발광 다이오드 전극구조는 등가 회로 분석으로 pn 접합부로 흐르는 전류가 n-전극에 몰리는 현상을 최소화함으로써 발광 다이오드의 발광 특성을 개선할 수 있게 된다.
발광 다이오드, 전극 구조, 전류 분포, 질화 갈륨

5. 发明授权

KR100716752B1 발광 소자와 이의 제조 방법 失效
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100716752B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050037136
申请日：2005-05-03
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 시상기
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 광의 적출 효율을 높이기 위한 전극 구조를 갖는 발광 소자와 이의 제조 방법이 개시된다. 제1 질화갈륨층은 기판의 제1 영역에 제1 높이로 형성되고, 제2 영역에 제1 높이보다는 작은 제2 높이로 형성된다. 제1 전극은 제2 높이로 형성된 제1 질화갈륨층 위에 형성되고, 활성층은 제1 높이로 형성된 제1 질화갈륨층 위에 형성된다. 제2 질화갈륨층은 활성층 위에 형성되고, 전류확산층은 제2 질화갈륨층 위에 형성되며, 제2 전극은 전류확산층의 일부 영역에 형성된다. 광적출 향상층은 전류확산층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖고서, 전류확산층의 잔여 영역에 요철 형태로 형성된다. 이에 따라, 전류확산층 위에 고 굴절률의 유전체 물질의 요철 구조를 형성하므로써, 광의 적출 효율을 높일 수 있다.
발광 소자, 질화갈륨, 광의 적출, 광적출 향상층 패턴 기판

6. 发明授权

KR100701975B1 발광 소자 失效
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR100701975B1
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020050035560
申请日：2005-04-28
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 이재학
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/36
摘要： 균일한 전류 분포를 유도하는 전극 구조를 가진 발광 소자가 개시된다. 발광 소자는 기판, 제1 질화갈륨층, 제2 질화갈륨층, 투명 전극층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 제1 질화갈륨층은 기판 위에 형성된다. 제2 질화갈륨층은 제1 질화갈륨층 위에 형성된다. 투명 전극층은 제2 질화갈륨층 위에 전면적으로 형성된다. 제1 전극은 제1 질화갈륨층의 가장자리 영역에 형성된다. 제2 전극은 중앙 영역에 제1 전극과 평행하게 형성된다. 이에 따라, 제1 질화갈륨층과 제2 질화갈륨층이 접하는 pn 접합부로 흐르는 전류가 제1 전극에 몰리는 현상을 최소화하는 전극 구조를 제공함으로써, pn 접합면으로 흐르는 전류 분포를 균일하고, 발광 면적을 넓게 유지시킬 수 있다.
질화갈륨, 발광 다이오드, 전류 분포, 전극 구조, 폐루프
摘要翻译：公开了一种具有用于引起均匀电流分布的电极结构的发光器件。该发光器件包括衬底，第一氮化镓层，第二氮化镓层，透明电极层，第一电极和第二电极。在衬底上形成第一氮化镓层。第二氮化镓层形成在第一氮化镓层上。在整个表面上在第二氮化镓层上形成透明电极层。第一电极形成在第一GaN层的边缘区域中。第二电极在中心区域与第一电极平行地形成。因此，第一氮化镓层和所述第二通过流过pn结的电流与氮化镓层接触设置的电极结构体被驱动显影剂到第一电极最小化，和均匀的电流分布到pn结表面，发光区域可以保持宽广。

7. 发明公开

KR1020070011671A 컴플라이언트 기판을 갖는 질화갈륨계 화합물 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造合格基板的方法，其制造的合适基板，具有合金基板的基于氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070011671A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020050066122
申请日：2005-07-21
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 이재학
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
摘要： A method for manufacturing a gallium nitride based compound semiconductor device having a compliant substrate is provided to reduce manufacturing time of the semiconductor device by directly arranging a GaN based device on an AlGaInN compliant substrate. A gallium nitride based compound semiconductor device includes a compliant substrate, a GaN based semiconductor layer(130), a first electrode(180), an activation layer(140), a second GaN layer(150), and a second electrode(170). The compliant substrate includes a GaN based thin film, which is grown on a sapphire wafer(110). The GaN based semiconductor layer is formed on a first region of the compliant substrate by a first height and on a second region by a second height, which is greater than the first height. The first electrode is formed on the GaN semiconductor layer, which is formed by the second height. The activation layer is formed on a first GaN layer, which is formed by the first height. The second GaN layer is formed on the activation layer. The second electrode is formed on the second GaN layer.
摘要翻译：提供了具有柔性衬底的制造氮化镓基化合物半导体器件的方法，以通过在AlGaInN兼容衬底上直接布置GaN基器件来减少半导体器件的制造时间。氮化镓基化合物半导体器件包括柔性衬底，GaN基半导体层（130），第一电极（180），激活层（140），第二GaN层（150）和第二电极（170）。柔性衬底包括在蓝宝石晶片（110）上生长的GaN基薄膜。 GaN基半导体层在柔性衬底的第一区域上形成第一高度，第二区域形成第二高度，第二高度大于第一高度。第一电极形成在由第二高度形成的GaN半导体层上。激活层形成在由第一高度形成的第一GaN层上。在激活层上形成第二GaN层。第二电极形成在第二GaN层上。

8. 发明公开

KR1020130005645A 발광소자의 광출력 측정장치 및 측정방법 无效
标题翻译：用于测量光源单位的光输出的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130005645A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110067167
申请日：2011-07-07
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/44
摘要： PURPOSE: A light output measuring system of a light emitting element and a measuring method are provided to rapidly and accurately measure a light output of the light emitting element and to prevent damage to the light emitting element in a light output measuring process. CONSTITUTION: A light output measuring method of a light emitting element(1) is as follows. The light output data of each light emitting element of a light emitting element array(200) is measured by a light output measuring unit(60) while the light emitting element array is arranged in a first plate. Some of the light emitting elements included in the light emitting element array are selected as a sampling group. The light output data of the light emitting element is measured while the light emitting elements of the sampling group are individually arranged in a second plate so that lights of the light emitting elements are not incident to the light output measuring unit after the lights are reflected by the adjacent light emitting element. A correlation between the light output data measured in a second measurement step and the light output data of the sampling group is set. The light output data of each light emitting element measured in a first measurement step is compensated by using the set correlation. The light outputs of each light emitting element included in the light emitting element array are calculated. [Reference numerals] (50) Power supply unit; (70) Control unit
摘要翻译：目的：提供发光元件的光输出测量系统和测量方法，以快速且准确地测量发光元件的光输出并防止在光输出测量过程中损坏发光元件。构成：发光元件（1）的光输出测量方法如下。发光元件阵列（200）的每个发光元件的光输出数据由光输出测量单元（60）测量，而发光元件阵列布置在第一板中。选择包含在发光元件阵列中的一些发光元件作为采样组。测量发光元件的光输出数据，同时采样组的发光元件分别布置在第二板中，使得发光元件的光在光被相邻的发光元件。在第二测量步骤中测量的光输出数据与采样组的光输出数据之间的相关性被设置。通过使用设定的相关性来补偿在第一测量步骤中测量的每个发光元件的光输出数据。计算包含在发光元件阵列中的每个发光元件的光输出。（附图标记）（50）电源单元; （70）控制单元

9. 发明授权

KR101055266B1 반도체 소자용 기판 및 이를 이용한 반도체 소자 失效
标题翻译：半导体装置用基板及使用其的半导体装置
公开(公告)号：KR101055266B1
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020090039593
申请日：2009-05-07
申请人： (주)더리즈
发明人： 여환국 , 문영부 , 최성철 , 진용성 , 조인성 , 임원택
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 에피층 성장에 제한을 주지 않으면서 렌즈의 충진 밀도를 높여 외부광추출효율을 증가시키는 반도체 소자 제조용 기판, 그리고 그 기판을 이용함에 따라 외부광추출효율이 향상된 고출력 반도체 소자를 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 기판은, 볼록 또는 오목 형상의 렌즈가 다수 형성되어 있는 기판으로서, 기판 상에 형성할 에피층의 측면 성장이 잘되는 방향과 직교하는 방향에 배열되어 있는 렌즈 사이의 간격이 다른 방향에 배열되어 있는 렌즈 사이의 간격에 비해 좁게 되도록 상기 복수 개의 렌즈가 형성된다.
摘要翻译：如果没有长大在外延层上的限制提高了透镜的填充密度公开了根据利用的半导体器件的制造的衬底具有改善外部光提取效率的高功率半导体器件，和衬底，以提高外部光提取效率。对于根据本发明生产半导体器件的基板，具有凸或凹透镜的衬底之间的距离是一个大数目，以形成被布置在要在基板上形成垂直于所述外延层的阱的方向上的横向生长的方向的透镜并且，多个透镜形成为比在不同方向排列的透镜之间的间隔窄。

10. 发明公开

KR1020110083842A 반도체 발광 소자 失效
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110083842A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020100003787
申请日：2010-01-15
申请人： (주)더리즈
发明人： 진용성 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L2924/12041
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to uniformly maintain a current flowing around an n type electrode by positioning an n type electrode in a light emitting device and surrounding the n electrode with a p type electrode. CONSTITUTION: An n type electrode(170) includes an n type electrode pad(162) formed on an n type semiconductor layer(120). A p type electrode(160) is extended from a p type electrode pad(152) and surrounds the n type electrode pad and includes a p type finger unit(154) formed in the p type electrode pad side. The n type electrode is extended from the n type electrode pad, surrounds the end(156) of the p type finger unit, and includes an n type finger unit(164). The n type finger unit is formed in the n type electrode pad.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件以通过将n型电极定位在发光器件中并且用p型电极围绕n电极来均匀地保持流过n型电极的电流。构成：n型电极（170）包括形成在n型半导体层（120）上的n型电极焊盘（162）。 p型电极（160）从p型电极焊盘（152）延伸并且包围n型电极焊盘，并且包括形成在p型电极焊盘侧的p型指状单元（154）。 n型电极从n型电极焊盘延伸，包围p型手指单元的端部（156），并且包括n型手指单元（164）。 n型手指单元形成在n型电极垫中。

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