专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2002097880A2 LEISTUNGSALBLEITERMODUL UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS 审中-公开
标题翻译： LEISTUNGSALBLEITERMODUL和方法用于生产半导体功率模块
公开(公告)号：WO2002097880A2
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：PCT/EP2002/005520
申请日：2002-05-18
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG , TSCHIRBS, Roman , WALLMEIER, Peter , LODDENKÖTTER, Manfred
发明人： TSCHIRBS, Roman , WALLMEIER, Peter , LODDENKÖTTER, Manfred
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Das Leistungshalbleitermodul umfasst aktive Halbleiterbauelemente (5 bis 10), die sich auf einer Trägeranordnung befinden, und ein Modulgehäuse (20), das durch Kunststoffumspritzen der aktiven Halbleiterbauelemente (5 bis 10) erzeugt ist. Um infolge der mechanischen Spannungen beim Umspritzvorgang und der Kunstsoffschrumpfung auftretenden Deformationen zu vermindern bzw. Zu kompensieren, bestecht die Trägeranordnung aus mehreren Trägerelementen (1, 2, 3), die unabhängig voneinander in verschiedenen Ebenen in der Gussform derart positioniert werden Können, dass ein Modulgehäuse (20) mit einer ebenen Modulunterseite (25) entsteht.
摘要翻译：的功率半导体模块包括被定位在承载组件的有源半导体部件（5至10），以及一模块外壳（20），其通过将活性半导体部件（5至10）的注塑成型方式制造。为了减少出现作为挤出涂布过程中的机械应力和Kunstsoffschrumpfung的结果的变形或补偿，所述载体装置（2，3 1），其在几个支撑元件的这样的贿赂彼此独立地定位在不同的平面中的模具可以在模块壳体（20）与一个平面基底模块（25）形成。

2. 发明申请

WO1998015010A1 THYRISTOR WITH BREAKDOWN REGION 审中-公开
标题翻译：具有突破性区晶闸管
公开(公告)号：WO1998015010A1
公开(公告)日：1998-04-09
申请号：PCT/DE1997002237
申请日：1997-09-29
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH + CO. KG , RUFF, Martin , SCHULZE, Hans-Joachim
发明人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH + CO. KG
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L21/263 , H01L29/1016 , H01L29/102 , H01L29/32 , H01L29/7424
摘要： The invention relates to a thyristor formed by a semiconductor body (1) with a base zone (2) on the anode side of the first mode of conductivity and at least one base zone (3) on the cathode side of the opposite second mode of conductivity, with emitter zones (7, 8) on both the anode and the cathode sides, with at least one region (6) in the base zone on the cathode side (3), which, owing to its geometry, has a reduced breakdown voltage as compared to the other regions of the base zone on the cathode side (3) and the border of the semiconductor body (1). The thyristor presents on the anode side beneath the region with reduced channeling current (6) at least one recombination zone (9) with decreased service life of the free charge carrier.
摘要翻译：本发明涉及包括半导体本体中的半导体闸流管（1），其具有阳极基座区（2）的第一导电类型和至少一个阴极基区（3）的相反的第二导电型，其具有阳极和阴极发射极区（7，8），与至少一个区域（6）在具有相对于阴极侧基区（3）和半导体本体（1）通过其几何形状的边缘的其他区域中的阴极基区（3）的击穿电压降低。阳极侧，在至少一个复合区域（9），击穿电压降低（6）的区域下方的晶闸管与自由载流子的寿命缩短。

3. 发明公开

EP0776041A3 Leistungs-Halbleitermodul 失效
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：EP0776041A3
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：EP96118608.7
申请日：1996-11-19
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. , Liebsch, Andreas
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495
CPC分类号： H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Halbleiterchips (5) sind elektrisch und thermisch leitend auf einem aus Blech bestehenden Leitungssystem (2, 3, 4) (Leadframe) befestigt. Das Leitungssystem ist mit beidseitig klebendem isolierendem Band (12) auf einer metallenen Basisplatte (10) aufgeklebt.

4. 发明公开

EP0654820A3 Halbleiter-Modul 失效
标题翻译： Halbleiter-MODUL。
公开(公告)号：EP0654820A3
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：EP94117619.0
申请日：1994-11-08
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Köhler, Werner , Spanke, Reinhold, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01L23/367 , H01L25/04 , H01L23/13
CPC分类号： H05K3/0061 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L2224/32225 , H05K3/341 , H05K2201/09018
摘要： Um einen einwandfreien thermischen Kontakt zwischen der Bodenplatte (1) eines Moduls und einem Kühlkörper (12) zu gewährleisten, ist die Unterseite (2) der Bodenplatte in an sich bekannter Weise konvex ausgebildet. Die Oberseite (5) der Bodenplatte ist plan. Damit läßt sich das Auflöten der Bauteile (6, 8, 9) auf der Oberseite verbessern und vereinfachen.
摘要翻译：半导体模块包括具有平面上表面和凸下表面的金属基板。电绝缘导热基板材料锁定地连接到金属基板的上表面。半导体芯片材料锁定地连接到基板的上表面。

5. 发明授权

EP0532941B1 Thyristor mit Randstruktur 失效
标题翻译：晶闸管边结构。
公开(公告)号：EP0532941B1
公开(公告)日：1995-08-09
申请号：EP92114397.0
申请日：1992-08-24
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Voss, Peter, Dr. , Ziegler, Elmar, Dr. , Loch, Karl-Heinz , Schmidt, Gerhard, Dr.
IPC分类号： H01L29/10
CPC分类号： H01L29/102 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/74

6. 发明公开

EP0584668A1 Leistungshalbleiter-Modul 失效
标题翻译： Leistungshalbleiter-MODUL。
公开(公告)号：EP0584668A1
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：EP93112961.3
申请日：1993-08-12
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG , SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Schulze, Gerhard, Dipl.-Ing. , Sommer, Karl-Heinz, Dr. rer. nat. , Spanke, Reinhold, Dipl.-Ing. , Papp, Gyoergy, Dr. , Springmann, Walter , Zwanziger, Peter
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/538
CPC分类号： H02M7/003 , H01L23/5386 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Für hohe Leistungen werden in einem Modul mehrere auf Leiterbahnen (3,4) angeordnete Halbleiteranordnungen (6,7) parallelgeschaltet. Sie liegen einander paarweise spiegelsymmetrisch gegenüber. Jeweils mindestens ein Paar und höchstens zwei in Richtung der Symmetrieachse hintereinanderliegende Paare von Halbleiteranordnungen sind mit Anschlußleitern (8,9) verbunden. Die Lage der Anschlußleiter bezüglich der kontaktierten Halbleiteranordnungen ist für jedes Paar von Halbleiteranordnungen bzw. je zwei Paare von Halbleiteranordnungen gleich. Entsprechende Anschlußleiter sind oberhalb der Leiterbahn miteinander verbunden.
摘要翻译：对于大功率，安装在导体轨道（3,4）上的多个半导体器件（6,7）在模块中并联连接。它们以镜面对称性成对地相对置。在每种情况下，在对称轴的方向上一个接一个地设置的至少一对且不超过两对半导体器件连接到端子引线（8,9）。端子引线相对于被接触的半导体器件的位置对于每对半导体器件或每两对半导体器件是相同的。相应的端子引线在导体轨道上连接在一起。

7. 发明公开

EP0551625A1 Leistungsdiode 失效
标题翻译： Leistungsdiode。
公开(公告)号：EP0551625A1
公开(公告)日：1993-07-21
申请号：EP92121408.6
申请日：1992-12-16
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Schlangenotto, Heinrich, Dr. rer. nat. , Sommer, Karl Heinz, Dr. rer. nat. , Kaussen, Franz, Dr. rer. nat.
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Abschalteigenschaften einer Leistungsdiode werden dahingehend verbessert, daß sie bei gleicher Durchlaßspannung und gleichem soft-recovery-Verhalten eine verminderte Rückstromspitze hat. Dies wird durch Aufteilen in zwei Teildioden (D1, D2) erreicht, von denen die erste eine Innenzonendicke aufweist, die auf die Sperrspannung abgestimmt ist. Die Innenzonendicke der zweiten Teildiode (D2) ist zur Erziehung eines soft-recovery-Verhaltens mindestens um den Faktor 1,4 größer. Die Flächen und die Minoritätsträger-Lebensdauern beider Teildioden (D1, D2) sind derart aufeinander abgestimmt, daß der Durchlaßstrom der ersten Teildiode (D1) mindestens um den Faktor zwei größer ist als der der zweiten.
摘要翻译：改善了功率二极管的关断特性，使得在给定相同的导通状态电压和相同的软恢复特性的情况下，它具有降低的峰值反向恢复电流。这通过将其分为两个子二极管（D1，D2）来实现，其中第一个具有针对反向电压定制的内部区域厚度。第二子二极管（D2）的内部区域厚度，以达到软恢复行为的要求至少为1.4以上。两个子区域（D1，D2）的区域和少数民族运营商的服务寿命彼此匹配，使得第一子二极管（D1）的导通状态电流大于第二子载体最少的因素二。

8. 发明公开

EP0435021A2 Verfahren zum Herstellen von anodenseitigen Kurzschlüssen in Thyristoren 失效
标题翻译：维吾尔族人在赫尔斯泰伦·冯·奥尼克森
公开(公告)号：EP0435021A2
公开(公告)日：1991-07-03
申请号：EP90123130.8
申请日：1990-12-03
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Schuh, Gottfried , Schulze, Hans Joachim, Dr.
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/66363 , H01L21/28 , Y10S148/14
摘要： Anodenseitige Kurzschlüsse bei Thyristoren lassen sich mit geringem Aufwand herstellen, indem zuerst anodenseitig eine p-dotierte Schicht erzeugt wird. Darauf werden nach einer Oxidmaskierung und -Strukturierung bis in die anodenseitige Basiszone (1) des Thyristors reichende Vertiefungen (7) hergestellt, in denen dann die Kurzschlußbereiche erzeugt werden. Nach Entfernen des Oxids wird die Anodenelektrode aufgebracht, die die p-dotierte Schicht und die Kurzschlußbereiche kontaktiert. Alternativ können auch die Kurzschlußbereiche zuerst durch die Öffnungen eines strukturierten Oxids hindurch erzeugt werden. Dann wird nach Entfernen des Oxids ganzflächig p-dotiert, wobei die Dotierung geringer als die der Kurzschlußbereiche ist. Anschließend wird die Anodenelektrode aufgebracht.
摘要翻译：通过首先在阳极侧产生p掺杂层，可以制造晶闸管中的阳极侧短路，成本低。在氧化物掩模和氧化物结构化之后，然后制造向下延伸到晶闸管的阳极侧基极区（1）的凹部（7），然后产生短路区域。在去除氧化物之后，沉积与p掺杂层和短路区域接触的阳极电极。或者，也可以首先通过结构化氧化物的开口产生短路区域。在去除氧化物之后，在整个表面上进行p掺杂，掺杂低于短路区域的掺杂。然后沉积阳极电极。 ... ...

9. 发明公开

EP1683197A2 LEISTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：电源模块
公开(公告)号：EP1683197A2
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：EP04797835.8
申请日：2004-11-11
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： SCHILLING, Oliver , SPANKE, Reinhold
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/49 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： Disclosed is a power module comprising several circuit units (20, 21) that are electrically connected in parallel and are provided with terminal contacts (5, 5′) which are electrically and mechanically interconnected via at least one current-conducting saddle (26). In order to create a power module which is easy to produce and in which the current-conducting saddle (26) requires little space, the saddle (26) is embodied in several parts while encompassing a terminal element (12) that can be connected in a fixed manner to a terminal contact (5) of a circuit unit (20) independently of a connecting element (25) of the saddle (26). The connecting element (25) of the saddle (26) extends on a plane that is spaced apart from the circuit unit (20) while being electrically connected to the terminal element (12).

10. 发明授权

EP1169736B1 LEISTUNGSHALBLEITERMODUL 有权
公开(公告)号：EP1169736B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：EP00915126.7
申请日：2000-03-01
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： FERBER, Gottfried , PELMER, Reimund
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H05K3/4092 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H05K1/0306 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to a power semiconductor module comprised of a plastic housing (1), a plurality of terminal elements (7) for external main terminals and control terminals, at least one ceramic substrate (4) which is provided at least on the top side (5) thereof with a structured metallization (8), which is fitted with semiconductor components (13) and which is inserted into the bottom opening of the plastic housing. The terminal elements for the outer main terminals and control terminals are connected by detaching a part of the structured metallization from the ceramic substrates and bending it vertically upward to form a holding tongue (10) so that the holding tongue can be connected to a terminal element by means of a hard solder (18) or a welded connection. These measures ensure an excellent stability with regard to thermal alternating stresses.
摘要翻译：本发明涉及一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括塑料外壳（1），用于外部主端子和控制端子的多个端子元件（7），至少一个陶瓷基板（4），该陶瓷基板至少在顶侧（5）具有结构化的金属化部（8），该结构化的金属化部（8）装配有半导体部件（13）并且被插入塑料壳体的底部开口中。用于外部主端子和控制端子的端子元件通过从陶瓷基板上分离结构化金属化的一部分并垂直向上弯曲以形成保持舌片（10）而连接，使得保持舌片可以连接到端子元件通过硬焊料（18）或焊接连接。这些措施确保了热交变应力方面的出色稳定性。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式