会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 5. 发明申请
      US20090067105A1 ESD PROTECTION CIRCUIT AND METHOD 有权
    • ESD PROTECTION CIRCUIT AND METHOD
    • ESD保护电路和方法
    • US20090067105A1
    • 2009-03-12
    • US11852799
    • 2007-09-10
    • Shu-Huei Lin , Chong-Gim Gan , Yi-Hsun Wu , Yu-Chang Lin
    • Shu-Huei Lin , Chong-Gim Gan , Yi-Hsun Wu , Yu-Chang Lin
    • H02H9/04
    • H01L27/0266
    • A system includes a driving device operating at first supply voltage Vdd1 and having a CMOS output. A driven devise operates at a second supply voltage Vdd2 lower than the first supply voltage Vdd1, and has a CMOS input with an NMOS pull-down transistor. A protection circuit includes a first resistor coupled to the CMOS output of the driving device and a gate of the NMOS pull-down transistor. A parasitic NPN bipolar junction transistor has a drain connected to the gate of the NMOS pull-down transistor sad a source coupled to a lower-voltage supply rail VSS. A second resistor connects a gate of the parasitic NPN bipolar junction transistor to Vss. The second resistor has a resistance sized for controlling a trigger voltage of the parasitic NPN bipolar junction transistor for protecting a gate oxide layer of the NMOS pull-down transistor from an electrostatic discharge.
    • 系统包括以第一电源电压Vdd1操作并具有CMOS输出的驱动装置。 驱动装置在低于第一电源电压Vdd1的第二电源电压Vdd2下工作，并具有带NMOS下拉晶体管的CMOS输入。 保护电路包括耦合到驱动装置的CMOS输出的第一电阻器和NMOS下拉晶体管的栅极。 寄生NPN双极结晶体管具有连接到NMOS下拉晶体管的栅极的漏极和耦合到较低电压电源轨VSS的源极。 第二个电阻将寄生NPN双极结晶体管的栅极连接到Vss。 第二电阻器的电阻大小用于控制寄生NPN双极结晶体管的触发电压，用于保护NMOS下拉晶体管的栅氧化层免受静电放电。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明申请
      US20070111341A1 Devices and methods for detecting current leakage between deep trench capacitors in DRAM devices 有权
    • Devices and methods for detecting current leakage between deep trench capacitors in DRAM devices
    • 用于检测DRAM器件中深沟槽电容器之间的电流泄漏的装置和方法
    • US20070111341A1
    • 2007-05-17
    • US11619313
    • 2007-01-03
    • Yu-Chang Lin
    • Yu-Chang Lin
    • H01L21/66 , H01L23/58 , H01L21/8242
    • H01L27/0207 , G11C11/401 , G11C29/006 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , H01L22/34 , H01L27/10861
    • A test device for detecting current leakage between deep trench capacitors in DRAM devices. The test device is disposed in a scribe line region of a wafer. In the test device, a first trench capacitor pair has a first deep trench capacitor and a second deep trench capacitor connected in parallel. A first transistor has a first terminal electrically coupled to the first deep trench capacitor and a control terminal electrically coupled to a first word line. A second transistor has a first terminal electrically coupled to the second deep trench capacitor and a control terminal electrically coupled to a second word line. First and second bit lines are electrically coupled to the first and second transistors respectively. The first and second bit lines are separated and the first and second word lines are perpendicular to the bit line regions.
    • 一种用于检测DRAM器件中深沟槽电容器之间的电流泄漏的测试装置。 测试装置设置在晶片的划线区域中。 在测试装置中，第一沟槽电容器对具有并联连接的第一深沟槽电容器和第二深沟槽电容器。 第一晶体管具有电耦合到第一深沟槽电容器的第一端子和电耦合到第一字线的控制端子。 第二晶体管具有电耦合到第二深沟槽电容器的第一端子和电耦合到第二字线的控制端子。 第一和第二位线分别电耦合到第一和第二晶体管。 第一和第二位线被分离，第一和第二字线垂直于位线区域。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号