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    • 1. 发明申请
    • PROCESS FOR THE COLLECTIVE MANUFACTURING OF ELECTRONIC 3D MODULES
    • 电子3D模块集成制造工艺
    • WO2008022901A3
    • 2008-06-19
    • PCT/EP2007058090
    • 2007-08-03
    • 3D PLUSVAL CHRISTIAN
    • VAL CHRISTIAN
    • H01L21/98H01L21/68H01L23/58H01L25/065
    • H01L22/32H01L21/563H01L21/6835H01L21/6836H01L25/0657H01L25/50H01L2221/68327H01L2221/6834H01L2221/68359H01L2221/68368H01L2221/68386H01L2224/73203H01L2225/06513H01L2225/06551H01L2225/06572H01L2924/01019H01L2924/01068H01L2924/01079H01L2924/1461Y10T29/49004H01L2924/00
    • The invention relates to the collective manufacturing of n 3D modules. It comprises a manufacturing stage of a batch of n wafers i on the same plate, of the same thickness, and comprised of silicon, covered on one test point side face (20) then an insulating layer (4) of e thickness, forming the insulating substrate and equipped with at least one electronic component (11 ) connected to the test points (20) by means of the said insulating layer, with the components being separated from each other by primary grooves (30) with a width L1, and with the connecting points of the components (2) being connected to the tracks (3) that are flush with the level of the grooves (30), (B1) a stage depositing an adhesive support (40) on the component-side face, C1 ) a stage withdrawing the silicon plate (10) so as to show the test points (20), D1 ) a stage testing the electronic components of the plate by means of the test points (20), and marking of the valid components (11 '), E1 ), a stage for reporting on an adhesive film (41), the wafers (50) each comprising a valid component (11 '), with the wafers being separated by the secondary grooves (31) at the level at which the conductive tracks (3) of the valid components (11 ') appear. This stage, repeated K times, is followed by a stage of stacking the K plates, by making metalized holes in the thickness of the stack which are intended for connecting the wafers between the K plates, then cutting the stack to obtain the n 3D modules.
    • 本发明涉及n个3D模块的集体制造。 它包括相同厚度的同一板上的一批n个晶片i的制造阶段,并且由硅组成,覆盖在一个测试点侧面(20)上,然后覆盖e厚度的绝缘层(4),形成 绝缘基板,并且配备有通过所述绝缘层连接到所述测试点(20)的至少一个电子部件(11),所述部件通过具有宽度L1的主槽(30)彼此分离,并且与 组件(2)的连接点连接到与凹槽(30)的平面齐平的轨道(3),(B1)在组件侧面上沉积粘合剂支撑件(40)的台阶 )阶段抽出硅板(10)以示出测试点(20),D1)通过测试点(20)对板的电子部件进行分级测试,并标记有效部件(11) '),E1),用于报告粘合膜(41)的阶段,每个晶片(50)包括一个瓦片 d分量(11'),其中晶片在有效部件(11')的导电轨道(3)出现的水平处被辅助凹槽(31)分开。 在这个阶段,重复K次,之后是堆叠K个板的阶段,通过在堆叠的厚度上形成用于连接K板之间的晶片的金属化孔,然后切割堆叠以获得n个3D模块 。
    • 2. 发明申请
    • PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D
    • 3D电子模块集成制造工艺
    • WO2007071696A1
    • 2007-06-28
    • PCT/EP2006/069948
    • 2006-12-19
    • 3D PLUSVAL, Christian
    • VAL, Christian
    • H01L23/48H01L21/98H01L25/065
    • H01L23/3107H01L25/105H01L2225/1023H01L2225/1064H01L2924/0002Y10T29/49126Y10T29/49146Y10T29/49165Y10T29/49169H01L2924/00
    • L'invention concerne la fabrication collective de n modules 3D. Elle comprend une étape de fabrication d'un lot de n tranches i sur une même plaque, cette étape étant répétée K fois, puis une étape d'empilement des K plaques, de formation de trous métallisés dans l'épaisseur de l'empilement et destinés à la connexion des tranches entre elles, puis de découpe de l'empilement pour obtenir les n modules 3D. La plaque 10 qui comprend du silicium est recouverte sur une face 11 d'une couche électriquement isolante formant le substrat isolant. Cette face présente des rainures 20 qui délimitent n motifs géométriques, munis d'un composant électronique 1 connecté à des plots de connexion électrique 2' disposés sur ladite face. Après l'empilement, des trous sont percés perpendiculairement aux faces des plaques à l'aplomb des rainures ; la dimension des trous est inférieure à celle des rainures, de manière à ce que le silicium de chaque tranche 10 soit isolé de la paroi du trou par de la résine.
    • 本发明涉及n个3D模块的集体制作。 它包括在同一板上制造一批n个晶片i的步骤,该步骤重复K次,然后是堆叠K板的步骤,形成厚度为叠层的电镀通孔的步骤, 这些孔旨在将切片连接在一起,然后切割堆叠以获得n个3D模块的步骤。 包含硅的板10被覆盖在一个表面11上,其中形成绝缘基板的电绝缘层。 该面具有限定n个几何特征的槽20,其具有连接到放置在所述面上的电连接焊盘2'的电子部件1。 在堆叠操作之后,垂直于板的表面垂直钻孔,与槽一致。 孔的尺寸小于槽的尺寸,使得每个晶片10的硅通过树脂与孔的壁隔离。
    • 8. 发明申请
    • PROCEDE DE POSITIONNEMENT DES PUCES LORS DE LA FABRICATION D'UNE PLAQUE RECONSTITUEE
    • 在生产重建波浪时定位墨水的方法
    • WO2010142804A1
    • 2010-12-16
    • PCT/EP2010/058277
    • 2010-06-14
    • 3D PLUSVAL, Christian
    • VAL, Christian
    • H01L23/31H01L23/538H01L21/56
    • H01L21/568H01L23/3107H01L23/3114H01L23/3128H01L23/5386H01L23/5389H01L24/19H01L24/24H01L24/96H01L2224/04105H01L2224/24137H01L2924/01079H01L2924/12042H01L2924/1461H01L2924/181H01L2924/19041H01L2924/30107H01L2924/00
    • L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque reconstituée (100) qui comporte des puces (1) présentant des plots de connexion (10), ce procédé comprenant les étapes suivantes de : - fabrication d'une première plaque de puces (1). Il comprend en outre les étapes suivantes : - réalisation sur cette plaque d'un empilement d'au moins une couche de redistribution des plots (10) des puces sur des pistes conductrices (12) destinées à l'interconnexion des puces, cet empilement étant désigné couche RDL principale (14), - découpe de cette plaque pour obtenir des puces (1) individuelles munies chacune de leur couche RDL (14), - report des puces individuelles avec leur couche RDL (14) sur un support suffisamment rigide (20) pour rester plan lors des étapes suivantes, et muni d'une couche de colle (21), avec la couche RDL (14) sur la couche de colle (21), - dépôt d'une résine (30) pour encapsuler les puces (1), - polymérisation de la résine, - retrait du support rigide (20), - dépôt d'une seule couche de redistribution dite mini RDL (24) pour relier les pistes conductrices de la couche RDL (14) principale jusqu'à des contacts d'interconnexion, à travers des ouvertures (22) pratiquées dans la couche de colle (21), la plaque comportant la résine polymérisée, les puces avec leur couche de RDL, et la Mini RDL étant la plaque reconstituée (100).
    • 本发明涉及一种用于制造重构晶片(100)的方法,该方法包括具有接合焊盘(10)的芯片(1),所述方法包括制造第一芯片晶片(1)的以下步骤。 该方法还包括以下步骤:在所述晶片上产生至少一层的堆叠,用于将芯片的焊盘(10)重新分配在用于互连芯片的导电轨道(12)上,所述堆叠被称为主RDL层 (14); 切割所述晶片以获得每个具有其自己的RDL层(14)的单个芯片(1); 将具有RDL层(14)的单个芯片添加到刚性足以在随后的步骤期间保持平坦的基底(20),并且设置有粘合剂层(21),RDL层(14)在粘合剂层 21); 沉积树脂(30)以封装芯片(1); 聚合树脂; 去除刚性基板(20); 沉积称为微型RDL(24)的单个再分布层,以将主RDL层(14)的导电轨道与互连触点,通过在粘合剂层(21)中形成的开口(22)连接,晶片包括聚合的 树脂,具有RDL层的芯片和形成复原晶片(100)的小型RDL。