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1. 发明申请

US20140156796A1 INTELLIGENT INFORMATION PROVIDING SYSTEM AND METHOD 有权
标题翻译：智能信息提供系统和方法
公开(公告)号：US20140156796A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：US14232111
申请日：2012-04-27
申请人： Sang Woo Hong , Sang Hee Shin , Yoon Kyung Kim , Bo Mi Kim , Jae Eun Suh , Song Yi Yang
发明人： Sang Woo Hong , Sang Hee Shin , Yoon Kyung Kim , Bo Mi Kim , Jae Eun Suh , Song Yi Yang
IPC分类号： H04L29/08
CPC分类号： H04L67/10 , G06F17/30528
摘要： Disclosed is an intelligent information providing system including: a user terminal requesting a registration of an intent for a word selected from a content recorded on a memo pad and receiving information related to the registered intent or style information on a role model in a group related to the intent; and an information management device registering the intent requested by the user terminal and providing the information related to the registered intent or the style information on the role model in the group related to the intent to the user terminal.
摘要翻译：公开了一种智能信息提供系统，包括：用户终端请求从记录在备忘录板上的内容中选择的单词的意图，并且接收与所注册的意图相关的信息或与相关组中的角色模型有关的风格信息意图; 以及信息管理装置，其向用户终端注册用户终端请求的意图，并向用户终端提供关于与该意图有关的组中的角色模型的注册意向或风格信息相关的信息。

2. 发明申请

US20120049377A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DOUBLE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS FOR FORMING PATTERNS OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：用于形成半导体器件的图案的双光刻机工艺的半导体器件和方法
公开(公告)号：US20120049377A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：US12983478
申请日：2011-01-03
申请人： Song-Yi Yang , Seung-pil Chung , Dong-hyun Kim , O-ik Kwon , Hong Cho
发明人： Song-Yi Yang , Seung-pil Chung , Dong-hyun Kim , O-ik Kwon , Hong Cho
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/302 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/11519 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device and a method of forming patterns on a semiconductor device are disclosed. The semiconductor device may include high-density patterns with a minimum size that may be less the resolution limit of a photolithography process, and may have a substrate including a memory cell region and an adjacent connection region, a plurality of first conductive lines extending from the memory cell region to the connection region in a first direction, a plurality of second conductive lines connected from respective first conductive lines to a plurality of pads having a width equal to twice the width of each of the first conductive lines. The method may include two levels of spacer formation to provide sub resolution line widths and spaces as well as selected multiples of the minimum line widths and spaces.
摘要翻译：公开了一种在半导体器件上形成图案的半导体器件和方法。半导体器件可以包括具有最小尺寸的高密度图案，其可以小于光刻工艺的分辨率极限，并且可以具有包括存储单元区域和相邻连接区域的基板，从第一导电线延伸的多个第一导电线存储单元区域连接到第一方向上的连接区域;多个第二导线，其从相应的第一导线连接到宽度等于每个第一导电线宽度的两倍的多个焊盘。该方法可以包括两个级别的间隔物形成以提供子分辨率线宽度和空间以及最小线宽和空间的选定倍数。

3. 发明授权

US08039345B2 Methods of forming semiconductor devices 有权
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：US08039345B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US12816642
申请日：2010-06-16
申请人： Kyung-yub Jeon , Jong-heui Song , Song-yi Yang
发明人： Kyung-yub Jeon , Jong-heui Song , Song-yi Yang
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J37/32357 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L27/11521
摘要： A method of forming a semiconductor device may include forming a first pattern on a substrate, and forming a first dielectric layer on the first pattern. The first pattern may be between portions of the first dielectric layer and the substrate. A second dielectric layer may be formed on the first dielectric layer, and the first dielectric layer may be between the first pattern and the second dielectric layer. A second pattern may be formed on the second dielectric layer. Portions of the second dielectric layer may be exposed by the second pattern, and the first and second dielectric layers may be between portions of the first and second patterns. The exposed portions of the second dielectric layer may be isotropically etched.
摘要翻译：形成半导体器件的方法可以包括在衬底上形成第一图案，以及在第一图案上形成第一电介质层。第一图案可以在第一介电层和基板的部分之间。可以在第一电介质层上形成第二电介质层，并且第一介电层可以在第一图案和第二介电层之间。第二图案可以形成在第二介电层上。第二介电层的一部分可以被第二图案曝光，并且第一和第二介电层可以在第一和第二图案的部分之间。可以对第二电介质层的暴露部分进行各向同性蚀刻。

4. 发明申请

US20070082296A1 Method of forming micro-patterns using multiple photolithography process 审中-公开
标题翻译：使用多次光刻工艺形成微图案的方法
公开(公告)号：US20070082296A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：US11545417
申请日：2006-10-10
申请人： Song-yi Yang , Kyeong-koo Chi
发明人： Song-yi Yang , Kyeong-koo Chi
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/0035 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/32139
摘要： Provided is a method of forming micro-patterns using a multi-photolithography process, including: providing an etch target layer where micro-patterns are to be formed; forming a mask layer on the etch target layer; forming a first mask pattern including engraved portions and embossed portions by etching a predetermined region of the mask layer; forming a final mask pattern in the first mask pattern by etching a predetermined region of the residual embossed portions of the mask layer; and forming micro-patterns by etching the etch target layer using the final mask pattern as an etch mask.
摘要翻译：提供了使用多光刻工艺形成微图案的方法，包括：提供要形成微图案的蚀刻目标层; 在蚀刻目标层上形成掩模层; 通过蚀刻掩模层的预定区域形成包括雕刻部分和压花部分的第一掩模图案; 通过蚀刻掩模层的残留压花部分的预定区域，在第一掩模图案中形成最终掩模图案; 以及通过使用最终掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标层来形成微图案。

5. 发明申请

US20110059602A1 Methods of Forming Semiconductor Devices 有权
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：US20110059602A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：US12816642
申请日：2010-06-16
申请人： Kyung-yub Jeon , Jong-heui Song , Song-yi Yang
发明人： Kyung-yub Jeon , Jong-heui Song , Song-yi Yang
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J37/32357 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L27/11521
摘要： A method of forming a semiconductor device may include forming a first pattern on a substrate, and forming a first dielectric layer on the first pattern. The first pattern may be between portions of the first dielectric layer and the substrate. A second dielectric layer may be formed on the first dielectric layer, and the first dielectric layer may be between the first pattern and the second dielectric layer. A second pattern may be formed on the second dielectric layer. Portions of the second dielectric layer may be exposed by the second pattern, and the first and second dielectric layers may be between portions of the first and second patterns. The exposed portions of the second dielectric layer may be isotropically etched.
摘要翻译：形成半导体器件的方法可以包括在衬底上形成第一图案，以及在第一图案上形成第一电介质层。第一图案可以在第一介电层和基板的部分之间。可以在第一电介质层上形成第二电介质层，并且第一介电层可以在第一图案和第二介电层之间。第二图案可以形成在第二介电层上。第二介电层的一部分可以被第二图案曝光，并且第一和第二介电层可以在第一和第二图案的部分之间。可以对第二电介质层的暴露部分进行各向同性蚀刻。

6. 发明授权

US09124590B2 Intelligent information providing system and method 有权
标题翻译：智能信息提供系统和方法
公开(公告)号：US09124590B2
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：US14232111
申请日：2012-04-27
申请人： Sang Woo Hong , Sang Hee Shin , Yoon Kyung Kim , Bo Mi Kim , Jae Eun Suh , Song Yi Yang
发明人： Sang Woo Hong , Sang Hee Shin , Yoon Kyung Kim , Bo Mi Kim , Jae Eun Suh , Song Yi Yang
IPC分类号： H04L29/08 , G06F17/30
CPC分类号： H04L67/10 , G06F17/30528
摘要： Disclosed is an intelligent information providing system including: a user terminal requesting a registration of an intent for a word selected from a content recorded on a memo pad and receiving information related to the registered intent or style information on a role model in a group related to the intent; and an information management device registering the intent requested by the user terminal and providing the information related to the registered intent or the style information on the role model in the group related to the intent to the user terminal.
摘要翻译：公开了一种智能信息提供系统，包括：用户终端请求从记录在备忘录板上的内容中选择的单词的意图，并且接收与所注册的意图相关的信息或与相关组中的角色模型有关的风格信息意图; 以及信息管理装置，其向用户终端注册用户终端请求的意图，并向用户终端提供关于与该意图有关的组中的角色模型的注册意向或风格信息相关的信息。

7. 发明授权

US08541306B2 Semiconductor device and method of double photolithography process for forming patterns of the semiconductor device 有权
标题翻译：用于形成半导体器件的图案的双光刻工艺的半导体器件和方法
公开(公告)号：US08541306B2
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：US12983478
申请日：2011-01-03
申请人： Song-yi Yang , Seung-pil Chung , Dong-hyun Kim , O-ik Kwon , Hong Cho
发明人： Song-yi Yang , Seung-pil Chung , Dong-hyun Kim , O-ik Kwon , Hong Cho
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/302 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/11519 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device and a method of forming patterns on a semiconductor device are disclosed. The semiconductor device may include high-density patterns with a minimum size that may be less the resolution limit of a photolithography process, and may have a substrate including a memory cell region and an adjacent connection region, a plurality of first conductive lines extending from the memory cell region to the connection region in a first direction, a plurality of second conductive lines connected from respective first conductive lines to a plurality of pads having a width equal to twice the width of each of the first conductive lines. The method may include two levels of spacer formation to provide sub resolution line widths and spaces as well as selected multiples of the minimum line widths and spaces.
摘要翻译：公开了一种在半导体器件上形成图案的半导体器件和方法。半导体器件可以包括具有最小尺寸的高密度图案，其可以小于光刻工艺的分辨率极限，并且可以具有包括存储单元区域和相邻连接区域的基板，从第一导电线延伸的多个第一导电线存储单元区域连接到第一方向上的连接区域;多个第二导线，其从相应的第一导线连接到宽度等于每个第一导电线宽度的两倍的多个焊盘。该方法可以包括两个级别的间隔物形成以提供子分辨率线宽度和空间以及最小线宽和空间的选定倍数。

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