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热词
    • 10. 发明授权
    • Diode
    • 二极管
    • US06218683B1
    • 2001-04-17
    • US09463407
    • 2000-02-01
    • Shinji KogaKazuhiro MorishitaKatsumi Satoh
    • Shinji KogaKazuhiro MorishitaKatsumi Satoh
    • H01L2974
    • H01L29/32H01L29/861H01L29/868
    • The present invention relates to a diode, and has an object to simultaneously implement a high di/dt capability, a low reverse recovery loss and a low forward voltage and to suppress generation of voltage oscillation. In order to achieve the above-mentioned object, life time killers are selectively introduced into a semiconductor substrate (20) comprising a P layer (1), an N− layer (21) and an N+ layer (3). A density of the introduced life time killers is the highest in a first region (6) adjacent to the P layer (1), and is the second highest in a second region (7) in the N− layer (21). The life time killers are not introduced into a third region (2). Accordingly, a life time in the N− layer (21) is expressed by the first region (6)
    • 本发明涉及一种二极管,其目的在于同时实现高di / dt能力,低反向恢复损耗和低正向电压,并抑制电压振荡的产生。 为了实现上述目的,将寿命杀手选择性地引入到包括P层(1),N层(21)和N +层(3)的半导体衬底(20)中。 引入的寿命杀伤剂的密度在与P层(1)相邻的第一区域(6)中是最高的,并且是N层(21)中的第二区域(7)中的第二高度。 生命时代的杀手并没有被引入第三个地区(2)。 因此,通过第一区域(6)<第二区域(7)<第三区域(2)表示N层(21)中的寿命。 第二区域(7)和第三区域(2)与P层(1)相邻。 此外,第二区域(7)环绕第三区域(2)。