专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2008008888A Method for manufacturing pressure sensor using soi wafer 审中-公开
标题翻译：使用SOI WAFER制造压力传感器的方法
公开(公告)号：JP2008008888A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：JP2007134806
申请日：2007-05-21
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオンアクチエンゲゼルシャフト
发明人： MAYER FELIX , BUHLER JOHANNES , STREIFF MATTHIAS , SUNIER ROBERT
IPC分类号： G01L9/00 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of pressure sensor which tends to be compatible with standard CMOS processes or bipolar processes.
SOLUTION: The pressure sensor is manufactured by jointing two wafers 1a, 1st wafer equipped with CMOS circuit 2, and 14, a 2nd wafer which is a SOI (Silicon-On-Insulator) wafer. The uppermost material layer of the 1st wafer 1a, a recess is formed. This recess is covered with a silicon layer 17 of the 2nd wafer 14, to form a cavity 18. A part of or whole substrate 15 of the 2nd wafer 14 is removed, to form a film from the silicon layer 17. Alternatively, the cavity may be formed inside the 2nd wafer 14. The 2nd wafer 14 is electrically connected to the circuit on the 1st wafer 1a. According to this design, use of standard CMOS processes for integrating circuit on the 1st wafer 1a becomes available.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供倾向于与标准CMOS工艺或双极工艺兼容的压力传感器的制造方法。解决方案：压力传感器通过将配备有CMOS电路2和14的两个晶片1a，第一晶片，作为SOI（绝缘体上硅）晶片的第二晶片接合而制造。形成第一晶片1a的最上层的材料层，形成凹部。该凹部被第二晶片14的硅层17覆盖以形成空腔18.去除第二晶片14的一部分或整个基板15，以从硅层17形成膜。或者，空腔可以形成在第二晶片14的内部。第二晶片14电连接到第一晶片1a上的电路。根据该设计，可以使用在第一晶片1a上集成电路的标准CMOS工艺。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2012191619A Mobile phone 有权
标题翻译：移动电话
公开(公告)号：JP2012191619A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2012051809
申请日：2012-03-08
申请人： Sensirion Ag , センシリオンアクチエンゲゼルシャフト
发明人： DOMINIK NIEDERBERGER , JOHANNES SCHUMM , PASCAL GERNER , MARKUS GRAF
IPC分类号： H04M1/00 , A61B5/00 , A61B5/107 , H04M1/02
CPC分类号： H04M1/21 , A61B5/443 , A61B5/6898 , A61B2562/029 , G01N27/223 , H04M2250/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To determine a health-related parameter by means of a mobile phone.SOLUTION: A mobile phone comprises: a casing; a cavity in the casing; a humidity sensor arranged to measure humidity in the cavity; a control unit to analyze a humidity signal supplied by the humidity sensor; an output unit to present a result of the analysis.
摘要翻译：要解决的问题：通过移动电话确定健康相关参数。解决方案：移动电话包括：壳体; 壳体中的空腔; 湿度传感器，布置成测量空腔中的湿度; 控制单元，分析由湿度传感器提供的湿度信号; 用于呈现分析结果的输出单元。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2010050452A Method for manufacturing sensor device with stress relief layer 有权
标题翻译：用于制造具有应力层的传感器装置的方法
公开(公告)号：JP2010050452A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2009185388
申请日：2009-08-10
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオン・アーゲー
发明人： HUNZIKER WERNER , BREM FRANZISKA , HUMMEL RENE
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： G01N27/223 , G01D3/028 , G01K7/01 , H01L21/565 , H01L23/3185 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a sensor device which can reduce a distortion caused by a mechanical stress. SOLUTION: When molding the device package having a sensitive structure 2 integrated on a semiconductor chip 5, an inward extending section 11 of the mold maintains an access opening to the sensor. A buffer layer 6 is arranged on the chip between the inward extending section 11 and the sensitive structure. The buffer layer 6 protects the sensitive structure 2 from damage by the inward extending section 11 and acts as a seal while casting the housing. The buffer layer 6 also covers at least part of the semiconductor electronic components of the circuitry 3 integrated onto the chip 5. By covering these components, mechanical stress, as it is e.g. caused by different thermal expansion coefficients of the packaging and the chip, can be reduced. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以减少由机械应力引起的变形的传感器装置的制造方法。解决方案：当模制具有集成在半导体芯片5上的敏感结构2的器件封装时，模具的向内延伸部分11保持对传感器的访问开口。缓冲层6布置在芯片之间的向内延伸部分11和敏感结构之间。缓冲层6保护敏感结构2免受向内延伸部分11的损伤，并在铸造壳体时用作密封件。缓冲层6还覆盖集成到芯片5上的电路3的半导体电子部件的至少一部分。通过覆盖这些部件，例如机械应力。由包装和芯片的不同热膨胀系数引起的，可以减少。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2015166237A 温度又は湿度センサーを有するシートアッセンブリ审中-公开
标题翻译：带温度或湿度传感器的座椅组件
公开(公告)号：JP2015166237A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2015011899
申请日：2015-01-26
申请人：センシリオンアーゲー , Sensirion AG
发明人：ミュラー、クリストフ , ゲーツェ、ミカエル , グラフ、マルクス
IPC分类号： B60N2/56 , A47C7/62 , B60N2/44
CPC分类号： B60H1/00792 , B60N2/56 , B60N2/58 , G01N19/10
摘要：【課題】シートアッセンブリの中に一体化するためのセンサーモジュールの提供。【解決手段】センサーモジュールは、温度及び/又は湿度センサー21、及び前記温度及び/又は湿度センサーを機械的に支持するための独立したセンサーサポート50を含む。センサーサポートは、シートアッセンブリの通気性カバーの下の支持層の上又は中に配置されるように構成される。【選択図】図14
摘要翻译：要解决的问题：提供用于集成在座椅组件内的传感器模块。解决方案：传感器模块包括用于机械地支撑温度和/或湿度传感器的温度和/或湿度传感器21和单独的传感器支撑件50。传感器支撑件被配置为布置在座椅组件的透气罩下方的支撑层中或支撑层中。

5. 发明专利

JP2008026322A Humidity detector for detecting fogging of window glass 有权
标题翻译：用于检测窗玻璃雾化的湿度检测器
公开(公告)号：JP2008026322A
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：JP2007188362
申请日：2007-07-19
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオンアクチエンゲゼルシャフト
发明人： ROTHACHER URS , MAYER FELIX , LECHNER MORITZ , HESS VINCENT
IPC分类号： G01N27/00 , B60S1/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a humidity detector having a simple design that can be readily manufactured. SOLUTION: The humidity detector has a housing 14, that is suitable for retaining a front glass 20 of a vehicle or a humidity sensor 2 in other types of windows. A flexible printed circuit substrate 1 is arranged between the humidity sensor 2 and the front glass, which connects between the humidity sensor 2 and an additional circuit of the detector. The humidity sensor 2 is arranged in the lower side of a cap 8 that is engaged by a glider member 11. A spring 18 presses the glider member 11 against the front glass 20. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有易于制造的简单设计的湿度检测器。
解决方案：湿度检测器具有壳体14，其适于将车辆的前玻璃20或湿度传感器2保持在其他类型的窗口中。柔性印刷电路基板1设置在湿度传感器2和连接在湿度传感器2和检测器的附加电路之间的前玻璃之间。湿度传感器2设置在与滑动构件11接合的盖8的下侧。弹簧18将滑动构件11压靠在前玻璃20上。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2007279036A Flow sensor with thermocouple 有权
标题翻译：流量传感器与热电偶
公开(公告)号：JP2007279036A
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：JP2007094660
申请日：2007-03-30
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオンアクチエンゲゼルシャフト
发明人： VON WALDKIRCH MARC , HORNUNG MARK , MAYER FELIX , LECHNER MORITZ
IPC分类号： G01F1/692
CPC分类号： G01F1/6888 , G01F1/6845 , G01F1/696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flow sensor with thermocouple as a means of improving the degree of accuracy of flow measuring devices. SOLUTION: The flow sensor includes a heater 4, placed between two sensitive thermocouples 6a and 6b. Moreover, one or more monitoring thermocouples 12a and 12b are prepared to measure temperature of the heater 4. Signals from the monitoring thermocouples 12a and 12b can be used to improve the degree of accuracy of the device by means of various fashions. In particular, since the signals from the monitoring thermocouples depend on the variations of the Seebeck constant and other intrinsic properties of thermocouples, in the same manner as the signals from the sensitive thermocouples 6a and 6b, compensation of such an effect can be made. Signals from the monitoring thermocouples can also be used as a reference signal with respect to an A/D converter for conversion of signals from the sensitive thermocouples 6a and 6b. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有热电偶的流量传感器作为提高流量测量装置的精度的手段。解决方案：流量传感器包括放置在两个敏感热电偶6a和6b之间的加热器4。此外，准备一个或多个监视热电偶12a和12b来测量加热器4的温度。来自监视热电偶12a和12b的信号可以用于通过各种时尚来提高装置的精度。特别地，由于来自监视热电偶的信号取决于热电偶的塞贝克常数和其他固有特性的变化，以与来自敏感热电偶6a和6b的信号相同的方式，可以补偿这样的效果。来自监视热电偶的信号也可以用作相对于A / D转换器的参考信号，用于转换来自敏感热电偶6a和6b的信号。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2020187115A 環境センサを備えるセンサデバイス内の流量測定审中-公开
公开(公告)号：JP2020187115A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2020057631
申请日：2020-03-27
申请人：センシリオンアーゲー , Sensirion AG
发明人：トーマスクルヘンビュール , シュテファンコストナー , マルクホルヌング , ザームエルフューラー
IPC分类号： G01F1/42 , G01N21/05 , G01N21/49
摘要：【課題】メインチャネルと、メインチャネルの測定領域内の流体の少なくとも1つの被測定変数を特定するように構成される環境センサデバイスを提供する。【解決手段】センサデバイスが、入口11と、出口12と、入口と出口との間に延在するメインチャネル13を備え、メインチャネルは、流体が流れ方向Fに沿ってメインチャネルを通って流動できるようにする。環境センサ20が、メインチャネルの測定領域14内の流体と相互作用するように配置される。メインチャネルは、測定領域から上流にある第1の圧力タップ31と、測定領域から下流にある第2の圧力タップ32とを有する。差圧センサ40が、第1の圧力タップと第2の圧力タップとの間の圧力差を特定する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2012021988A Needle head 有权
标题翻译：针头
公开(公告)号：JP2012021988A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2011154684
申请日：2011-07-13
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオン・アーゲー
发明人： MARKUS GRAF , HANS EGGENBERGER , MARTIN FITZI , CHRISTOPHER SCHANTZ
IPC分类号： G01N27/04 , G01N27/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01N33/0006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a needle head, the use of the needle head in a probe structure, and a method for electrically contacting a plurality of electronic components.SOLUTION: A needle head (1) has a main body (11) with a lower surface (111), a needle electrode (12) protruding from the lower surface (111), and a plurality of outlets (13) arranged on the lower surface (111). A channel (15) is arranged between an inlet (14) and the outlets (13) of the main body for conveying medium from the inlet (14) to the outlets (13). By this means, the electronic components arranged in the vicinity of the lower surface (111) of the needle head (1) come into direct contact with medium giving test environment during the test of the electronic components.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供针头，将针头用在探针结构中，以及用于电接触多个电子部件的方法。解决方案：针头（1）具有下表面（111）的主体（11），从下表面（111）突出的针状电极（12），以及多个出口（13），其布置在下表面（111）上。通道（15）设置在主体的入口（14）和出口（13）之间，用于将介质从入口（14）输送到出口（13）。通过这种方式，布置在针头（1）的下表面（111）附近的电子部件在电子部件的测试期间与给出测试环境的介质直接接触。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2010281820A Method and apparatus for processing individual sensor device 有权
标题翻译：用于处理个人传感器装置的方法和装置
公开(公告)号：JP2010281820A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：JP2010128388
申请日：2010-06-04
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオン・アーゲー
发明人： MAYER FELIX , GRAF MARKUS , NIEDERBERGER DOMINIK , FITZI MARTIN
IPC分类号： G01D21/00 , H01L21/677
CPC分类号： G01D18/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for testing a plurality of sensor devices efficiently and sequentially.
SOLUTION: To process the plurality of sensor devices, such as humidity sensors or gas sensors, the sensor devices are run through a testing station and a turret handler. In order to increase throughput of the testing station, several test cycles are operated simultaneously in a phase-shifted manner. The sensor devices are, for example, sequentially fed onto trays of the test station. The sensor devices on the trays are assembled in batches. Each batch is subjected to a test cycle. After the test cycle, the sensor devices of a batch are sequentially fed back to the turret handler again.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有效和顺序地测试多个传感器装置的方法和装置。解决方案：为了处理诸如湿度传感器或气体传感器的多个传感器装置，传感器装置通过测试台和转塔处理器运行。为了提高测试站的吞吐量，以相移方式同时操作多个测试周期。传感器装置例如依次送入测试台的托架。托盘上的传感器装置分批装配。每个批次经受一个测试周期。在测试周期之后，批次的传感器装置被重新顺序反馈给转塔处理器。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2007335857A Pressure sensor having chamber and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：具有室的压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2007335857A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：JP2007134729
申请日：2007-05-21
申请人： Sensirion Ag , ゼンジリオンアクチエンゲゼルシャフト
发明人： MAYER FELIX , BUHLER JOHANNES , STREIFF MATTHIAS , SUNIER ROBERT
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0073 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method that has higher compatibility with standard CMOS processes or bipolar processes. SOLUTION: A pressure sensor is produced by joining a first wafer 1a having CMOS circuitry 2 and a second wafer 14 that is an SOI wafer. A recess is formed in the top material layer of the first wafer 1a. The recess is covered with a silicon layer 17 of the second wafer 14 to form a cavity 18. A substrate 15 of the second wafer 14 is partially or entirely removed, and a film is formed from the silicon layer 17. Alternatively, the cavity can be formed in the second wafer 14. The second wafer 14 is electrically connected to the circuitry on the first wafer 1a. This method allows standard CMOS processes for integrating circuitry on the first wafer 1a to be used. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供与标准CMOS工艺或双极工艺具有更高兼容性的方法。解决方案：通过连接具有CMOS电路2的第一晶片1a和作为SOI晶片的第二晶片14来产生压力传感器。在第一晶片1a的顶部材料层中形成凹部。凹部被第二晶片14的硅层17覆盖以形成空腔18.第二晶片14的基板15被部分地或完全地去除，并且从硅层17形成膜。或者，腔可以形成在第二晶片14中。第二晶片14电连接到第一晶片1a上的电路。该方法允许使用用于在第一晶片1a上集成电路的标准CMOS工艺。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式