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1. 发明专利

JP2015522242A 電荷ポンプ調整回路有权
标题翻译：电荷泵电路调整
公开(公告)号：JP2015522242A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2015521617
申请日：2013-05-13
申请人：シランナ・セミコンダクター・ユー・エス・エイ・インコーポレイテッドSilanna Semiconductor U.S.A., Inc. , シランナ・セミコンダクター・ユー・エス・エイ・インコーポレイテッドSilanna Semiconductor U.S.A., Inc.
发明人：モーリン，スチュアート・ビィ , ルー，ペリー , ケメーリング，クリント
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07
摘要：電荷ポンプ調整回路は、電圧制御発振器、および複数の電荷ポンプを含む。電圧制御発振器は、リング内に直列で接続された複数のインバータ段を有する。複数の発振信号がインバータ段の出力から生成される。各発振信号は、可変駆動電圧に依存して可変である周波数もしくは振幅、または両方を有する。各発振信号は、先行する発振信号から移相される。各電荷ポンプはインバータ段の対応する段に接続されて、そのインバータ段によって生じる発振信号を受信する。各電荷ポンプは電圧および電流を出力する。各電荷ポンプの出力は、他の電荷ポンプの出力から移相される。このようにして生じる電流の結合は、ほぼ電圧レベルで負荷に提供される。
摘要翻译：电荷泵调整电路包括一电压控制振荡器和多个电荷泵。压控振荡器包括：多个串联连接成环状逆变器级。多个振荡信号从所述逆变器级的输出端产生。每个振荡信号的频率或振幅或两者都是可变的取决于可变驱动电压。每个振荡器信号的相位从前面的振荡信号偏移。每个电荷泵被连接到逆变器级的相应阶段，它接收由逆变器级产生的振荡信号。每个电荷泵的输出电压和电流。每个电荷泵的输出是相移从另一个电荷泵的输出。因此所产生的电流的结合基本上是在所述电压电平提供给负载。

3. 发明专利

JP2016026383A 背面放熱を伴う絶縁体上半導体有权
标题翻译：具有背面散热的半导体绝缘体
公开(公告)号：JP2016026383A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015166752
申请日：2015-08-26
申请人：シランナ・セミコンダクター・ユー・エス・エイ・インコーポレイテッド , SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人：ニゴール,ポール・エイ , モーリン,スチュアート・ビィ , スチューバー,マイケル・エイ
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L27/1203 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L21/76256 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/08225 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/29186 , H01L2224/29188 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48 , H01L2224/80006 , H01L2224/8022 , H01L2224/80801 , H01L2224/80894 , H01L2224/83005 , H01L2224/8322 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92142 , H01L2224/94 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511
摘要：【課題】絶縁体上半導体(SOI)構造から熱を放散する方法を提供する。【解決手段】集積回路を製造する方法であって、第1のステップでは、アクティブ回路が、SOIウエハのアクティブ層103内に形成される。第2のステップでは、基板材料が、SOIウエハの背面上に配置された基板層から除去される。第3のステップでは、絶縁材料102が、SOIウエハの背面から除去されて掘られた絶縁体領域を形成する。第4のステップでは、放熱層200が、前記掘られた絶縁層上に堆積される。放熱層は、熱的に伝導性があり、かつ電気的に絶縁する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种从半导体绝缘体（SOI）结构散热的方法。解决方案：公开了一种用于制造集成电路的方法。在第一步骤中，在SOI晶片的有源层103中形成有源电路。在第二步骤中，从设置在SOI晶片的背面的衬底层去除衬底材料。在第三步骤中，从SOI晶片的背面去除绝缘体材料102，以形成挖掘的绝缘体区域。在第四步骤中，散热层200沉积在挖掘的绝缘体区域上。散热层是导热和电绝缘的。选择图：图3

4. 发明申请

WO2016044213A1 SCHOTTKY CLAMPED RADIO FREQUENCY SWITCH 审中-公开
标题翻译： SCHOTTKY钳位无线电频率开关
公开(公告)号：WO2016044213A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/US2015/050096
申请日：2015-09-15
申请人： SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人： NYGAARD, Paul A.
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/02
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/47 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L29/7839 , H01L29/78615
摘要： Various methods and devices that involve radio frequency (RF) switches with clamped bodies are provided. An exemplary RF switch with a clamped body comprises a channel that separates a source and a drain. The RF switch also comprises a clamp region that spans the channel, extends into the source and drain, and has a lower dopant concentration than both the source and drain. The RF switch also comprises a pair of matching silicide regions formed on either side of the channel and in contact with the clamp region. The clamp region forms a pair of Schottky diode barriers with the pair of matching silicide regions. The RF switch can operate in a plurality of operating modes. The pair of Schottky diode barriers provide a constant sink for accumulated charge in the clamped body that is independent of the operating mode in which the RF switch is operating.
摘要翻译：提供了涉及具有夹持体的射频（RF）开关的各种方法和装置。具有夹持体的示例性RF开关包括分离源极和漏极的沟道。 RF开关还包括跨越沟道的夹持区域，延伸到源极和漏极中，并且具有比源极和漏极都更低的掺杂剂浓度。 RF开关还包括一对匹配的硅化物区域，形成在通道的任一侧并与夹持区域接触。夹持区域形成一对具有一对匹配硅化物区域的肖特基二极管屏障。 RF开关可以以多种工作模式工作。这对肖特基二极管屏障为夹紧体内的累积电荷提供恒定的吸收，独立于RF开关工作的工作模式。

5. 发明申请

WO2014160545A1 SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT WITH INTERCONNECT BELOW THE INSULATOR 审中-公开
标题翻译：半导体绝缘子集成电路与绝缘子之间的互连
公开(公告)号：WO2014160545A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/US2014/030553
申请日：2014-03-17
申请人： SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人： STUBER, Michael A. , MOLIN, Stuart B. , BRINDLE, Chris
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit fabricated on a semiconductor-on-insulator transferred layer is described. The integrated circuit includes an interconnect layer fabricated on the back side of the insulator. This interconnect layer connects active devices to each other through holes etched in the insulator. This structure provides extra layout flexibility and lower capacitance, thus enabling higher speed and lower cost integrated circuits.
摘要翻译：描述了在绝缘体上半导体转移层上制造的集成电路。集成电路包括在绝缘体的背面制造的互连层。该互连层通过蚀刻在绝缘体中的孔将有源器件彼此连接。这种结构提供额外的布局灵活性和更低的电容，从而实现更高速度和更低成本的集成电路。

6. 发明专利

TW201633515A 具背側散熱能力之絕緣體上半導體結構审中-公开
简体标题：具背侧散热能力之绝缘体上半导体结构
公开(公告)号：TW201633515A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105113127
申请日：2010-07-14
申请人：瑟藍納半導體美國股份有限公司 , SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人：尼加德保羅A , NYGAARD, PAUL A. , 摩林斯圖爾特B , MOLIN, STUART B. , 斯圖柏麥可A , STUBER, MICHAEL A.
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/76256 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L27/1203 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/08225 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/29186 , H01L2224/29188 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48 , H01L2224/80006 , H01L2224/8022 , H01L2224/80801 , H01L2224/80894 , H01L2224/83005 , H01L2224/8322 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92142 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/053 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/80 , H01L2224/03 , H01L2224/45099
摘要：本發明之實施例是為了散逸來自絕緣體上半導體(SOI)結構之熱而預備。在一實施例，揭露一種製造積體電路之方法。在第一步驟中，在SOI晶圓之一主動層中形成主動電路。在第二步驟中，自設置在該SOI晶圓之一背側上的一基板層去除基板材料。在第三步驟中，自該SOI晶圓之該背側去除絕緣體材料以形成一挖空的絕緣體區域。在第四步驟中，將一散熱層沉積在該挖空的絕緣體區域上。該散熱層為導熱的且電氣絕緣的。
简体摘要：本发明之实施例是为了散逸来自绝缘体上半导体(SOI)结构之热而预备。在一实施例，揭露一种制造集成电路之方法。在第一步骤中，在SOI晶圆之一主动层中形成主动电路。在第二步骤中，自设置在该SOI晶圆之一背侧上的一基板层去除基板材料。在第三步骤中，自该SOI晶圆之该背侧去除绝缘体材料以形成一挖空的绝缘体区域。在第四步骤中，将一散热层沉积在该挖空的绝缘体区域上。该散热层为导热的且电气绝缘的。

7. 发明专利

TW201611015A 高密度單電晶體反熔絲記憶體單元审中-公开
简体标题：高密度单晶体管反熔丝内存单元
公开(公告)号：TW201611015A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104115038
申请日：2015-05-12
申请人：瑟藍納半導體美國股份有限公司 , SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人：尼加德保羅A , NYGAARD, PAUL A.
IPC分类号： G11C17/16 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L21/84 , H01L23/5252 , H01L27/1203 , H01L29/8611 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示涉及單電晶體二極體連接反熔絲記憶體單元的多個方法及裝置。一示例性記憶體單元包括一薄閘極絕緣體。該記憶體單元亦包括一第一導電類型之一塊體區，其與該薄閘極絕緣體之一第一側接觸。該記憶體單元亦包括該第一導電類型之一多晶矽閘極電極，其與該薄閘極絕緣體之一第二側接觸。該記憶體單元亦包括一第二導電類型之一源極區，其在一接面處與該塊體區接觸。該多晶矽閘極電極及該源極區操作地耦合至藉由熔斷該薄閘極絕緣體而定址該記憶體單元之一程式化電壓源。該接面形成該記憶體單元之一二極體。該塊體區可位於一絕緣體結構上一半導體之一作用層中。
简体摘要：本发明揭示涉及单晶体管二极管连接反熔丝内存单元的多个方法及设备。一示例性内存单元包括一薄闸极绝缘体。该内存单元亦包括一第一导电类型之一块体区，其与该薄闸极绝缘体之一第一侧接触。该内存单元亦包括该第一导电类型之一多晶硅闸极电极，其与该薄闸极绝缘体之一第二侧接触。该内存单元亦包括一第二导电类型之一源极区，其在一接面处与该块体区接触。该多晶硅闸极电极及该源极区操作地耦合至借由熔断该薄闸极绝缘体而寻址该内存单元之一进程化电压源。该接面形成该内存单元之一二极管。该块体区可位于一绝缘体结构上一半导体之一作用层中。

10. 发明申请

WO2016057710A1 LOW POWER EXTERNALLY BIASED POWER-ON-RESET CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：低功耗外部偏置上电复位电路
公开(公告)号：WO2016057710A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2015/054548
申请日：2015-10-07
申请人： SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人： LOU, Perry
IPC分类号： H03K17/22
CPC分类号： H03K17/223 , H03K2217/0036
摘要： Various methods and devices that involve power-on-reset (POR) circuits are disclosed herein. An exemplary POR circuit for generating a POR signal upon detecting that a supply voltage has reached a desired level comprises a sense circuit and a delayed buffer. The sense circuit comprises: (i) an inverter powered by a known bias voltage; (ii) a feedback circuit powered by the supply voltage; and (iii) an output node of the sense circuit that experiences a voltage transition when the supply voltage has reached the desired level. The delayed buffer is coupled to the output node of the sense circuit that generates the POR signal in response to the voltage transition. The feedback circuit shuts off the sense circuit in response to the voltage transition. The POR circuit generates the POR signal for a local system. The known bias voltage is provided by an external system.
摘要翻译：本文公开了涉及上电复位（POR）电路的各种方法和装置。用于在检测到电源电压达到期望电平时产生POR信号的示例性POR电路包括检测电路和延迟缓冲器。感测电路包括：（i）由已知偏置电压供电的逆变器; （ii）由电源电压供电的反馈电路; 和（iii）感测电路的输出节点，当电源电压达到期望的水平时，其经历电压转变。延迟缓冲器耦合到感测电路的输出节点，其响应于电压转换而产生POR信号。反馈电路响应于电压转换而关闭感测电路。 POR电路为本地系统生成POR信号。已知的偏置电压由外部系统提供。

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