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1. 发明授权

EP0591724B1 Nabenlichtmaschine, insbesondere für Fahrräder 失效
标题翻译：集线器照明装置，特别是用于自行车。
公开(公告)号：EP0591724B1
公开(公告)日：1995-12-06
申请号：EP93114806.8
申请日：1993-09-15
申请人： Schmidt, Wilfried
发明人： Schmidt, Wilfried
IPC分类号： H02K21/22 , B62J6/12
CPC分类号： H02K21/227 , B62J6/12 , H02K2201/12

2. 发明公开

EP0591724A1 Nabenlichtmaschine, insbesondere für Fahrräder 失效
标题翻译： Nabenlichtmaschine，insbesonderefürFahrräder。
公开(公告)号：EP0591724A1
公开(公告)日：1994-04-13
申请号：EP93114806.8
申请日：1993-09-15
申请人： Schmidt, Wilfried
发明人： Schmidt, Wilfried
IPC分类号： H02K21/22 , B62J6/12
CPC分类号： H02K21/227 , B62J6/12 , H02K2201/12
摘要： Für eine Nabenlichtmaschine, insbesondere für Fahrräder, wird zur Gewichtsverringerung ohne Beeinträchtigung des Wirkungsgrades vorgeschlagen,

a) die Spule (6) zwischen den Radlagern (11,11') dicht um die Achse anzuordnen
und/oder
b) den Spulenkern (7) in die Achse versteifender Bauform auszuführen
und/oder
c) den Rückschlußring des Magnetrotors als tragenden Bestandteil der Nabenhülse auszuführen.
摘要翻译：对于轮毂发电机（发电机），特别是用于循环，为了减轻重量而不会不利地影响效率，建议：a）线圈（6）围绕车轮轴承（11,11' ）和/或b）线圈芯（7）设计成加强轴的形式，和/或c）磁转子的磁返回路径环被设计为轮毂壳体的承载部件。

3. 发明申请

WO2012080428A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ELEKTRISCH LEITENDEN KONTAKTEN AUF SOLARZELLEN SOWIE SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法用于制造太阳能电池和太阳能电池导电联系
公开(公告)号：WO2012080428A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011/072978
申请日：2011-12-15
申请人： SCHOTT SOLAR AG , NAGEL, Henning , SCHMIDT, Wilfried
发明人： NAGEL, Henning , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02021 , H01L31/022425 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontakten auf eine Gruppe von Solarzellen, wobei bei zumindest einer Solarzelle aus der Gruppe der Solarzellen zumindest die Verfahrensschritte zur Anwendung gelangen: a) ganzflächiges homogenes Aufbringen einer Dotierstoffquelle auf zumindest einer Seite eines aus kristallinem Silicium bestehenden Substrats, b) Ausbilden von Phosphorsilikatglas durch Eindiffundieren von Dotierstoff in das Substrat in einem ersten Temperaturschritt bei einer Temperatur T 1 über eine Zeit t 1 , c) lokale Beaufschlagung des Substrats mit Laserstrahlung in Bereichen, in denen das elektrisch leitende Material zur Ausbildung des elektrisch leitenden Kontakts aufzubringen ist, wobei das Phosphorsilikatglas vor oder nach Beaufschlagung der Laserstrahlung entfernt wird, d) Messen des im dotierstoffquellenseitigen Oberflächenbereich des Substrats ausgebildeten Schichtwiderstands ρ SH sowohl im als auch seitlich außerhalb von dem gelaserten Bereich in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, e) Aufbringen des elektrisch leitenden Materials auf die gelaserten Bereiche, f) Messen des spezifischen Kontaktwiderstandes zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitenden Material in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, g) Ermitteln eines Pulsenergiedichtebereichs des Laserstrahls aus den gemessenen Werten, bei denen der Schichtwiderstand ρ SH im gelaserten Bereich zwischen 0 % und 30 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bildung des elektrisch leitenden Kontakts zwischen 0 mΩcm 2 und 10 mΩcm 2 liegt, h) Beaufschlagen der restlichen Solarzellen aus der Gruppe nach Durchführen zumindest der Verfahrensschritte a) und b) in den zu kontaktierenden Bereichen der Solarzellen mit einer Laserstrahlung, deren Pulsenergiedichte innerhalb des ermittelten Pulsenergiedichtebereichs liegt.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于对一组太阳能电池，其特征在于，在从所述组太阳能电池的太阳能电池至少到达产生的导电材料的现有联系人，至少被施加的处理步骤：掺杂剂的至少一个侧上的）整个区域的均匀沉积现有的结晶硅衬底，b）通过在温度T1为时间t1扩散掺杂剂到衬底中的第一温度阶段形成磷硅酸盐玻璃，C）在区域与激光辐射在衬底的局部暴露，其中导电材料，以在形成导电接触的将被应用，其中，所述磷硅酸盐玻璃之前或激光辐射的暴露之后，D移除）测量形成在基片电阻的表面区域中的dotierstoffquellenseitigen？SH无论是在和s eitlich激光刻入区域作为基板的脉冲能量密度的函数外偏压激光束，电子）应用中的导电材料的所述激光照射的区域中，f）测量所述激光照射的区域之间的比接触电阻所施加到该导电材料作为脉冲能量密度的函数衬底偏置激光束，g）确定从测量值的激光束，其中，所述薄层电阻SH在激光刻入范围相对于激光照射的区域外的薄层电阻和所述光刻之间的比接触电阻减小为0％和30％之间的脉冲能量密度范围的涂敷了用于形成导电接触mOcm2 mOcm2 0之间和10是中，h）通过执行使所述组的太阳能电池的休息区并在此导电材料至少过程步骤a）和b）的脉冲能量密度是在区域被接触太阳能电池与所确定的脉冲能量密度范围内的激光辐射。

4. 发明申请

WO2012032046A1 KRISTALLINE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：晶体硅太阳能电池和用于制备这种
公开(公告)号：WO2012032046A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/065391
申请日：2011-09-06
申请人： SCHOTT SOLAR AG , NAGEL, Henning , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
发明人： NAGEL, Henning , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Solarzelle (10) mit einem p-dotierten Siliziumsubstrat (12) mit frontseitigem n-dotierten Bereich (14) sowie zumindest einer Antireflexionsschicht (22). Damit die Degradation des Parallelwiderstandes der Solarzelle und somit des Füllfaktors verringert wird, ist vorgesehen, dass auf die gesamte frontseitige Fläche der Solarzelle gleichmässig eine phosphorsäurehaltige Lösung aufgebracht wird, dass in einem ersten Temperaturbehandlungsschritt der Solarzelle Phosphorsilikatglas ausgebildet wird und dass in dem ersten Temperaturbehandlungsschritt oder einem nachfolgenden zweiten Temperaturbehandlungsschritt oberflächennahe Silizium enthaltende Präzipitate mit einer homogenen oder weitgehend homogenen Flächenbedeckung in einer Schicht (26) auf der frontseitigen Fläche des Substrats im Bereich zwischen 5 % und 100 % ausgebildet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种制备具有前n掺杂区（14）和至少一个防反射层（22）p型掺杂的硅衬底（12）的晶体太阳能电池（10）。因此，太阳能电池，因而填充率降低的并联电阻的劣化，它提供了一个含磷酸的溶液被施加到均匀，即在太阳能电池磷硅酸盐玻璃的第1热处理工序形成的太阳能电池的整个前表面，和一个在所述第一热处理工序或含后续的第二热处理步骤的表面附近的硅与在层（26）的均匀或基本上均匀的表面覆盖析出形成在5％和100％之间的范围内的基板的前表面上。

5. 发明申请

WO2010066626A2 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES DOTIERSTOFFPROFILS 审中-公开
标题翻译：一种用于形成掺杂
公开(公告)号：WO2010066626A2
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/066291
申请日：2009-12-03
申请人： SCHOTT SOLAR AG , HORZEL, Jörg , FRANKE, Dieter , BLENDIN, Gabriele , JAHN, Marco , SCHMIDT, Wilfried
发明人： HORZEL, Jörg , FRANKE, Dieter , BLENDIN, Gabriele , JAHN, Marco , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L31/035281 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines waferförmigen Halbleiterbauelements ausgehenden Dotierstoffprofils durch Einbringen von Dotierstoffatomen in das Halbleiterbauelement. Um kostengünstig Halbleiterbauelemente mit einem gewünschten Dotierstoff-Tiefenprofil herstellen zu können, wird vorgeschlagen, dass zunächst zur Ausbildung eines vorläufigen ersten Dotierstoffprofils auf oder in einem Bereich der Oberfläche eine Dotierstoff enthaltende Schicht ausgebildet wird und sodann mehrere eine entsprechende Schicht aufweisende Halbleiterbauelemente aufeinanderliegend in Form eines Stapels zur Ausbildung eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils einer Wärmebehandlung ausgesetzt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种形成所引起的晶片状的半导体器件的掺杂剂的表面通过引入掺杂剂原子进入到半导体装置中的火灾的方法。为了廉价地制造具有所期望的掺杂剂深度分布的半导体器件中，提出了含有最初形成上或中形成掺杂剂层的面的一部分的初步第一掺杂剂，然后多个半导体器件具有以堆叠的形式彼此的顶部上的相应层的被暂停，以形成更大的深度具有相比于第一掺杂第二掺杂剂的热处理。

6. 发明专利

DE29613664U1 未知
公开(公告)号：DE29613664U1
公开(公告)日：1997-12-11
申请号：DE29613664
申请日：1996-08-07
申请人： SCHAEFERS RUEDIGER , SCHMIDT WILFRIED
IPC分类号： A63F3/00 , A63F9/34 , A63F7/00

7. 发明专利

DE4232182A1 未知
公开(公告)号：DE4232182A1
公开(公告)日：1994-03-31
申请号：DE4232182
申请日：1992-09-25
申请人： SCHMIDT WILFRIED
发明人： SCHMIDT WILFRIED
IPC分类号： B62J6/12 , H02K21/22

8. 发明专利

FR2075230A5 未知
公开(公告)号：FR2075230A5
公开(公告)日：1971-10-08
申请号：FR7100131
申请日：1971-01-05
申请人： KLEIBER ARMIN , SCHMIDT WILFRIED
IPC分类号： B28B7/08 , B28B7/24 , E04G11/32 , E04G9/00

9. 发明专利

DE1988149U 未知
公开(公告)号：DE1988149U
公开(公告)日：1968-06-20
申请号：DEK0060940
申请日：1968-04-13
申请人： KLEIBER ARMIN , SCHMIDT WILFRIED DIPL ING
发明人： KLEIBER ARMIN , SCHMIDT WILFRIED DIPL ING
IPC分类号： B28B1/087

10. 发明专利

DE29613663U1 未知
公开(公告)号：DE29613663U1
公开(公告)日：1997-12-04
申请号：DE29613663
申请日：1996-08-07
申请人： SCHAEFERS RUEDIGER , SCHMIDT WILFRIED
IPC分类号： A63F9/04

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