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1. 发明申请

WO2013020867A1 METHODS FOR THE FABRICATION OF BACK CONTACTED PHOTOVOLTAIC CELLS 审中-公开
标题翻译：用于制造反接触光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2013020867A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/EP2012/065013
申请日：2012-08-01
申请人： IMEC , HORZEL, Jörg , URENA DE CASTRO, Angel
发明人： HORZEL, Jörg , URENA DE CASTRO, Angel
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L31/02245 , H01L31/022458 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要： A method is described for fabricating back-contacted photovoltaic cells using a crystalline semiconductor substrate of a first conductivity type (e.g. n-type), the substrate having at the front side a p-type emitter region 32. Electrical contacts 34 are formed through the substrate as follows: at the rear side of the substrate 31 a dielectric layer 33 is formed, comprising a pattern of openings at predetermined locations where the electrical contacts are to be made; a layer 36 comprising a predetermined amount of a dopant metal of the second type, e.g. Al, is formed at least at the predetermined locations; the substrate is then heated to a peak temperature substantially higher than the eutectic temperature of the semiconductor-material/dopant-metal alloy, leading to the formation of a melt comprising the dopant metal and the semiconductor material. Finally, the substrate is cooled to ambient temperature, thereby forming electrical contacts comprising eutectic regions 34 extending from the rear side of the substrate at least to the emitter region 32. In alternative versions the eutectic can be etched away, leaving vias.
摘要翻译：描述了使用第一导电类型（例如n型）的晶体半导体衬底制造背接触光伏电池的方法，该衬底在正面具有p型发射极区32.电触点34通过基板如下：在基板31的后侧，形成电介质层33，其包括在要形成电触点的预定位置处的开口图案; 层36，其包含预定量的第二类型的掺杂金属，例如。至少形成在预定位置处; 然后将衬底加热到明显高于半导体材料/掺杂剂 - 金属合金的共晶温度的峰值温度，导致形成包括掺杂剂金属和半导体材料的熔体。最后，将衬底冷却至环境温度，从而形成包括从衬底的后侧至少延伸到发射极区域32的共晶区域34的电触点。在替代形式中，共晶体可被蚀刻掉，留下通孔。

2. 发明申请

WO1998028798A1 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELECTIVELY DIFFUSED REGIONS 审中-公开
标题翻译：具有选择性扩张区域的半导体器件
公开(公告)号：WO1998028798A1
公开(公告)日：1998-07-02
申请号：PCT/EP1997007246
申请日：1997-12-22
申请人： IMEC VZW , HORZEL, Jörg , HONORE, Mia , NIJS, Johan , SZLUFCIK, Jozef
发明人： IMEC VZW
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022425 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The present invention describes a method of manufacturing a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate (2) in the shape of a slice, the method comprising the steps of: step 1) selectively applying a pattern of a solids-based dopant source to a first major surface of said semiconducting substrate (2); step 2) diffusing the dopant atoms from said solids-based dopant source into said substrate (2) by a controlled heat treatment step in a gaseous environment surrounding said semi-conducting substrate (2), the dopant from said solids-based dopant source diffusing directly into said substrate (2) to form a first diffusion region (12) and, at the same time, diffusing said dopant from said solids-based dopant source indirectly via said gaseous environment into said substrate (2) to form a second diffusion region (15) in at least some areas of said substrate (2) not covered by said pattern; and step 3) forming a metal contact pattern (20) substantially in alignment with said first diffusion region (12) without having etched said second diffusion region (15) substantially.
摘要翻译：本发明描述了一种制造半导体器件的方法，包括半导体衬底（2），其形状为切片，该方法包括以下步骤：步骤1）选择性地将基于固体的掺杂剂源的图案施加到第一所述半导体衬底（2）的主表面; 步骤2）通过在围绕所述半导体衬底（2）的气态环境中的受控热处理步骤将掺杂剂原子从所述基于固体的掺杂剂源扩散到所述衬底（2）中，所述基于固体的掺杂剂源扩散直接进入所述衬底（2）以形成第一扩散区（12），并且同时将所述掺杂剂从所述固体基掺杂剂源经由所述气态环境间接扩散到所述衬底（2）中以形成第二扩散区（15）在所述衬底（2）的至少一些未被所述图案覆盖的区域中; 和步骤3）形成基本上与所述第一扩散区域（12）对准的金属接触图案（20），而没有基本上蚀刻所述第二扩散区域（15）。

3. 发明申请

WO2010066626A2 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES DOTIERSTOFFPROFILS 审中-公开
标题翻译：一种用于形成掺杂
公开(公告)号：WO2010066626A2
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/066291
申请日：2009-12-03
申请人： SCHOTT SOLAR AG , HORZEL, Jörg , FRANKE, Dieter , BLENDIN, Gabriele , JAHN, Marco , SCHMIDT, Wilfried
发明人： HORZEL, Jörg , FRANKE, Dieter , BLENDIN, Gabriele , JAHN, Marco , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L31/035281 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines von einer Oberfläche eines waferförmigen Halbleiterbauelements ausgehenden Dotierstoffprofils durch Einbringen von Dotierstoffatomen in das Halbleiterbauelement. Um kostengünstig Halbleiterbauelemente mit einem gewünschten Dotierstoff-Tiefenprofil herstellen zu können, wird vorgeschlagen, dass zunächst zur Ausbildung eines vorläufigen ersten Dotierstoffprofils auf oder in einem Bereich der Oberfläche eine Dotierstoff enthaltende Schicht ausgebildet wird und sodann mehrere eine entsprechende Schicht aufweisende Halbleiterbauelemente aufeinanderliegend in Form eines Stapels zur Ausbildung eines im Vergleich zu dem ersten Dotierstoffprofil eine größere Tiefe aufweisenden zweiten Dotierstoffprofils einer Wärmebehandlung ausgesetzt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种形成所引起的晶片状的半导体器件的掺杂剂的表面通过引入掺杂剂原子进入到半导体装置中的火灾的方法。为了廉价地制造具有所期望的掺杂剂深度分布的半导体器件中，提出了含有最初形成上或中形成掺杂剂层的面的一部分的初步第一掺杂剂，然后多个半导体器件具有以堆叠的形式彼此的顶部上的相应层的被暂停，以形成更大的深度具有相比于第一掺杂第二掺杂剂的热处理。

4. 发明申请

WO2010060944A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES METALLKONTAKTS AUF EINEM MIT EINER SCHICHT VERSEHENEN HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产金属触点接通一用一层提供的半导体衬底
公开(公告)号：WO2010060944A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/EP2009/065868
申请日：2009-11-26
申请人： SCHOTT SOLAR AG , HORZEL, Jörg , SCHUBERT, Gunar , DAUWE, Stefan , ROTH, Peter , DROSTE, Tobias , SCHMIDT, Wilfried
发明人： HORZEL, Jörg , SCHUBERT, Gunar , DAUWE, Stefan , ROTH, Peter , DROSTE, Tobias , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/28
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： Die Erfindung bezieht sich, auf ein Verfahren zum Herstellen eines elektrisch leitenden Metallkontakts auf einem Halbleiterbauelement, das oberflächenseitig auf einem Halbleitersubstrat (12) eine Schicht (20) aufweist. Damit bei guter mechanischer Festigkeit geringe Übergangswiderstände auftreten, werden die Verfahrensschritte vorgeschlagen: - Aufbringen eines Partikel enthaltenden Fluids auf die Schicht, wobei die Partikel zumindest Metallpartikel und Glasfritte enthalten, - Aushärten des Fluids bei gleichzeitigem Ausbilden von Metallbereichen (26,28) in dem Substrat (12) durch Wärmebehandlung, - Entfernen des ausgehärteten Fluids einschließlich der von dem Fluid abgedeckten Bereiche der Schicht, - zur Bildung des Kontakts zwischenschichtloses Abscheiden von elektrisch leitfähigem Material (18) aus einer Lösung auf Bereiche des Halbleiterbauelements, in denen die Schicht entfernt ist bei gleichzeitig elektrisch leitendem Verbinden der in diesen Bereichen in dem Substrat (12) vorhandenen Metallbereiche (26,28).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造包括半导体衬底（12）的层（20）上表面侧上的半导体器件上导电金属接触的方法。因此低接触电阻和良好的机械强度发生，提出了以下方法步骤： - 将含有粒子的流体到所述层，所述颗粒含有至少金属粒子和玻璃料， - 在衬底中的流体的固化而同时形成金属区域（26,28）（12）通过热处理， - 除去包括该层的流体的区域覆盖的区域，固化的流体 - 从溶液中的导电材料（18）的层电镀之间的接触形成于半导体装置的领域，其中，所述层在除去同时电连接在这些区域中的导电性在衬底（12）现有的金属区域（26,28）。

5. 发明申请

WO2010092051A2 INTEGRALER PROZESS VON WAFERHERSTELLUNG BIS MODULFERTIGUNG ZUR HERSTELLUNG VON WAFERN, SOLARZELLEN UND SOLARMODULEN 审中-公开
标题翻译：晶圆生产的积分PROCESS TO模块制造用于生产晶片，太阳能电池和模块
公开(公告)号：WO2010092051A2
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2010/051585
申请日：2010-02-09
申请人： SCHOTT SOLAR AG , HORZEL, Jörg
发明人： HORZEL, Jörg
CPC分类号： H01L21/02667 , C30B15/00 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B31/00 , C30B33/00 , H01L21/2252 , H01L21/3221 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung beschäftigt sich mit der Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen sowie mit der Verbesserung der Kristallinität und der Reduzierung von Defekten in Halbleitersubstraten und der Fertigung neuartiger Solarzellen mit verbessertem Wirkungsgrad.
摘要翻译：本发明涉及生产晶片，太阳能电池和太阳能模块以及具有结晶性的改善和缺陷在半导体衬底的减少和生产新的太阳能电池的效率提高。

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