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热词
    • 1. 发明专利
    • 太陽能電池及其製造方法
    • 太阳能电池及其制造方法
    • TW201310687A
    • 2013-03-01
    • TW101118797
    • 2012-05-25
    • 再生能源公司RENEWABLE ENERGY CORPORATION ASA
    • 科肯根 馬汀KIRKENGEN, MARTIN索爾 艾瑞克SAUAR, ERIK
    • H01L31/18H01L31/042
    • H01L31/074H01L31/022441H01L31/0747H01L31/075H01L31/18Y02E10/50
    • 本發明提出了一種背接觸異質接面太陽能電池(1)以及該該太陽能電池之製造方法。該太陽能電池(1)包含一矽基材(3),該矽基材(3)具有在其前面上之一鈍化層(5)、以及覆蓋其背面之一本質非晶矽層(7)。該本質非晶矽層(7)的背面上提供了一射極層(13)及一基極層(19),這些層中之每一層覆蓋了該背面的一些鄰近之部分區域。包含一電氣絕緣材料之一隔離層(9)被插入這些射極與基極層(13,19)之間。可以利用一遮罩之氣相沈積法產生該隔離層(9)以及該基極層(19)及射極層(13)。由於此種處理,該射極層(13)及該隔離層(9)之各鄰接區與該基極層(19)及該隔離層(9)的各鄰接區在重疊區(23,25)中部分地橫向重疊,且該部分地橫向重疊之方式使得該隔離層(9)的至少一部分位於比接近該射極層(13)及該基極層(19)中之各別層的一重疊部分更接近該基材(3)之處。使用該所提出的太陽能電池概念及製造方法時,由於可能的高品質表面鈍化,而可在低製造成本下得到高太陽能電池效率。
    • 本发明提出了一种背接触异质接面太阳能电池(1)以及该该太阳能电池之制造方法。该太阳能电池(1)包含一硅基材(3),该硅基材(3)具有在其前面上之一钝化层(5)、以及覆盖其背面之一本质非晶硅层(7)。该本质非晶硅层(7)的背面上提供了一射极层(13)及一基极层(19),这些层中之每一层覆盖了该背面的一些邻近之部分区域。包含一电气绝缘材料之一隔离层(9)被插入这些射极与基极层(13,19)之间。可以利用一遮罩之气相沉积法产生该隔离层(9)以及该基极层(19)及射极层(13)。由于此种处理,该射极层(13)及该隔离层(9)之各邻接区与该基极层(19)及该隔离层(9)的各邻接区在重叠区(23,25)中部分地横向重叠,且该部分地横向重叠之方式使得该隔离层(9)的至少一部分位于比接近该射极层(13)及该基极层(19)中之各别层的一重叠部分更接近该基材(3)之处。使用该所提出的太阳能电池概念及制造方法时,由于可能的高品质表面钝化,而可在低制造成本下得到高太阳能电池效率。
    • 2. 发明申请
    • BACK CONTACTING AND INTERCONNECTION OF TWO SOLAR CELLS
    • 两个太阳能电池的反接触和互连
    • WO2010087712A2
    • 2010-08-05
    • PCT/NO2010/000023
    • 2010-01-20
    • RENEWABLE ENERGY CORPORATION ASASAUAR, ErikBENTZEN, Andreas
    • SAUAR, ErikBENTZEN, Andreas
    • H01L31/05
    • H01L31/0682H01L31/022441H01L31/0516H01L31/056H01L31/1864H01L31/1868Y02E10/52Y02E10/547Y02P70/521
    • Method for producing back contacts on silicon solar cells (100) and an interconnection between silicon solar cells (100) where the front surface has been fully treated and the back surface has been processed to the point where the said solar cells (100) can be contacted on the back surface. The method further comprises: a) attaching the solar cells (100) onto a transparent superstrate (104), thereby forming a structure (120) b) depositing a passivating layer (113) onto the back surface of the structure (120) c) depositing a silicon material layer (108) onto the back surface of the structure (120) d) separating the silicon material layer (108) by first areas (C) e) providing contact sites in areas (B) f) depositing a metal layer (109) onto the back surface of the structure (120) g) heating the structure (120) to form silicide (110) h) optionally opening the metal layer (109) in areas (C) i) depositing metal (112) onto the silicide (110) Device comprising solar cells (100) with back contacts and interconnections produced by the method.
    • 用于在硅太阳能电池(100)上产生背接触的方法以及其中前表面已被完全处理并且后表面已经被处理到所述太阳能电池(100)可以是这样的点的硅太阳能电池(100)之间的互连 在背面接触。 该方法还包括:a)将太阳能电池(100)附着到透明的覆层(104)上,从而形成结构(120)b)将沉积层(113)沉积到结构(120)的背面上c) 将硅材料层(108)沉积到结构(120)的背面上d)将硅材料层(108)分离第一区域(C),e)在区域(B)中提供接触部位,f)沉积金属层 (120)的后表面上加热结构(120),以形成硅化物(110),h)在区域(C)中可选地打开金属层(i),i)将金属(112)沉积到 硅化物(110)装置包括具有背接触的太阳能电池(100)和通过该方法产生的互连。