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1. 发明授权

EP0253741B1 Procédé de fabrication d'un circuit intégré comportant un transistor à effet de champ à doubles jonctions et un condensateur 失效
标题翻译：用于制造包含双结场效应晶体管和电容器的集成电路的方法
公开(公告)号：EP0253741B1
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：EP87401673.6
申请日：1987-07-16
申请人： Bois, Daniel , Pons, Michel
发明人： Bois, Daniel , Pons, Michel
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10873 , H01L21/8221 , H01L28/40 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/78

2. 发明公开

EP1089908A1 DISPOSITIF EMBARQUE DE RECUPERATION D'UN HOMME A LA MER PERMETTANT L'AUTORECUPERATION D'UNE VICTIME CONSCIENTE 有权
标题翻译：设备来进行恢复自我船舶和脆弱的经济复苏有AWARE可用VICTIM
公开(公告)号：EP1089908A1
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：EP99925115.0
申请日：1999-06-16
申请人： Pons, Michel
发明人： Pons, Michel
IPC分类号： B63C9/00 , B63C9/26
CPC分类号： B63C9/00 , B63C9/26
摘要： The invention concerns an on-board device wherein the floating trailing section (1) is designed to be collected by the drowning person and is used to serve as a control means for actuating the release of the floating element (3) capable of being towed. Said floating element (3) is linked to the boat by a section serving as tow cable and comprising at least shock absorbing (4) means; said floating element is provided with tow lugs and is symmetrical; said floating element (3) has a hydrodynamic shape and carries the victim (6) partially or wholly with minimum underwater pull. The invention is useful on board boats.

3. 发明授权

EP0227561B1 Procédé de gravure de matériaux organiques par plasma 失效
标题翻译：等离子体蚀刻有机材料的工艺
公开(公告)号：EP0227561B1
公开(公告)日：1990-07-18
申请号：EP86420279.1
申请日：1986-11-19
申请人： Pons, Michel , Moschini, Philippe , Henry, Daniel
发明人： Pons, Michel , Moschini, Philippe , Henry, Daniel
IPC分类号： H01L21/312 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/36 , H01L21/31138

4. 发明授权

EP1089908B1 DISPOSITIF EMBARQUE DE RECUPERATION D'UN HOMME A LA MER PERMETTANT L'AUTORECUPERATION D'UNE VICTIME CONSCIENTE 有权
标题翻译：设备来进行恢复自我船舶和脆弱的经济复苏有AWARE可用VICTIM
公开(公告)号：EP1089908B1
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：EP99925115.0
申请日：1999-06-16
申请人： Pons, Michel
发明人： Pons, Michel
IPC分类号： B63C9/00 , B63C9/26
CPC分类号： B63C9/00 , B63C9/26
摘要： The invention concerns an on-board device wherein the floating trailing section (1) is designed to be collected by the drowning person and is used to serve as a control means for actuating the release of the floating element (3) capable of being towed. Said floating element (3) is linked to the boat by a section serving as tow cable and comprising at least shock absorbing (4) means; said floating element is provided with tow lugs and is symmetrical; said floating element (3) has a hydrodynamic shape and carries the victim (6) partially or wholly with minimum underwater pull. The invention is useful on board boats.

5. 发明公开

EP0253741A1 Procédé de fabrication d'un circuit intégré comportant un transistor à effet de champ à doubles jonctions et un condensateur 失效
标题翻译：制造具有双结型场效应晶体管和电容器的集成电路的方法。
公开(公告)号：EP0253741A1
公开(公告)日：1988-01-20
申请号：EP87401673.6
申请日：1987-07-16
申请人： Bois, Daniel , Pons, Michel
发明人： Bois, Daniel , Pons, Michel
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10873 , H01L21/8221 , H01L28/40 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/78
摘要： Ce procédé consiste à former sur l'oxyde de champ (104) du circuit intégré une première électrode (108b) du condensateur (105) et au-dessus de l'oxyde de grille (106) la grille (108a) du transistor (103), dans une même couche conductrice, à isoler électriquement la grille et la première électrode, à réaliser dans une seconde couche conductrice (136) la seconde électrode (136a) du condensateur et des espaceurs (124) situés sur les flancs isolés de la grille, à réaliser une première implantation d'ions (116) pour former la source (118) et le drain (120) du transistor, à éliminer les espaceurs et à effectuer une seconde implantation (130) pour former au niveau de la source et du drain deux régions (132, 134) de même conductivité que la source et le drain achevant ainsi la réalisation des doubles jonctions.
摘要翻译：这个过程在besteht形成在电容器（105）的所述集成电路的第一电极（108B）的场氧化物（104）和在所述栅极氧化物的顶部（106）的栅极（108A）的晶体管的（103）在一个和相同的导电层，在电绝缘的栅极和第一电极，电极中在位于所述栅极的绝缘侧翼电容器和间隔件（124）的第二导电层（136）的第二个（136A）构造在构建离子的第一注入（116），以形成源极（118）和所述晶体管的漏极（120），在去除所述间隔件和在实现第二注入（130），以形成在所述源的位置和相同的导电的源极和漏极，从而完成双结的结构的漏极两个区域（132,134）的。

6. 发明公开

EP0227561A1 Procédé de gravure de matériaux organiques par plasma 失效
标题翻译： Verfahren zumPlasmaätzenvon organischen Materialien。
公开(公告)号：EP0227561A1
公开(公告)日：1987-07-01
申请号：EP86420279.1
申请日：1986-11-19
申请人： Pons, Michel , Moschini, Philippe , Henry, Daniel
发明人： Pons, Michel , Moschini, Philippe , Henry, Daniel
IPC分类号： H01L21/312 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/36 , H01L21/31138
摘要： Le procédé de gravure de matériaux organiques par plasma selon la présente invention utilise un réacteur grande vitesse haute pression dans des conditions normales. Le mélange gazeux est un mélange d'hydrogène et d'argon. On arrive ainsi à obtenir une gravure parfaitement anisotrope d'une couche de résine (2) revêtue d'une couche mince minérale (3). Un léger redépôt (7) sur les parois des zones gravées contribue à l'obtention d'une excellente anisotropie.
Application à la fabrication des composants semiconducteurs.
摘要翻译： 1.一种用于在常规条件下使用高压高速反应器等离子体处理有机材料的方法，其中在反应器中引入氢和氩，其特征在于氩气流比氢气流高至少三倍。

7. 发明申请

WO2011073567A1 PROCEDE ET DISPOSITIF DE LIMITATION DE PUISSANCE DE TRANSMISSION D'UN EQUIPEMENT RADIO 审中-公开
标题翻译：限制无线电设备发射功率的方法和装置
公开(公告)号：WO2011073567A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/FR2010/052715
申请日：2010-12-14
申请人： FRANCE TELECOM , KOUNTOURIS, Apostolos , PONS, Michel , MISCOPEIN, Benoît , SCHWOERER, Jean
发明人： KOUNTOURIS, Apostolos , PONS, Michel , MISCOPEIN, Benoît , SCHWOERER, Jean
IPC分类号： H04W52/00
CPC分类号： H04W52/288
摘要： Le procédé de limitation de puissance de transmission d'un équipement comportant un émetteur radio, comporte : une étape (550, 555) de réglage d'une valeur de limitation de puissance radio émise, accessible à un utilisateur, une étape (510) de limitation de puissance émise par ledit émetteur radio en fonction de la valeur choisie par l'utilisateur; une étape (515 à 535) d'estimation d'information relative à un niveau de connectivité associé à une valeur de limitation de puissance; et une étape (540) d'affichage de ladite information.
摘要翻译：本发明涉及一种用于限制包括无线电发射机的设备的发射功率的方法，该方法包括：步骤（550,555），其调整用于限制所发射的无线电功率的值，所述值可由用户接入; 根据用户选择的值限制由所述无线电发射机发射的功率的步骤（510）; 估计与功率限制值相关联的连接级别的信息的步骤（515至535）; 以及显示所述信息的步骤（540）。

8. 发明申请

WO2008059161A1 ANTENNE AGILE EN POLARISATION ET FREQUENCE 审中-公开
标题翻译：频率和极化 - 天线
公开(公告)号：WO2008059161A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/FR2007/052325
申请日：2007-11-12
申请人： FRANCE TELECOM , DREINA, Emmanuel , PONS, Michel
发明人： DREINA, Emmanuel , PONS, Michel
IPC分类号： H01Q1/24 , H01Q9/04 , H01Q21/24
CPC分类号： H01Q9/0428 , H01Q1/243 , H01Q9/0421 , H01Q21/245
摘要： L'invention concerne un appareil comprenant un dispositif d'antenne comportant une surface conductrice (4) constituant la "masse", un plateau principal conducteur (5) ayant un axe de symétrie (AA), séparé de la masse par un diélectrique (1 ), deux zones de court-circuit (7, 8) connectées à la masse et débouchant au voisinage de deux côtés du plateau principal symétriquement l'une de l'autre par rapport à l'axe de symétrie, un premier et un deuxième ensemble d'interrupteurs (17, 18) connectant respectivement la première et la deuxième zone de court-circuit (7, 8) avec le côté voisin correspondant du plateau principal, et des moyens (17, 18) de commande agencés pour commander l'ouverture et la fermeture des interrupteurs des premier et deuxième ensembles, de telle sorte que lorsque les interrupteurs de l'un des deux ensembles sont ouverts, les interrupteurs de l'autre ensemble sont fermés afin de conférer au dispositif d'antenne une agilité en polarisation
摘要翻译：本发明涉及一种包括天线装置的装置，包括：形成“质量”的导电表面（4）; 具有对称轴（AA）并且通过电介质（1）与所述质量分离的主导电板（5）; 连接到质量块的两个短路区域（7,8），靠近主板的两侧，相对于对称轴对称地布置; 以及分别将第一和第二短路区域（7,8）连接到主板的相应相邻侧的第一组和第二组开关（17,18）。该设备还包括控制装置（17,18），其被布置成控制开关从第一和第二组的打开和关闭，使得当来自一组的开关打开时，来自另一组的开关被关闭，以便产生极化敏捷天线装置。

9. 发明申请

WO2012104535A2 STRUCTURE ADAPTEE A LA FORMATION DE CELLULES SOLAIRES 审中-公开
标题翻译：形成太阳能电池的结构
公开(公告)号：WO2012104535A2
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/FR2012/050195
申请日：2012-01-30
申请人： INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , CHICHIGNOUD, Guy , BLANQUET, Elisabeth , GELARD, Isabelle , JIMENEZ, Carmen , SARIGIANNIDOU, Eirini , ZAIDAT, Kader , WEISS, François , PONS, Michel
发明人： CHICHIGNOUD, Guy , BLANQUET, Elisabeth , GELARD, Isabelle , JIMENEZ, Carmen , SARIGIANNIDOU, Eirini , ZAIDAT, Kader , WEISS, François , PONS, Michel
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18 , C22C38/08 , C23C16/02 , C23C16/24 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/03685 , C23C16/0272 , C23C16/24 , H01L31/0236 , H01L31/03921 , H01L31/068 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： L'invention concerneune structure adaptée à la forma- tion de cellules solaires comprenant successivement une feuille (1) d'un métal texturé à grains cristallins d'une dimension moyenne supérieure à 50 µm, adaptée à former une électrode de face arrière desdites cellules;une couche barrière (2) de diffusion d'une épaisseur de 0,2 à 2 µm en un matériau électri- quement conducteur, présentant des grains cristallins d'une dimension moyenne supérieure à 50 µm; etune couche de silicium multi-cristallin dopé (3) d'une épaisseur de 30 à 100 µm présentant des grains cristallins d'une dimension moyenne supérieure à 50 à 100 µm, dans laquelle la longueur de diffusion des porteurs a une valeur moyenne supérieure à 50 µm.
摘要翻译：本发明涉及一种适于形成太阳能电池的结构，包括以下连续元件，即具有平均尺寸大于50μm的晶粒的纹理金属片（1），所述片适于形成后细胞的面电极; 由具有平均尺寸大于50μm的晶粒的导电材料制成的具有0.2至2μm厚度的扩散阻挡层（2）; 以及厚度为30〜100μm的掺杂多晶硅层（3），其平均尺寸大于50〜100μm的晶粒，其中载体的平均扩散长度大于50μm。

10. 发明申请

WO2003097905A2 FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：形成单晶碳化硅
公开(公告)号：WO2003097905A2
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/FR2003/001480
申请日：2003-05-15
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE , NOVASIC , MADAR, Roland , PONS, Michel , BAILLET, Francis , CHARPENTIER, Ludovic , PERNOT, Etienne , CHAUSSENDE, Didier , TUROVER, Daniel, M.
发明人： MADAR, Roland , PONS, Michel , BAILLET, Francis , CHARPENTIER, Ludovic , PERNOT, Etienne , CHAUSSENDE, Didier , TUROVER, Daniel, M.
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B23/005 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： L'invention concerne un dispositif (10) de formation à l'état monocristallin d'un corps composé à évaporation non congruente, susceptible d'exister sous forme monocristalline ou polycristalline, comportant une première enceinte (20) contenant un substrat (42) au niveau duquel est formée une source polycristalline dudit corps et un germe (46) monocristallin dudit corps ; une seconde enceinte (14), ledit substrat étant disposé entre les deux enceinte ; des moyens d'apport (36) de précurseurs gazeux dudit corps dans la seconde enceinte propres à provoquer le dépôt dudit corps sous forme polycristalline sur le substrat ; et des moyens de chauffage (26) pour maintenir le substrat à une température supérieure à la température du germe de façon à provoquer la sublimation de la source polycristalline et le dépôt sur le germe dudit corps sous forme monocristalline.
摘要翻译：本发明涉及一种用于以单晶状态形成具有不一致蒸发的化合物，其能够是单晶或多晶形式的装置（10），其包括至少一个第一室（20），所述第一室包含衬底（42），所述第一室所述体的多晶体源和所述体的单晶细菌（46）; 第二室（14），所述衬底布置在所述两个室之间; 用于将所述主体的气体前体输入（36）到所述第二室中的装置，其能够使所述主体以多晶形式沉积在所述基板上; 以及加热装置（26），用于将基材保持在高于胚芽温度的温度下，以便以单晶形式引起多晶体源的升华和沉积在所述主体的胚芽上。

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