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    • 1. 发明公开
    • Procédé de fabrication d'un circuit intégré comportant un transistor à effet de champ à doubles jonctions et un condensateur
    • 制造具有双结型场效应晶体管和电容器的集成电路的方法。
    • EP0253741A1
    • 1988-01-20
    • EP87401673.6
    • 1987-07-16
    • Bois, DanielPons, Michel
    • Bois, DanielPons, Michel
    • H01L21/82H01L21/28
    • H01L27/10873H01L21/8221H01L28/40H01L29/6656H01L29/6659H01L29/78
    • Ce procédé consiste à former sur l'oxyde de champ (104) du circuit intégré une première électrode (108b) du condensateur (105) et au-dessus de l'oxyde de grille (106) la grille (108a) du transistor (103), dans une même couche conductrice, à isoler électriquement la grille et la première électrode, à réaliser dans une seconde couche conductrice (136) la seconde électrode (136a) du condensateur et des espaceurs (124) situés sur les flancs isolés de la grille, à réaliser une première implantation d'ions (116) pour former la source (118) et le drain (120) du transistor, à éliminer les espaceurs et à effectuer une seconde implantation (130) pour former au niveau de la source et du drain deux régions (132, 134) de même conductivité que la source et le drain achevant ainsi la réalisation des doubles jonctions.
    • 这个过程在besteht形成在电容器(105)的所述集成电路的第一电极(108B)的场氧化物(104)和在所述栅极氧化物的顶部(106)的栅极(108A)的晶体管的(103) 在一个和相同的导电层,在电绝缘的栅极和第一电极,电极中在位于所述栅极的绝缘侧翼电容器和间隔件(124)的第二导电层(136)的第二个(136A)构造 在构建离子的第一注入(116),以形成源极(118)和所述晶体管的漏极(120),在去除所述间隔件和在实现第二注入(130),以形成在所述源的位置和 相同的导电的源极和漏极,从而完成双结的结构的漏极两个区域(132,134)的。