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1. 发明申请

WO2010142683A3 METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A3
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2010058015
申请日：2010-06-08
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
发明人： BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
IPC分类号： H01L31/028 , C25F3/12 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for forming thin semiconductor layer substrates, wherein low porous layers (33, 37) and highly porous layers (35, 39) are formed in an alternating manner in a semiconductor substrate (1) by electrochemical etching. The thus obtained multi-layer stack can subsequently be subjected, in its totality, to additional treatment steps. For example, a passivation dielectric layer (45) can be formed on the entire surface of the low porous layers (33, 37) and the highly porous layers (35, 39). Subsequently, the low porous layers can be successively separated from each other in a mechanical manner, the highly porous layers arranged therebetween acting as a desired rupture point. It is also possible to form, in a few steps, a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of low porous layers (33, 37) and to obtain a good surface passivation and a reflection-reducing surface texture. The thus produced semiconductor layer substrates can be used, for example, for producing semiconductor elements, for example thin solar cells.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。这样形成的多层叠堆然后可以作为整体进行进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，可以将低多孔层依次机械分离，由此位于它们之间的高孔隙层可以各自用作预定的断裂点。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。这样制造的半导体层基板例如可以用于制造薄型太阳能电池等半导体装置。

2. 发明申请

WO2010081858A3 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTES, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, AUF BASIS EINER HALBLEITERDÜNNSCHICHT MIT EINEM DIREKTEN HALBLEITERMATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2010081858A3
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/050417
申请日：2010-01-14
申请人： INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , GARRALAGA ROJAS, Enrique , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko , HAMPE, Carsten
发明人： GARRALAGA ROJAS, Enrique , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko , HAMPE, Carsten
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3063 , C25F3/12 , H01L31/18
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Halbleiter-Dünnschicht beschrieben. Das Verfahren weist dabei die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines Halbleitersubstrates (1), wobei das Halbleitersubstrat (1) ein Material mit einem direkten Halbleiter aufweist; Ausbilden einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche des Halbleitersubstrat (1) durch elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrates (1) in einer Ätzlösung (7); Abscheiden einer Halbleiterdünnschicht (5) auf der porösen Schicht (3); und Abtrennen der Halbleiterdünnschicht (5) von dem Halbleitersubstrat (1), wobei die poröse Schicht (3) als Sollbruchstelle dient. Auf diese Weise lässt sich in einem Halbleitersubstrat eine poröse Schicht erzeugen, die ein anschließendes Abtrennen der darauf abgeschiedenen Halbleiterdünnschicht und ein Wiederverwenden des Halbleitersubstrates im Rahmen eines Schichttransferverfahrens ermöglicht.

3. 发明申请

WO2010142683A4 METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A4
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2010058015
申请日：2010-06-08
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
发明人： BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
IPC分类号： H01L31/028 , C25F3/12 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for forming thin semiconductor layer substrates, wherein low porous layers (33, 37) and highly porous layers (35, 39) are formed in an alternating manner in a semiconductor substrate (1) by electrochemical etching. The thus obtained multi-layer stack can subsequently be subjected, in its totality, to additional treatment steps. For example, a passivation dielectric layer (45) can be formed on the entire surface of the low porous layers (33, 37) and the highly porous layers (35, 39). Subsequently, the low porous layers can be successively separated from each other in a mechanical manner, the highly porous layers arranged therebetween acting as a desired rupture point. It is also possible to form, in a few steps, a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of low porous layers (33, 37) and to obtain a good surface passivation and a reflection-reducing surface texture. The thus produced semiconductor layer substrates can be used, for example, for producing semiconductor elements, for example thin solar cells.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。由此形成的多层堆叠可以进行作为然后整体进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，将低多孔层可以机械地彼此相继，其中，所述中间高的多孔层可以作为预定断裂点分离。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。以这种方式制造的半导体层的基板，可以使用例如用于半导体器件生产的诸如薄太阳能电池。

4. 发明申请

WO2010122168A3 METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL, BASED ON A SEMICONDUCTOR THIN LAYER HAVING A DIRECT SEMICONDUCTOR OR GERMANIUM 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件，特别是太阳能电池的基础上，半导体薄膜具有直接半导体或锗
公开(公告)号：WO2010122168A3
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/EP2010055551
申请日：2010-04-26
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , TERHEIDEN BARBARA , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO , HAMPE CARSTEN
发明人： GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , TERHEIDEN BARBARA , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO , HAMPE CARSTEN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/0203 , H01L21/30608 , H01L21/30617 , H01L21/76259 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a solar cell based on a semiconductor thin layer (5) made of germanium or a direct semiconductor. Said method comprises the following steps: a semiconductor substrate (1) made of germanium or a direct semiconductor is provided; a porous layer (3) is formed on a surface of the semiconductor substrate (1); a semiconductor thin layer (5) is deposited on the porous layer (3); and the semiconductor thin layer (5) is separated from the semiconductor substrate (1), said porous layer (3) acting as a predetermined breaking point. Said porous layer (3) is formed by currentless chemical etching of the semiconductor substrate (1). The production method is significantly simplified due to the abandonment of traditionally used anodic etching and the replacement thereof with currentless chemical etching.
摘要翻译：它提出了一种用于由锗或直接半导体构成的半导体薄膜（5）的基础上制造太阳能电池的方法。该方法包括：提供由锗或直接半导体构成的半导体衬底（1）; 在所述半导体衬底（1）的表面上的多孔层（3）; 在多孔层上沉积的半导体薄膜（5）（3）; 和分离从半导体基板（1），其中，所述多孔层（3）作为预定断裂点的半导体薄膜（5）。多孔层（3），从而由所述半导体衬底（1）的无电解化学蚀刻而形成。通过不使用常规使用的阳极蚀刻和更换通过无电解化学蚀刻，制造过程可以大大简化。

5. 发明申请

WO2010142683A2 VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A2
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/EP2010/058015
申请日：2010-06-08
申请人： Institut für Solarenergieforschung GmbH , BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco , PLAGWITZ, Heiko
发明人： BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco , PLAGWITZ, Heiko
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-poröse Schichten (33, 37) und hoch-poröse Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden. Beispielsweise kann auf der gesamten Oberfläche der niedrig-porösen Schichten (33, 37) und hoch-porösen Schichten (35, 39) eine passivierende Dielektrikumschicht (45) ausgebildet werden. Anschließend können die niedrig-porösen Schichten nacheinander voneinander mechanisch getrennt werden, wobei die dazwischen liegenden hoch-porösen Schichten jeweils als Sollbruchstelle dienen können. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von niedrig-porösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden. Die derart erzeugten Halbleiterschichtsubstrate können beispielsweise für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie zum Beispiel dünnen Solarzellen verwendet werden.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。由此形成的多层堆叠可以进行作为然后整体进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，将低多孔层可以机械地彼此相继，其中，所述中间高的多孔层可以作为预定断裂点分离。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。以这种方式制造的半导体层的基板，可以使用例如用于半导体器件生产的诸如薄太阳能电池。

6. 发明申请

WO2010081857A2 METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL, BASED ON A GERMANIUM THIN FILM 审中-公开
标题翻译：法用于制造半导体构件，特别是太阳能电池，基于锗薄膜
公开(公告)号：WO2010081857A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010050416
申请日：2010-01-14
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , TERHEIDEN BARBARA , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO
发明人： GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , TERHEIDEN BARBARA , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO
CPC分类号： H01L31/1808 , C25F3/12 , H01L21/0203 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02658 , H01L21/3063 , H01L21/76259 , H01L31/1896 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor component, in particular a solar cell, based on a germanium thin film. The method comprises the following steps: providing a germanium substrate (1); forming a porous film (3) on a surface of the germanium substrate (1) by electrochemically etching the germanium substrate (1) in an etching solution (7); depositing a semiconductor thin film (5) on the porous film (3); and separating the semiconductor thin film (5) from the germanium substrate (1), wherein the porous film (3) is used as a predetermined breaking point. The polarity of a voltage applied between the germanium substrate (1) and an external electrode (11) is reversed multiple times during the electrochemical etching of the germanium substrate (1). In this way, a porous film can be produced in a germanium substrate, wherein the porous film enables the semiconductor thin film deposited thereon to be subsequently separated as part of a film transfer method.
摘要翻译：有一种制造半导体器件，特别是太阳能电池，锗薄膜的基础上描述的方法。在这种情况下该方法具有以下步骤：提供锗衬底（1）; 在蚀刻溶液中形成由锗衬底（1）的电化学蚀刻锗基板（1）的表面上的多孔层（3）（7）; 在多孔层上沉积的半导体薄膜（5）（3）; 和分离锗衬底（1），其中，所述多孔层（3）作为预定断裂点的半导体薄膜（5）。在这种情况下，锗基板的电化学蚀刻过程中（1）的锗衬底（1）和外部电极（11）之间反复反转施加的电压。以这种方式，多孔层可以制造，这允许然后分离沉积在其上的半导体薄膜作为锗衬底的层转移工艺的一部分。

7. 发明申请

WO2010122168A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTES, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, AUF BASIS EINER HALBLEITERDÜNNSCHICHT MIT EINEM DIREKTEN HALBLEITER ODER MIT GERMANIUM 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件，特别是太阳能电池的基础上，半导体薄膜具有直接半导体或锗
公开(公告)号：WO2010122168A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/EP2010/055551
申请日：2010-04-26
申请人： INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , GARRALAGA ROJAS, Enrique , TERHEIDEN, Barbara , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko , HAMPE, Carsten
发明人： GARRALAGA ROJAS, Enrique , TERHEIDEN, Barbara , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko , HAMPE, Carsten
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/0203 , H01L21/30608 , H01L21/30617 , H01L21/76259 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle auf Basis einer Halbleiterdünnschicht (5) aus Germanium oder einem direkten Halbleiter vorgeschlagen. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Halbleitersubstrates (1) aus Germanium oder einem direkten Halbleiter; Ausbilden einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche des Halbleitersubstrates (1); Abscheiden einer Halbleiterdünnschicht (5) auf der porösen Schicht (3); und Abtrennen der Halbleiterdünnschicht (5) von dem Halbleitersubstrat (1), wobei die poröse Schicht (3) als Sollbruchstelle dient. Die poröse Schicht (3) wird dabei durch stromloses chemisches Ätzen des Halbleitersubstrates (1) ausgebildet. Durch den Verzicht auf herkömmlich verwendetes anodisches Ätzen und den Ersatz durch stromloses chemisches Ätzen kann der Herstellungsprozess erheblich vereinfacht werden.
摘要翻译：它提出了一种用于由锗或直接半导体构成的半导体薄膜（5）的基础上制造太阳能电池的方法。该方法包括：提供由锗或直接半导体构成的半导体衬底（1）; 在所述半导体衬底（1）的表面上的多孔层（3）; 在多孔层上沉积的半导体薄膜（5）（3）; 和分离从半导体基板（1），其中，所述多孔层（3）作为预定断裂点的半导体薄膜（5）。多孔层（3），从而由所述半导体衬底（1）的无电解化学蚀刻而形成。通过不使用常规使用的阳极蚀刻和更换通过无电解化学蚀刻，制造过程可以大大简化。

8. 发明申请

WO2010081858A2 METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL, BASED ON A SEMICONDUCTOR THIN FILM HAVING A DIRECT SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：法用于制造半导体构件，特别是太阳能电池，基于半导体薄膜具有直接的半导体材料
公开(公告)号：WO2010081858A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010050417
申请日：2010-01-14
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO , HAMPE CARSTEN
发明人： GARRALAGA ROJAS ENRIQUE , HENSEN JAN , PLAGWITZ HEIKO , HAMPE CARSTEN
CPC分类号： H01L21/02513 , C25F3/12 , H01L21/02002 , H01L21/0203 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02518 , H01L21/02658 , H01L21/30635 , H01L21/76259 , H01L31/184 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor component, in particular a solar cell, based on a semiconductor thin film. The method comprises the following steps: providing a semiconductor substrate (1), wherein the semiconductor substrate (1) comprises a material having a direct semiconductor; forming a porous film (3) on a surface of the semiconductor substrate (1) by electrochemically etching the semiconductor substrate (1) in an etching solution (7); depositing a semiconductor thin film (5) on the porous film (3); and separating the semiconductor thin film (5) from the semiconductor substrate (1), wherein the porous film (3) is used as a predetermined breaking point. In this way, a porous film can be produced in a semiconductor substrate, wherein the porous film enables the semiconductor thin film deposited thereon to be subsequently separated and the semiconductor substrate to be reused as part of a film transfer method.
摘要翻译：有一种制造半导体器件，特别是太阳能电池中，半导体薄膜的基础上描述的方法。在这种情况下该方法具有以下步骤：提供半导体衬底（1），其中，所述半导体衬底（1）包括具有直接半导体的材料; 在蚀刻溶液中形成由所述半导体衬底（1）的电化学蚀刻的半导体衬底（1）的表面上的多孔层（3）（7）; 在多孔层上沉积的半导体薄膜（5）（3）; 和分离从半导体基板（1），其中，所述多孔层（3）作为预定断裂点的半导体薄膜（5）。以这种方式，多孔层可以制造，这允许然后分离沉积在其上的半导体薄膜，并在层转移工艺在半导体衬底中的再利用在半导体衬底的。

9. 发明申请

WO2010081857A3 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTES, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, AUF BASIS EINER GERMANIUMDÜNNSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2010081857A3
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/050416
申请日：2010-01-14
申请人： INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , GARRALAGA ROJAS, Enrique , TERHEIDEN, Barbara , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko
发明人： GARRALAGA ROJAS, Enrique , TERHEIDEN, Barbara , HENSEN, Jan , PLAGWITZ, Heiko
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3063 , C25F3/12 , H01L31/18
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Germanium-Dünnschicht beschrieben. Das Verfahren weist dabei die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines Germanium-Substrates (1); Ausbilden einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche des Germanium-Substrates (1) durch elektrochemisches Ätzen des Germanium-Substrates (1) in einer Ätzlösung (7); Abscheiden einer Halbleiterdünnschicht (5) auf der porösen Schicht (3); und Abtrennen der Halbleiterdünnschicht (5) von dem Germanium-Substrat (1), wobei die poröse Schicht (3) als Sollbruchstelle dient. Dabei wird während des elektrochemischen Ätzens des Germanium- Substrates (1) eine zwischen dem Germanium-Substrat (1) und einer externen Elektrode (11) angelegte Spannung mehrfach umgepolt. Auf diese Weise lässt sich in einem Germanium- Substrat eine poröse Schicht erzeugen, die ein anschließendes Abtrennen der darauf abgeschiedenen Halbleiterdünnschicht im Rahmen eines Schichttransferverfahrens ermöglicht.

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