专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011058106A3 METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR PRODUCING SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底太阳能电池生产
公开(公告)号：WO2011058106A3
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/EP2010067299
申请日：2010-11-11
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , BRENDEL ROLF , ERNST MARCO
发明人： BRENDEL ROLF , ERNST MARCO
IPC分类号： H01L31/028 , C25F3/12 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for forming thin semiconductor substrates for producing solar cells, wherein alternately low-macroporous layers (33, 37) and layers (35, 39) etched clear can be designed by electrochemical etching in a provided semiconductor substrate (1). The layers (35, 39) etched clear separate adjoining macroporous layers (33, 37), such that said layers are preferably designed to be self-supporting. An edge region (3) of the semiconductor substrate (1), which surrounds the macroporous layers (33, 37) at least partially, is left unetched and is thus used for the mechanical stabilization of the enclosed, low-macroporous layers (33, 37) connected thereto. The multi-layer stack yielded in this way can then be subjected in a joint fluid method stop collectively to further processing steps, for example coated with a passivating oxide. Thereafter, the macroporous layers can be successively separated from the stabilizing edge region (3) of the semiconductor substrate, wherein a mechanical connection between the macroporous layer (33) and the non-porous edge region (3) is interrupted. Before the respectively uppermost layer is torn off, unilaterally acting processes can be employed. Using few process steps, in this way a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of macroporous layers (33, 37) can be formed, including good surface passivation and a reflection-reducing surface texture.
摘要翻译：它用于太阳能电池的制造中所描述的，用于形成半导体薄膜的衬底，其特征在于，在所安装的半导体衬底（1）交替的低大孔层（33，37）和蚀刻自由层（35，39）的方法，可以通过电化学蚀刻来形成。被蚀刻的层（35，39）分开的相邻的大孔层（33，37），使得这些优选自支撑的。这里，边界区域（3）的半导体衬底（1），其至少部分地包围（33，37）留下未刻蚀的大孔层，从而提供了连接到它为机械稳定的，封闭的，低大孔层（33，37），由此形成的多层堆叠可以经受进一步的处理步骤作为一个整体在一个共同的流体处理步骤然后被涂覆例如用被动氧化物。接着，将稳定化边缘区域继承的大孔层（3）在半导体衬底的可被分离，其中，所述大孔层（33）和非多孔边缘区域（3）之间的机械连接被中断。前撕掉单向过程的最上层的均可适用。具有很少的工艺步骤可以是如在大孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。

2. 发明申请

WO2010142683A3 METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A3
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2010058015
申请日：2010-06-08
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
发明人： BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
IPC分类号： H01L31/028 , C25F3/12 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for forming thin semiconductor layer substrates, wherein low porous layers (33, 37) and highly porous layers (35, 39) are formed in an alternating manner in a semiconductor substrate (1) by electrochemical etching. The thus obtained multi-layer stack can subsequently be subjected, in its totality, to additional treatment steps. For example, a passivation dielectric layer (45) can be formed on the entire surface of the low porous layers (33, 37) and the highly porous layers (35, 39). Subsequently, the low porous layers can be successively separated from each other in a mechanical manner, the highly porous layers arranged therebetween acting as a desired rupture point. It is also possible to form, in a few steps, a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of low porous layers (33, 37) and to obtain a good surface passivation and a reflection-reducing surface texture. The thus produced semiconductor layer substrates can be used, for example, for producing semiconductor elements, for example thin solar cells.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。这样形成的多层叠堆然后可以作为整体进行进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，可以将低多孔层依次机械分离，由此位于它们之间的高孔隙层可以各自用作预定的断裂点。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。这样制造的半导体层基板例如可以用于制造薄型太阳能电池等半导体装置。

3. 发明申请

WO2010142683A4 METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATES AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, IN PARTICULAR A SOLAR CELL COMPRISING, USING SAID TYPE OF SEMICONDUCTOR LAYER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A4
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2010058015
申请日：2010-06-08
申请人： INST SOLARENERGIEFORSCHUNG , BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
发明人： BRENDEL ROLF , ERNST MARCO , PLAGWITZ HEIKO
IPC分类号： H01L31/028 , C25F3/12 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for forming thin semiconductor layer substrates, wherein low porous layers (33, 37) and highly porous layers (35, 39) are formed in an alternating manner in a semiconductor substrate (1) by electrochemical etching. The thus obtained multi-layer stack can subsequently be subjected, in its totality, to additional treatment steps. For example, a passivation dielectric layer (45) can be formed on the entire surface of the low porous layers (33, 37) and the highly porous layers (35, 39). Subsequently, the low porous layers can be successively separated from each other in a mechanical manner, the highly porous layers arranged therebetween acting as a desired rupture point. It is also possible to form, in a few steps, a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of low porous layers (33, 37) and to obtain a good surface passivation and a reflection-reducing surface texture. The thus produced semiconductor layer substrates can be used, for example, for producing semiconductor elements, for example thin solar cells.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。由此形成的多层堆叠可以进行作为然后整体进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，将低多孔层可以机械地彼此相继，其中，所述中间高的多孔层可以作为预定断裂点分离。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。以这种方式制造的半导体层的基板，可以使用例如用于半导体器件生产的诸如薄太阳能电池。

4. 发明申请

WO2011058106A2 VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN ZUM HERSTELLEN VON SOLARZELLEN 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底太阳能电池生产
公开(公告)号：WO2011058106A2
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/067299
申请日：2010-11-11
申请人： INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH , BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco
发明人： BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten zum Herstellen von Solarzellen beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-makroporöse Schichten (33, 37) und freigeätzte Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Die freigeätzten Schichten (35, 39) trennen benachbarte makroporöse Schichten (33, 37), sodass diese vorzugsweise freitragend ausgebildet sind. Dabei wird ein Randbereich (3) des Halbleitersubstrates (1), der die makroporösen Schichten (33, 37) zumindest teilweise umgibt, ungeätzt belassen und dient somit zur mechanischen Stabilisierung der mit ihm verbundenen, eingeschlossenen, niedrig-makroporösen Schichten (33, 37). Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend in einem gemeinsamen Fluidverfahrensschritt als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden, beispielsweise mit einem passivierenden Oxid beschichtet werden. Anschließend können die makroporösen Schichten nacheinander von dem stabilisierenden Randbereich (3) des Halbleitersubstrats getrennt werden, wobei eine mechanische Verbindung zwischen der makroporösen Schicht (33) und dem nicht-porösen Randbereich (3) unterbrochen wird. Vor dem Abreißen der jeweils obersten Schicht können einseitig wirkende Prozesse angewendet werden. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von makroporösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden.
摘要翻译：它用于太阳能电池的制造中所描述的，用于形成半导体薄膜的衬底，其特征在于，在所安装的半导体衬底（1）交替的低大孔层（33，37）和蚀刻自由层（35，39）的方法，可以通过电化学蚀刻来形成。被蚀刻的层（35，39）分开的相邻的大孔层（33，37），使得这些优选自支撑的。这里，边界区域（3）的半导体衬底（1），其至少部分地包围（33，37）留下未刻蚀的大孔层，从而提供了连接到它为机械稳定的，封闭的，低大孔层（33，37），由此形成的多层堆叠可以经受进一步的处理步骤作为一个整体在一个共同的流体处理步骤然后被涂覆例如用被动氧化物。接着，将稳定化边缘区域继承的大孔层（3）在半导体衬底的可被分离，其中，所述大孔层（33）和非多孔边缘区域（3）之间的机械连接被中断。前撕掉单向过程的最上层的均可适用。具有很少的工艺步骤可以是如在大孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。

5. 发明申请

WO2010142683A2 VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS, INSBESONDERE EINER SOLARZELLE, MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：方法用于形成薄层半导体衬底和方法的半导体元件，特别是太阳电池这种半导体多层基板
公开(公告)号：WO2010142683A2
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/EP2010/058015
申请日：2010-06-08
申请人： Institut für Solarenergieforschung GmbH , BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco , PLAGWITZ, Heiko
发明人： BRENDEL, Rolf , ERNST, Marco , PLAGWITZ, Heiko
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L21/3063 , H01L31/1804 , H01L31/1876 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-poröse Schichten (33, 37) und hoch-poröse Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden. Beispielsweise kann auf der gesamten Oberfläche der niedrig-porösen Schichten (33, 37) und hoch-porösen Schichten (35, 39) eine passivierende Dielektrikumschicht (45) ausgebildet werden. Anschließend können die niedrig-porösen Schichten nacheinander voneinander mechanisch getrennt werden, wobei die dazwischen liegenden hoch-porösen Schichten jeweils als Sollbruchstelle dienen können. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von niedrig-porösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden. Die derart erzeugten Halbleiterschichtsubstrate können beispielsweise für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie zum Beispiel dünnen Solarzellen verwendet werden.
摘要翻译：一种形成，其中，在安装的半导体衬底（1）交替地低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）可以通过电化学蚀刻来形成上述半导体薄膜的衬底的方法。由此形成的多层堆叠可以进行作为然后整体进一步的处理步骤。例如，低的多孔层（33，37）和高度多孔层（35，39）的整个表面上，一钝化电介质层（45）形成。随后，将低多孔层可以机械地彼此相继，其中，所述中间高的多孔层可以作为预定断裂点分离。具有很少的工艺步骤可以是如在低多孔层（33，37）包括一个良好的表面钝化和反射减少的表面纹理的形式形式的多个半导体薄膜基板。以这种方式制造的半导体层的基板，可以使用例如用于半导体器件生产的诸如薄太阳能电池。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式