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1. 发明申请

WO2010142268A3 MULTILAYER ELECTRODE FOR PHOTOVOLTAIC COMPONENTS, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND PHOTOVOLTAIC COMPONENT COMPRISING SUCH A MULTILAYER ELECTRODE 审中-公开
标题翻译： FOR光电元件和方法复合电极用于生产光伏元件这样的复合电极
公开(公告)号：WO2010142268A3
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/DE2010000617
申请日：2010-06-01
申请人： HELMHOLTZ ZENT B MAT & ENERG , RUSU MARIN , WIESNER SVEN , FOSTIROPOULOS KONSTANTINOS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
发明人： RUSU MARIN , WIESNER SVEN , FOSTIROPOULOS KONSTANTINOS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/441 , B82Y10/00 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： A multilayer electrode is disclosed, at least comprising two metal layers that are arranged on an absorber. In said multilayer electrode, the first electrode layer E1 forming the boundary surface to the absorber is designed as a mixed layer A:B of a metal A of said electrode layer E1 and metal B of the second electrode layer E2, the concentration of metal A of electrode layer E1 being greater than the concentration of metal B of electrode layer E2. Furthermore, if the multilayer electrode is designed as a cathode, metal A has a lower work function than metal B, or if the multilayer electrode is designed as an anode, metal A has a higher work function than metal B and the first electrode layer E1 is thinner than the second electrode layer E2. A method for producing such a multilayer electrode and an organic solar cell comprising such a multilayer electrode are also disclosed.
摘要翻译：提供了一种多层电极，包括至少包括两个间隔开的吸收体的金属层，其中所述界面与所述吸收体的第一电极层E1作为混合层的成形：将B这个电极层E1和第二电极层E2的金属B的金属A的形成是，其中所述电极层E1比电极层E2的金属B的浓度更大的金属A的浓度，并在情况下该多层电极形成为一个阴极，该金属具有比金属B或的情况下的更小的功函数多层电极形成为阳极，具有比金属B更大的功函数和所述第一电极层的厚度E1比第二电极层E2的厚度小的金属。此外，提供了一种用于这样的多层电极的制造方法，以及与这样的多层电极上的有机太阳能电池。

2. 发明申请

WO2009103286A3 ELECTRODEPOSITION METHOD FOR THE PRODUCTION OF NANOSTRUCTURED ZNO 审中-公开
标题翻译：用于生产纳米结构锌的电沉积过程
公开(公告)号：WO2009103286A3
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/DE2009000254
申请日：2009-02-20
申请人： HELMHOLTZ ZENT B MAT & ENERG , CHEN JIE , AE LORENZ , FISCHER CHRISTIAN-HERBERT , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
发明人： CHEN JIE , AE LORENZ , FISCHER CHRISTIAN-HERBERT , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
IPC分类号： C25D9/08
CPC分类号： C25D9/08 , C25D5/08 , C25D5/10 , C25D5/56 , C25D7/12 , C25D9/04
摘要： The problem addressed by the invention is that of improving on an electrodeposition method for the production of nanostructured ZnO in such a manner that this method enables the production of nanostructured ZnO with a high internal quantum efficiency (IQE) without additional tempering steps. According to the invention, the electrodeposition method uses an aqueous solution of a Zn salt, for example Zn(NO3)2, and a doping agent, for example HNO3 or NH4NO3. ZnO nanotubes produced in this way show an intense emission band edge in the UV range and only a weak emission in the range from 450 to 700 nm in the photoluminescence spectrum.
摘要翻译：本发明的目的是开发一种电极位置过程用于制备纳米结构的ZnO的，使得该方法能够纳米结构的ZnO的具有高的内部量子效率（IQE）而无需额外的退火步骤的制备方法。根据本发明，在电沉积过程中，将Zn-塞兹的水溶液，例如Zn（NO3）2，和掺杂剂，如HNO 3或NH 4 NO 3使用。在光致发光中产生的这种ZnO纳米棒在UV范围内显示强烈的能带边缘发射，并且在450nm至700nm范围内仅有弱发射。

3. 发明申请

WO2009121318A1 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG EINER N-HALBLEITENDEN INDIUMSULFID-DÜNNSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法和系统生产N- HALF官员铟薄
公开(公告)号：WO2009121318A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000353
申请日：2009-03-14
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH , ALLSOP, Nicholas , FISCHER, Christian-Herbert , GLEDHILL, Sophie , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： ALLSOP, Nicholas , FISCHER, Christian-Herbert , GLEDHILL, Sophie , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/305 , C23C16/45527
摘要： Zur Herstellung von Indiumsulfid-Dünnschichten ist das so genannte „Sprüh- ILGAR-Verfahren" bekannt, welches aus einer Verfahrensphase I (Deposition eines festen Indium-Precursors am Substrat) und einer sequenziellen Verfahrensphase Il (lonenaustausch-Reaktion des Indium-Precursors mit Schwefelwasserstoffgas) besteht und durchgängig bei Atmosphärendruck arbeitet. Erfindungsgemäß ist zur weiteren Verbesserung von Sprüh-ILGAR unter Beibehaltung von dessen Vorteilen vorgesehen, dass in der Verfahrensphase I simultan ein CVD-Schritt mit einer Überströmung des Substrats (SU) durchgeführt wird, der zur zusätzlichen Deposition von reaktionsfähigem Indium auf dem Substrat (SU) führt. Dazu wird simultan eine solche Menge von Schwefelwasserstoff (H 2 S) zum gelösten oder gasförmigen Indium enthaltenden Precursor (PR ln(g/fl) ) zugeführt, dass sich eine absolute Konzentration des Schwefelwasserstoffs (H 2 S) gleich oder weniger als 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP)ergibt. In der Verfahrensphase I wird das Substrat (SU) auf eine Temperatur zwischen 100°C und 275°C geheizt, sodass keine störende Pulverbildung in der Gasphase auftreten kann. In speziellen Batch- oder Inline-Anordnungen werden sehr kompakte, homogene Indiumsulfid-Dünnschichten hergestellt, die besonders vorteilhaft als Pufferschichten in Solarzellen eingesetzt werden können.
摘要翻译：用于生产铟薄膜的是所谓的“喷ILGAR方法”是公知的，其由相I（固体铟前体到基底的沉积）和顺序过程II期（铟前体与硫化氢气体的离子交换反应）的是和一贯的大气压力。本发明提供了喷雾ILGAR的进一步提高，同时保持其优点，即在相位进行予同时一个CVD步骤与所述衬底上的衬底上的流动（SU），无功铟的额外沉积的（SU）线索。用于此目的（H2S）变成溶解或气态含铟前体（PRln（克/升））同时，馈送这种硫化氢的量，即硫化氢（H 2 S）的绝对浓度等于或小于1％（体积）（以混合MP ）的结果。在第一阶段中，衬底（SU）中加热至100℃和275℃之间的温度，以便在气相中可能会出现没有干扰粉末形成。在特定批次或在线安排非常紧凑的，均匀的硫化铟薄膜中产生，其可以特别有利地用作太阳能电池中的缓冲层。

4. 发明申请

WO2009006878A3 ARRAY AUS VERTIKALEN UV-LEUCHTEMITTERDIODEN UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2009006878A3
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/DE2008/001108
申请日：2008-07-02
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH , CHEN, Jie , LUX-STEINER, Martha Christina , AICHELE, Christoph
发明人： CHEN, Jie , LUX-STEINER, Martha Christina , AICHELE, Christoph
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es soll ein flexibles Array aus UV-Leuchtemitterdioden angegeben werden, bei dem die als pn-Übergang einer Leuchtemitterdiode strukturierten Nanodrähte sehr ähnliche Parameter aufweisen. Bei einem Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden mit einem pn-Heteroübergang in Form von in eine isolierende organische Schicht (1) eingebetteten Nanodrähten ist erfindungsgemäß die organische Schicht eine flexible Polymerfolie, das Array ohne Substrat flexibel und der pn-Übergang ohne isolierende Zwischenschicht aus zwei organischen Halbleitermaterialien oder einem organischen und einem anorganischen Halbleitermaterial gebildet. Die Nanodrähte sind durch Auffüllen von in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanälen (2) mit diesen Halbleitermaterialien erzeugbar. Zwischen der Wandung der in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanäle und dem erzeugten Nanodraht ist zusätzlich eine Licht leitende Schicht (3) angeordnet.

5. 发明申请

WO2008128723A1 IMPLANTIERBARES SYSTEM ZUR ANREGUNG VON NEURONEN 审中-公开
标题翻译：用于刺激神经元植入系统
公开(公告)号：WO2008128723A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/EP2008/003141
申请日：2008-04-18
申请人： EBERHARD-KARLS-UNIVERSITAET TUEBINGEN , HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH , ZRENNER, Eberhart , LUX-STEINER, Martha, Christina , FUERTES MARRON, David , WEILER, Reto , GUENTHER, Elke , PARISI, Juergen , VON HAUFF, Elizabeth
发明人： ZRENNER, Eberhart , LUX-STEINER, Martha, Christina , FUERTES MARRON, David , WEILER, Reto , GUENTHER, Elke , PARISI, Juergen , VON HAUFF, Elizabeth
IPC分类号： A61N1/36 , A61F11/04 , A61F2/14 , A61F9/08 , A61N1/32
CPC分类号： A61N1/36046 , A61N1/0543
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein implantierbares System zur Anregung von Neuronen in einem Säugetier, mit einem drucksensitiven oder piezoelektrischen Element zur Erzeugung eines elektrischen Potentials. Das System weist eine Oberfläche auf, die das elektrische Potential weiterleitet, sowie von dem implantierbaren System freisetzbare Neurotransmitter und/oder Neuromodulatoren, wobei an der Oberfläche ein Linker vorgesehen ist, über welchen die Neurotransmitter und/oder Neuromodulatoren an dem implantierbaren System fixierbar und durch externe Anregung elektrostatisch freisetzbar und ggf. wieder fixierbar sind.
摘要翻译：本发明涉及一种用于神经元在哺乳动物中激发的可植入系统，具有用于产生电势的压敏或压电元件。该系统具有一个表面重定向的电势，并且可释放从可植入系统的神经递质和/或神经调质，其特征在于，接头被设置在表面上，通过该可植入系统神经递质和/或神经调质固定和外部激发是静电释放和可能的重新固定。

6. 发明申请

WO2008074298A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON IN EINER MATRIX EINGEBETTETEN QUANTENPUNKTEN UND MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTE IN EINER MATRIX EINGEBETTETE QUANTENPUNKTE 审中-公开
标题翻译：用于生产在矩阵嵌入式量子点以及与所述方法在矩阵嵌入式量子点
公开(公告)号：WO2008074298A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/DE2007/002230
申请日：2007-12-11
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FUERTES MARRÓN, David , LEHMANN, Sebastian , SADEWASSER, Sascha , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： FUERTES MARRÓN, David , LEHMANN, Sebastian , SADEWASSER, Sascha , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/04 , C23C30/00 , C23C16/04 , C23C14/06 , C23C16/30
CPC分类号： C23C14/042 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C8/02 , C23C10/02 , C23C14/0623 , C23C14/46 , C23C16/0281 , C23C16/305 , C23C26/00 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Bekannt ist, einen metallischen Precursor, der in einer ein Polymer enthaltenden Lösung gelöst ist, mittels Tröpfchensprühverteilung auf einem Substrat zu deponieren. Eine anschließende Gasphasenreaktion mit einem chalkogenhaltigen Reagens erzeugt Quantenpunkte in einer Polymermatrix. Zur Erzeugung beliebiger, jedoch polymerfreier Matrizen sieht das erfindungsgemäße Verfahren nach Aufbringen von Quantenpunkten (QD) aus einem Precursor (PC) das anschließende Inkontaktbringen der aufgebrachten Quantenpunkte (QD) und des unbedeckten Substrats (SU) mit einem gasphasigen Reagens (RG) vor, das alle Bestandteile der zu erzeugenden Matrix (MA) enthält, wobei eine chemische Reaktion zwischen dem Precursor (PC) und dem Reagens (RG) durch eine zum Inkontaktbringen gleichzeitige oder nachfolgende Temperaturerhöhung herbeigeführt wird. Somit kann eine konkordierende Zusammensetzung zwischen Quantenpunkten (QD) und Matrix (MA) erzeugt werden, wobei die Quantenpunkte (QD) eine additive Zusammensetzung aus den Elementen von Precursor (PC) und Reagens (RG) und die Matrix (MA) eine Zusammensetzung ausschließlich aus den Elementen des Reagens (RG) aufweist. Durch entsprechende Elementwahl können binäre, ternäre oder multinäre Verbindungshalbleiter erzeugt werden, die in der Nanooptik und -elektronik, aber auch bei Solarzellen Anwendung finden.
摘要翻译：已知的是，沉积其溶解在含有在基板上的聚合物Tröpfchensprühverteilung溶剂中的金属前体。与含硫族元素的试剂随后的气相反应产生在聚合物基质中的量子点。为了生成任意的，但是，无聚合物基质，本发明的方法提供，由前体（PC）应用的量子点（QD）的随后用在前面的气相试剂（RG）接触涂覆的量子点（QD）和未覆盖衬底（SU）后，包含要被产生的矩阵的所有部件（MA），其特征在于，所述前体（PC）和试剂（RG）之间的化学反应所带来的一个同时或随后给所述接触温度升高。因而，生成量子点（QD）及基质（MA）之间的konkordierende组合物，其中所述量子点（QD）的前体（PC）和试剂（RG）和基质（MA）从专门的组合物的元件的添加剂组合物包括所述试剂（RG）的元素。通过适当的元件选择的二进制，可以生成三元或多元化合物半导体，其在纳米光学和电子使用，也可在太阳能电池。

7. 发明申请

WO2007079726A3 PROCESS FOR APPLYING LAYERS OF TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES TO A SUBSTRATE MADE OF AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL OR CARBON MODIFICATIONS 审中-公开
标题翻译：申请的程序LAYERS透明导电氧化物到文档由有机半导体材料或碳变
公开(公告)号：WO2007079726A3
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/DE2007000031
申请日：2007-01-10
申请人： HAHN MEITNER INST BERLIN GMBH , FOSTIROPOULOS KONSTANTINOS , MOHR MARTINA , ELLMER KLAUS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
发明人： FOSTIROPOULOS KONSTANTINOS , MOHR MARTINA , ELLMER KLAUS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/442 , H01L51/4253 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02E10/549
摘要： Processes for applying TCO layers in which additional buffer layers which are not necessary for the operation of a photovoltaic component are added as "sacrificial layers" in order to implement the desired function are known from the prior art. The resulting additional boundary surfaces increase error frequency because potential barriers which interfere with charge transport owing to poor band adaptation may be produced therein, requiring additional buffer layers in order to prevent it. According to the invention, therefore, it is proposed to sputter the material of the transparent conducting oxide directly onto the substrate. Sputtering is preferably carried out at a sputtering power of less than 100 watts, under a pressure ranging between 2*10 -3 and 10 -2 mbar and at a substrate temperature limited by the stability of the organic structure of the substrate. The use of a structured substrate has been shown to be advantageous.
摘要翻译：根据已知的方法用于施加TCO层，其中该不需要用于在自身的光电转换装置的功能附加的缓冲层，被施加以实现期望的功能为“牺牲层”的现有技术的状态。因此，误差率是由于附加的接口增加，因为有干扰的潜在障碍可能由于频带调整差为电荷传输，这将反过来通过附加缓冲层来防止。根据本发明，因此，建议以溅射在基底上的透明导电氧化物的材料。溅射是优选在低于100瓦的溅射功率下进行，压力2之间×10 ^{-3 和10 ^{-2 毫巴和由有机的稳定性的基板温度垫的结构是有限的。优势已发现使用高度结构化的表面。}}

8. 发明申请

WO2006018013A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER ZINKSULFID-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG, INSBESONDERE AUF DIE ABSORBERSCHICHT EINER CHALKOPYRIT-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法用于将硫化锌缓冲层的半导体衬底通过化学浴沉积，特别是吸收层的黄铜矿薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2006018013A1
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：PCT/DE2005/001431
申请日：2005-08-11
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , ENNAOUI, Ahmed , KROPP, Timo , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： ENNAOUI, Ahmed , KROPP, Timo , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/368 , C23C18/00 , C30B29/10
CPC分类号： H01L31/0749 , C23C18/1865 , C23C18/1893 , C23C18/31 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02557 , H01L21/02628 , H01L31/1836 , Y02E10/541
摘要： Am günstigsten erweist sich zum Aufbringen einer Pufferschicht auf Halbleitersubstrate, zum Beispiel von Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellen, die chemische Badabscheidung (Chemical Bath Deposition - CBD), bei der bisher Cadmiumsulfid (CdS) abgeschieden wird. Da Cadmium ein sehr giftiges Schwermetall ist, wurde bereits nach Alternativen gesucht. Vorgeschlagen wird nunmehr, dass das Halbleitersubstrat nach Auflösen von Zinksulfat (0,05 bis 0,5 mol/I) und Thioharnstoff (0,2 bis 1,5 mol/I) in destilliertem Wasser bei einer Temperatur von 70 °C bis 90 °C und nach Klarwerden der Lösung zugegebenem Ammoniak (ca. 25 %) für etwa 10 Minuten in die Lösung getaucht wird, deren Temperatur in dieser Zeit im wesentlichen konstant gehalten wird. Mit der ZnS-Schicht ist es erstmals möglich, vergleichbare bzw. Höhere Wirkungsgrade zu erzielen als sie zur Zeit nur mit giftigen Cadmiumverbindungen möglich sind. Das Verfahren ist somit bei gleichem Erfolg sehr viel umweltfreundlicher.
摘要翻译：祢原来是在半导体衬底上，如黄铜矿薄膜太阳能电池应用的缓冲层，化学浴沉积（化学浴沉积 - CBD），是在远硫化镉（CdS）沉积。由于镉是一种毒性很强的重金属，一直在寻找替代品。现在建议硫酸锌（0.05〜0.5摩尔/ I）和硫脲（0.2〜1.5摩尔/ I）在蒸馏水中在70℃的温度下溶解到90°后的半导体基板 C和后的溶液加入清除氨（约25％）中浸渍约10分钟在其温度此时保持恒定基本溶液。与硫化锌层，现在有可能实现类似或更高的效率比目前仅与有毒镉化合物可能的。因此，该方法是更加环保的同样成功。

9. 发明申请

WO2004106593A3 METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT P-CONDUCTIVE CuAlO2 审中-公开
标题翻译：用于生产透明导电P CuAlO 2的
公开(公告)号：WO2004106593A3
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/DE2004001069
申请日：2004-05-18
申请人： HAHN MEITNER INST BERLIN GMBH , DLOCZIK LARISSA , TOMM YVONNE , DITTRICH THOMAS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
发明人： DLOCZIK LARISSA , TOMM YVONNE , DITTRICH THOMAS , LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA
IPC分类号： C01D15/04 , C01G3/00 , C23C14/08 , H01L33/00 , C01F7/02 , C01G3/02 , C23C14/00 , C30B23/02 , C30B29/20
CPC分类号： H01L31/022466 , C01D15/04 , C01G3/00 , C01P2002/76 , C01P2006/40 , C23C14/08 , H01L31/0322 , H01L51/442 , H01L2251/305 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Transparent conductive materials are used for optoelectronic applications. However, the materials presently used are n-type semiconductors. Transparent p-type semiconductors are also required to produce pn transitions. Only a few such materials are known, but their long-term stability is questionable. Oxides would provide better stability for said application, but the structural conditions, under which they can be p-conductive are extremely restrictive. The synthesis of CuAlO2 is complicated by the formation of binary oxides, spinell-type CuAl2O4 or metallic copper. At present, to produce pulverulent, pure CuAlO2, binary oxides are reacted at temperatures of at least 1000 C for at least 20 hours, with interruptions for renewed mixing and compression. The aim of the invention is to provide a method for producing transparent, p-conductive CuAlO2, without producing undesirable companion products, in particular for optoelectronic applications, said method facilitating the cost-effective production of pulverulent CuAlO2 with long-term stability. In said production method for transparent, p-conductive CuAlO2, an exchange reaction consistent with the crystalline structure takes place. The alpha modifications of the non-conductive, ceramic-type material LiAlO2 and CuCl then take part in a metathesis reaction by ion exchange, at a temperature in excess of approximately 330 °C, to form the desired crystalline structure of CuAlO2 and LiCl that can be washed out. The inventive method is suitable for the production of transparent p-conductive CuAlO2 for various optoelectronic applications, in particular large flat screens and thin-film solar cells.
摘要翻译：需要用于光电子应用的透明导电材料。然而，到这里为止证明材料是半导体n型。还需要是pTyps的透明半导体实现pn结。只有少数这样的材料是已知的，长期稳定性是值得怀疑的。氧化物在这里答应更高的稳定性，然而，在其下它们可以是p型的，非常严格的结构状况。 CuAlO 2的合成是通过二元氧化物，CuAl2O4尖晶石型或金属铜的形成复杂。的二元氧化物在温度至少为1000的反应<°> C至少20小时的中断到目前为止所描述的再混合和挤压用于生产粉状，纯的CuAlO 2的。它是用于生产透明的p型CuAlO 2的无干扰共产物，特别是提出了用于光电应用，这允许较低的温度下以粉末形式的经济生产长期稳定CuAlO 2的的方法。在用于制备透明p型CuAlO 2的晶体结构兼容的交换反应发生所提出的方法。此后，将非导电性，类陶瓷材料铝酸锂的α-修饰和氯化亚铜在通过离子交换的温度到CuAlO 2的和可洗的LiCl的所需晶体结构的复分解反应在约330℃反应。本发明的方法是适合于生产透明的p型CuAlO 2的用于各种光电子应用，特别是大面积的平板显示器和薄膜太阳能电池。

10. 发明申请

WO2004106593A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSPARENTEM P-LEITENDEM CuAlO2 审中-公开
标题翻译：用于生产透明导电P CuAlO 2的
公开(公告)号：WO2004106593A2
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/DE2004/001069
申请日：2004-05-18
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , DLOCZIK, Larissa , TOMM, Yvonne , DITTRICH, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： DLOCZIK, Larissa , TOMM, Yvonne , DITTRICH, Thomas , LUX-STEINER, Martha, Christina
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H01L31/022466 , C01D15/04 , C01G3/00 , C01P2002/76 , C01P2006/40 , C23C14/08 , H01L31/0322 , H01L51/442 , H01L2251/305 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Transparente leitfähige Materialien werden für optoelektronische Anwendungen benötigt. Jedoch sind die hier bisher bewährten Materialien Halbleiter vom n-Typ. Erforderlich sind auch transparente Halbleiter des pTyps, um pn-Übergänge zu realisieren. Es sind nur wenige solche Materialien bekannt, deren Langzeitstabilität fraglich ist. Oxide würden hier eine höhere Stabilität verheißen, jedoch sind die strukturellen Bedingungen, unter denen sie p-leitend sein können, sehr restriktiv. Die Synthese von CuAlO 2 wird durch die Bildung von binären Oxiden, CuAl 2 O 4 vom Spinell-Typ oder metallischem Kupfer erschwert. Zur Herstellung von pulverförmigem, reinem CuAlO 2 ist bisher die Reaktion der binären Oxide bei Temperaturen von mindestens 1000 ° C für mindestens 20 Stunden mit Unterbrechungen zum erneuten Vermischen und Verpressen beschrieben. Es soll ein Verfahren zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 ohne störende Begleitprodukte vorgeschlagen werden, insbesondere für optoelektronische Anwendungen, das mit geringerer Temperatur eine wirtschaftliche Herstellung von langzeitstabilem CuAlO 2 in Pulverform ermöglicht. Im vorgeschlagenen Verfahren zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 erfolgt eine Kristallstruktur-konforme Austauschreaktion. Danach reagieren die alpha-Modifikation des nichtleitenden, keramikartigen Materials LiAlO 2 und CuCl in einer Metathesereaktion durch Ionen-Austausch bei einer Temperatur ab etwa 330 °C zur gewünschten Kristallstruktur von CuAlO 2 und zu auswaschbarem LiCl. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zur Herstellung von transparentem p-leitendem CuAlO 2 für die verschiedensten optoelektronischen Anwendungen, insbesondere großflächige Flachbildschirme und Dünnschicht-Solarzellen.
摘要翻译：需要用于光电子应用的透明导电材料。然而，到这里为止证明材料是半导体n型。还需要是pTyps的透明半导体实现pn结。只有少数这样的材料是已知的，长期稳定性是值得怀疑的。氧化物在这里答应更高的稳定性，然而，在其下它们可以是p型的，非常严格的结构状况。 CuAlO 2的合成是通过二元氧化物，CuAl2O4尖晶石型或金属铜的形成复杂。的二元氧化物在温度至少为1000的反应<°> C至少20小时的中断到目前为止所描述的再混合和挤压用于生产粉状，纯的CuAlO 2的。它是用于生产透明的p型CuAlO 2的无干扰共产物，特别是提出了用于光电应用，这允许较低的温度下以粉末形式的经济生产长期稳定CuAlO 2的的方法。在用于制备透明p型CuAlO 2的晶体结构兼容的交换反应发生所提出的方法。此后，将非导电性，类陶瓷材料铝酸锂的α-修饰和氯化亚铜在通过离子交换的温度到CuAlO 2的和可洗的LiCl的所需晶体结构的复分解反应在约330℃反应。本发明的方法是适合于生产透明的p型CuAlO 2的用于各种光电子应用，特别是大面积的平板显示器和薄膜太阳能电池。

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