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    • 5. 发明申请
    • A MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON-BASED MEMORY ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME
    • 包含碳基记忆元素的记忆细胞及其形成方法
    • WO2011106156A3
    • 2011-09-01
    • PCT/US2011/024188
    • 2011-02-09
    • SANDISK 3D, LLCLI, YubaoPING, Er-Xuan
    • LI, YubaoPING, Er-Xuan
    • H01L45/00H01L27/24
    • A method of forming a reversible resistance - switching metal - carbon -metal ("MCM") device is provided, the device including a first conducting layer (20), a second conducting layer (22), and a reversible resistance - switching element (12a, 12b, 12c) disposed between the first and second conducting layers, wherein the reversible resistance - switching element includes thermal CVD graphitic material that may favor crack formation. The reversible resistance - switching element includes a first portion (12a) having a first width Wl, a second portion (12b) having a second width W2 that is less than fhe fisrt width Wl, and a highly resistive third portion (12c) coupled between first and second portions.
    • 提供了一种形成可逆电阻切换金属 - 碳 - 金属(“MCM”)器件的方法,该器件包括第一导电层(20),第二导电层(22) 以及布置在所述第一和第二导电层之间的可逆电阻切换元件(12a,12b,12c),其中所述可逆电阻切换元件包括热CVD CVD石墨材料,其可以有利于裂纹形成。 可逆电阻切换元件包括具有第一宽度W1的第一部分(12a),具有小于第一宽度W1的第二宽度W2的第二部分(12b)以及耦合在第一部分(12a)之间的高电阻第三部分(12c) 第一和第二部分。