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1. 发明申请

WO2006089630A1 VERFAHREN ZUR MASKENINSPEKTION IM RAHMEN DES MASKENDESIGNS UND DER MASKENHERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：方法掩模检查的面罩设计下方和掩模制造
公开(公告)号：WO2006089630A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/EP2006/001000
申请日：2006-02-04
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , SIGMA-C GMBH , HARNISCH, Wolfgang , ZIBOLD, Axel , BÖHM, Klaus , KALUS, Christian , SCHMÖLLER, Thomas
发明人： HARNISCH, Wolfgang , ZIBOLD, Axel , BÖHM, Klaus , KALUS, Christian , SCHMÖLLER, Thomas
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/7065 , G03F7/70666
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Maskeninspektion, welches im Rahmen des Maskendesigns der Maskenherstellung eingesetzt werden kann, um relevante Schwachstellen bereits frühzeitig erkennen und korrigieren zu können. Bei dem Verfahren zur Maskeninspektion wird von dem entworfenen und in ein Maskenlayout überführten Maskendesign eine „aerial image" Simulation, vorzugsweise eine vollflächige „aerial image"-Simulation durchgeführt, um daraus eine Liste der kritischen Stellen (Hotspots) zu ermitteln. Anhand dieser Hot-spots wird die Maske/Testmaske mit Hilfe eines AIMS-Tools analysiert, indem reale „aerial images" erzeugt und mit den simulierten „aerial images" verglichen werden. Die ermittelten Unterschiede der „aerial images" werden zur Verbesserung des Maskendesigns verwendet. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung wird ein Verfahren zur Maskeninspektion im Rahmen des Maskendesigns und der Maskenherstellung zur Verfügung gestellt. Durch die Verwendung des AIMS-Tools direkt im Maskenherstellungsprozess ist eine wesentliche Beschleunigung der Maskenherstellung, bei Verringerung der Fehlerquote und Kosteneinsparung möglich.
摘要翻译：本发明涉及一种用于掩模检查，可以在掩模制造的掩模设计的上下文中使用的方法，已认识到早期的有关的脆弱性，能够校正。在用于掩模检查方法是设计和掩模布局掩模下放置设计一个“空间图像”模拟，优选进行全表面“空间图像”模拟的从临界点（热点）的列表，以确定。掩模/掩模试验使用基于由实际这些热点的AIMS工具来产生“航拍”分析，并与模拟“航空图像”进行比较。在“航拍照片”确定之间的差异被用于改善掩模设计。利用本发明的布置中，提供在掩模设计和掩模制造的上下文中掩模检查的方法。通过直接在掩模制造过程中使用AIMS工具是掩模制造中，可能的误差减少，节约成本的一个显著加速度。

2. 发明申请

WO2007036246A1 VERFAHREN ZUR SIMULATION EINES POST-EXPOSURE-BAKE (PEB) - PROZESSES IN EINEM LITHOGRAPHIEVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR模拟曝光后烘烤（PEB）的 - 进程在一个光刻工艺
公开(公告)号：WO2007036246A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/EP2006/002639
申请日：2006-03-22
申请人： SIGMA-C SOFTWARE AG , KALUS, Christian, K. , BUSS, Hinderk
发明人： KALUS, Christian, K. , BUSS, Hinderk
IPC分类号： G06F19/00 , G03F7/40 , H01L21/00
CPC分类号： G03F7/38 , G06F19/702
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Simulation eines Post-Exposure-Bake (PEB) -Prozesses in einem Lithographieverfahren zum Erhalt einer Konzentrationsverteilung M als Konzentration in Abhängigkeit von Ort x und Zeit t eines Inhibitors in einem wenigstens eine Säure, einen Quencher und einen Inhibitor aufweisenden, auf einen Wafer aufgebrachten Photolack, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen je einer Anfangskonzentration A0, Qo, M0 einer Säure, einer Base und eines Inhibitors; Ermitteln der Konzentrationsverteilung M des Inhibitors, A der Säure und Q der Base aus einem chemischen Potential μ, das als Lösung einer parabolischen Variationsungleichung basierend auf wenigstens einer der bereitgestellten Anfangskonzentrationen A0, Qo, M0 erhalten wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在光刻工艺模拟曝光后烘烤（PEB）工艺以获得M的浓度分布的浓度如在至少一种酸抑制剂，淬灭剂和抑制剂的位置x和时间t的函数的方法具有，施加到晶片的光刻胶的方法，包括以下步骤：提供每A0，QO，酸，碱和抑制剂M0的初始浓度; 确定从化学势μ，其作为一个抛物型变的溶液基于所提供的初始浓度A0，QO，M0中的至少一个获得的抑制剂的M时，酸A和碱的Q的浓度分布。

3. 发明申请

WO0244699A3 METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING THE PROPERTIES OF AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
公开(公告)号：WO0244699A3
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/EP0114005
申请日：2001-11-30
申请人： SIGMA C GMBH , KALUS CHRISTIAN K , MALOV IOURI
发明人： KALUS CHRISTIAN K , MALOV IOURI
IPC分类号： G01N21/956 , G03F1/00 , G03F1/36 , G06F17/50 , G06T7/00 , H01L21/306 , H01L21/82
CPC分类号： G06T7/0002 , G03F1/36 , G06F17/5009 , G06T2207/30148
摘要： The invention relates to a method for determining, by calculation, the properties, especially the integrity, of an integrated circuit. According to said method, a numerically simulated image of the circuit is compared with the design of the circuit and differences between the image and the design are detected.

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