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1. 发明专利

JP2012149630A Apparatus for automatic control of exhaust pressure of internal combustion engine 审中-公开
标题翻译：用于自动控制内燃机排气压力的装置
公开(公告)号：JP2012149630A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2011038384
申请日：2011-02-24
申请人： Keun Jin Jang , チャン,グンヂンJANG, Keun Jin
发明人： JANG KEUN JIN
IPC分类号： F02B27/06 , F01N13/08
CPC分类号： Y02T10/146
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for automatic control of exhaust gas pressure of an internal combustion engine, capable of narrowing and expanding an area of a passage of an exhaust pipe depending on a speed of a vehicle.SOLUTION: This apparatus for automatic control of exhaust gas pressure of an internal combustion engine, includes a guide part having an opening part opened to the front face and the rear face, and installed such that the guide part covers a side face installed with a weight blade from a body 10 over a space area where the weight blade moves inside a range wherein a pressure adjustment plate 27 rotates, wherein the weight blade includes a perpendicular plate 67 formed of a platy member having a plate-like shape when sectioned by a virtual plane perpendicular to a virtual straight line connecting between a lead-in port 11 and a lead-out port 13.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够根据车辆的速度使排气管的通道的面积变窄和扩大的内燃机的排气压力的自动控制装置。解决方案：一种用于内燃机排气压力自动控制的装置，包括：具有向前表面和后表面敞开的开口部分的引导部分，并安装成使导向部分覆盖安装的侧面在重量叶片在压力调节板27旋转的范围内移动的空间区域上具有来自主体10的重量叶片，其中，重量叶片包括由切片时具有板状形状的板状构件形成的垂直板67 通过垂直于连接导入口11和导出端口13之间的虚拟直线的虚拟平面。（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

DE60017968T2 未知
公开(公告)号：DE60017968T2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：DE60017968
申请日：2000-04-25
申请人： JIN JANG , CDREAM CORP
发明人： JANG JIN , CHUNG SUK-JAE
IPC分类号： C01B31/00 , C01B31/02 , C23C16/26
摘要： A method of forming carbon nanotubes comprises growing a carbon nanotubes layer on a substrate to have a predetermined thickness by plasma deposition, purifying the layer by plasma etching and repeating the growth and the purification of the carbon nanotube layer.

3. 发明专利

AT288877T 未知
公开(公告)号：AT288877T
公开(公告)日：2005-02-15
申请号：AT00303469
申请日：2000-04-25
申请人： JIN JANG , CDREAM CORP
发明人： JANG JIN , CHUNG SUK-JAE
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26 , C01B31/00
摘要： A method of forming carbon nanotubes comprises growing a carbon nanotubes layer on a substrate to have a predetermined thickness by plasma deposition, purifying the layer by plasma etching and repeating the growth and the purification of the carbon nanotube layer.

4. 发明专利

DE60017968D1 未知
公开(公告)号：DE60017968D1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：DE60017968
申请日：2000-04-25
申请人： JIN JANG , CDREAM CORP
发明人： JANG JIN , CHUNG SUK-JAE
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26 , C01B31/00
摘要： A method of forming carbon nanotubes comprises growing a carbon nanotubes layer on a substrate to have a predetermined thickness by plasma deposition, purifying the layer by plasma etching and repeating the growth and the purification of the carbon nanotube layer.

5. 发明公开

EP1046613A3 Method of forming carbon nanotubes 有权
标题翻译：一种用于生产碳纳米管的过程
公开(公告)号：EP1046613A3
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：EP00303469.1
申请日：2000-04-25
申请人： Iljin Nanotech Co., Ltd. , Jin Jang
发明人： Jang, Jin , Chung, Suk-Jae Dept. of Physics
IPC分类号： C01B31/00 , C01B31/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
摘要： An easy method of forming purified carbon nanotubes from which graphitic phase or carbon particles are removed, using a high-density plasma. Carbon nanotubes are grown on a substrate using a plasma chemical vapor deposition method at a high plasma density of 10 11 cm -3 or more. The carbon nanotube formation includes: growing a carbon nanotube layer on a substrate to have a predetermined thickness by plasma deposition; purifying the carbon nanotube layer by plasma etching; and repeating the growth and the purification of the carbon nanotube layer. For the plasma etching, a halogen-containing gas, for example, a carbon tetrafluoride gas, is #used as a source gas.

6. 发明授权

EP1046613B1 Method of forming carbon nanotubes 有权
标题翻译：一种用于生产碳纳米管的过程
公开(公告)号：EP1046613B1
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：EP00303469.1
申请日：2000-04-25
申请人： Jin Jang , cDREAM CORPORATION
发明人： Jang, Jin , Chung, Suk-Jae Dept. of Physics
IPC分类号： C01B31/00 , C01B31/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888

7. 发明公开

EP1061544A1 Field emitter having carbon nanotube film, method of fabricating the same, and field emission display device using the field emitter. 审中-公开
标题翻译：具有碳纳米管薄膜，制备方法场发射器，并使用该发射极的场致发射显示装置
公开(公告)号：EP1061544A1
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：EP00304962.4
申请日：2000-06-13
申请人： Iljin Nanotech Co., Ltd. , Jin Jang
发明人： Jang, Jin , Chung, Suk-Jae
IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02 , H01J31/12
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , Y10S977/721 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
摘要： A field emitter having a high current density even at a low voltage using a carbon nanotube film, a method of manufacturing the same, and a field emission display device having the field emitter, are provided. The field emitter includes an insulating substrate (8), a thin film transistor formed on the insulating substrate, the thin film transistor having a semiconductor layer (7), a source electrode (3), a drain electrode (4) and a gate electrode (2), and an electron emitting unit formed of a carbon nanotube film (1) on the drain electrode of the thin film transistor. The thin film transistor can be a coplanar-type transistor, a stagger-type transistor, or an inverse stagger-type transistor. The surface of a portion of the drain electrode, which contacts the carbon nanotube film, contains catalytic metal which is transition metal such as nickel or cobalt. Alternatively, the drain electrode itself can be formed of catalytic metal for carbon nanotube growth.
摘要翻译：使用碳纳米管的电影，其制造方法，以及具有该场发射器的场发射显示装置，即使在低电压下具有高电流密度的场发射器中，提供了。场致发射体包括在绝缘基片（8），薄膜晶体管形成在绝缘基板中，具有半导体层的薄膜晶体管（7），源电极（3），漏电极（4）和栅极电极（2），并且在电子发射部形成的碳纳米管片（1）上的薄膜晶体管的漏电极的。薄膜晶体管可以是共面型晶体管，一交错型晶体管或在逆交错型晶体管。漏电极，其接触碳纳米管电影，的部分的表面含有催化金属的所有其是过渡金属：如镍或钴。可替代地，漏极电极本身可以形成用于生长碳纳米管的催化金属。

8. 发明公开

EP1046613A2 Method of forming carbon nanotubes 有权
标题翻译： Verfahren zur Herstellung vonKohlenstoffnanoröhre
公开(公告)号：EP1046613A2
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：EP00303469.1
申请日：2000-04-25
申请人： Iljin Nanotech Co., Ltd. , Jin Jang
发明人： Jang, Jin , Chung, Suk-Jae Dept. of Physics
IPC分类号： C01B31/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
摘要： An easy method of forming purified carbon nanotubes from which graphitic phase or carbon particles are removed, using a high-density plasma. Carbon nanotubes are grown on a substrate using a plasma chemical vapor deposition method at a high plasma density of 10 11 cm -3 or more. The carbon nanotube formation includes: growing a carbon nanotube layer on a substrate to have a predetermined thickness by plasma deposition; purifying the carbon nanotube layer by plasma etching; and repeating the growth and the purification of the carbon nanotube layer. For the plasma etching, a halogen-containing gas, for example, a carbon tetrafluoride gas, is #used as a source gas.
摘要翻译：形成碳纳米管的方法包括通过等离子体沉积在基板上生长具有预定厚度的碳纳米管层，通过等离子体蚀刻来纯化该层，并重复碳纳米管层的生长和纯化。

9. 实用新型

TW483360U Structure improvement for socket wrench 失效
公开(公告)号：TW483360U
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW90213681
申请日：2001-08-10
申请人： JAU JIN-JANG
发明人： JAU JIN-JANG
IPC分类号： B25B13/06

10. 实用新型

TWM261094U 弧面物件置物架失效
简体标题：弧面对象置物架
公开(公告)号：TWM261094U
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：TW093214362
申请日：2004-09-09
申请人：黃金章 HUANG, JIN JANG
发明人：黃金章 HUANG, JIN JANG
IPC分类号： A47B
摘要：一種弧面物件置物架，係適用於收藏和放置安全帽或球體等弧面物件，由一呈勾形狀的固定架及一呈U形狀的置物桿共同樞接組成，利用該置物桿經向外掀開固定不動的位置與該固定架之間所形成的空間構成收藏和放置弧面物件的空間，同時，該弧面物件置物架不需使用時，該置物桿可以向內收納以減少佔據的空間；該置物桿的桿徑上並得套設若干調整塊，且每個調整塊設有凸起的接觸部，藉由調整和變換每個調整塊的的接觸部的位置及方向，可促使該置物桿的桿徑因此具有多樣化的各種不同接觸點變化，藉此可促成該固定架及該置物桿之間的空間適用於放置各式各樣不同形狀及大小的弧面物件。
简体摘要：一种弧面对象置物架，系适用于收藏和放置安全帽或球体等弧面对象，由一呈勾形状的固定架及一呈U形状的置物杆共同枢接组成，利用该置物杆经向外掀开固定不动的位置与该固定架之间所形成的空间构成收藏和放置弧面对象的空间，同时，该弧面对象置物架不需使用时，该置物杆可以向内收纳以减少占据的空间；该置物杆的杆径上并得套设若干调整块，且每个调整块设有凸起的接触部，借由调整和变换每个调整块的的接触部的位置及方向，可促使该置物杆的杆径因此具有多样化的各种不同接触点变化，借此可促成该固定架及该置物杆之间的空间适用于放置各式各样不同形状及大小的弧面对象。

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